α－（AlMnSi）空间构型与价电子结构分析

分析了金属间化合物α－（ＡｌＭｎＳｉ）的空间结构，并运用余瑞璜的固体与分子经验电子论中的键距差分析法计算了α－（ＡｌＭｎＳｉ）的理论键距及其各种原子所选取的杂阶．在此基础上计算出α－（ＡｌＭｎＳｉ）中Ｍｎ原子键络的共价键键能．     

以(10■5)面为籽晶的6H-SiC单晶生长与缺陷研究

本文以升华法实现了以(10(1)5)面为籽晶的6H-SiC单晶扩径生长,获得最大直径达33 mm的6H-SiC单晶.采用光学显微镜观察晶体纵切片,发现源于包裹体的沿生长方向延伸的微管发生转弯现象,转向后在(0001)面内延伸,同时籽晶内沿c轴延伸的微管也终止于生长界面.通过光学显微镜观察单晶生长表面形貌,发现(101n)面生长,随着n的增大层错密度逐渐减小,这与横切片的腐蚀结果相对应;随着微管的终止和层错的减少得到了无微管的高质量单晶区.     

纯金属单键半径R(1)的经验公式

鲍林给出晶体中原子的键长与单键半径的关系为:D(n)=2R(1)-O.6001gn 对某些金属上式可写成:2R(12)=2R(1)-O.600lgn其中R(12)是金属半径,n=u/12,v是原子价,12是配位数。 余瑞璜将鲍林公式修改成:     

三价锕系金属结合能的计算

三价锕系金属结合能的计算钱存富，陈秀芳，杨英天应用ＥＥＴ理论，给出了三价饲系金属结合能计算公式，得出了已经知道晶体结构的三价明系金属的结合能，这将有利于对迹系金属宏观性能的理论解释．三价锕系金属结合能的计算@钱存富，陈秀芳，杨英天...     

半绝缘碳化硅单晶衬底的研究进展

碳化硅(SiC)被认为是最重要的宽禁带半导体材料之一,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越性质.基于SiC材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,而且在高电压、高频率状态下也具有更高的可靠性.近20年来,随着材料生长技术、制造工艺与器件物理的迅速发展,SiC材料及器件在雷达...     

AIN单晶生长研究进展

AlN是一种重要的半导体材料,由于具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优越的特性,在微电子和光电子领域具有广泛的应用前景.本文综述了国际上AlN单晶生长的研究进展,对其结构特点、生长方法的选择、生长过程中的问题及存在的结构缺陷等方面进行了介绍.     

6H-SiC单晶生长温度场优化及多型控制

本文模拟了升华法生长6H-SiC单晶的不同温度场,并进行了相应的生长实验.结果表明:改变石墨坩埚和感应线圈的相对位置,可以改变温度场形状;下移石墨坩埚;可以增大温度场径向温度梯度.在不同的径向温度梯度下,6H-SiC晶体分别以凹界面、平界面和凸界面生长.晶体生长界面的形状和速率影响晶体多型的产生,在平界面,生长速率小于300μm/h的晶体生长条件下,可获得无多型的高质量6H-SiC单晶.     

BN坩埚中的AlN单晶生长

AlN是第三代直接宽带隙半导体材料的代表,具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,在制作大功率微电子器件和紫外探测器等方面,具有广泛的应用前景。A lN在光电子领域的应用潜力也不容忽视。A lN作为GaN材料的衬底,与目前广泛使用的SiC和宝石衬底相     

提高园林绿化施工管理水平的几点方法

园林绿化施工在整个绿化工作中有着不可替代的重要地位,近些年来施工管理也取得了不少卓越的成就。但从目前的发展现状分析来看,园林绿化施工管理仍然存在着诸多亟待解决和完善的问题,需要我们探索合理的手段去解决与完善。本文将在剖析施工管理存在的问题的基础上,进一步分析提高施工管理水平的良好方法,以期为园林绿化施工管理工作提供更科学的参考。