中浓纸浆在反应器内的流动特性研究

中浓纸浆是一种非常特殊的介质,中浓纸浆在升流式反应器中的运动特性关系到反应器的反应效率和反应质量.为探求中浓纸浆在升流式反应器内的流动规律,作者利用自行研制的中浓纸浆漂白试验系统采用示踪法进行了研究.结果证明:中浓纸浆在升流塔内流动时的运动和塔器的截面形状,流动速度相关.对其中气体的运移也进行了一定深度的研究.     

薄Si_xO_yN_z膜击穿机理的研究

本文在研究极薄Si_xO_yN_x膜击穿特性的基础上,探讨了氮化SiO_2膜的击穿机构,讨论了氮化影响击穿性能的因素。实验结果与理论分析表明,氮化后的SiO_2膜击穿性能的改善主要决定于膜中及表界面的微观结构的改善及成分的改变。虽然,氮化引起介质膜带隙宽度的变窄将导致击穿电场的下降,但致密的材料结构、变得平整的表界面及陷阱的影响将大大推迟击穿的发生。实验结果表明,氮化SiO_2膜的本征型击穿仍是由碰撞电离引起的;但是,在任何情况下,引起破坏性的永久击穿的原因仍是热传递。     

符号空间的拟移位和Moebius带上的奇怪吸引子

给出了双边符号空间上的一种新的拟移位映射，得到了它与传统的移位映射拓扑共轭．类似Smale马蹄，对这种拟移位映射给出了一个模型，即在Moebius带上给出一类映射．同时刻划了这类映射的吸引子的结构及动力学行为．     

加、减、乘、除、捆、插、隔、化——解排列组合问题的“八字方针”

排列与组合，虽然是组合数学中最初步的知识，但由于其思想方法较为独特灵活，以致一些学生在学习上很容易出现“一听就懂、一过就忘、一做就错”的不良情况．因此，教师在教学中非常有必要把书本知识进行活化。引导学生通过观察、比较、联想、分析、综合、抽象、概括等思维过程去理解知识、     

差分峰值鉴频电路中LC谱振频率公式的推导

对差分峰值鉴频电路外接电感，电容所组成的谐振电路的谐振频率公式进行详细推导。     

反恐怖安全检测技术的物理基础

反恐怖安全检测技术已成为人们的热门话题。安全检测技术的诞生和发展离不开物理学家的贡献。物理学为反恐怖安全检测孕育了多种手段和方法。文章简要介绍了X射线探测、γ射线探测、四极共振分析、脉冲式快中子分析、离子迁移率光谱测量、毫米波探测、声学探测、磁场探测、电磁脉冲探测等安全检测技术的物理基础。     

数学问题解答

20 0 2年 8月号问题解答(解答由问题提供人给出 )1 3 86　试证明 :有两边及一个角的角平分线对应相等的两个三角形全等 .(湖北宜昌市十一中学　是海松　443 0 0 3 )证明　设△ＡＢＣ和△Ａ′Ｂ′Ｃ′的三边分别记为ａ、ｂ、ｃ和ａ′、ｂ′、ｃ′,三条角平分线分别记为ｔａ、ｔｂ、ｔｃ和ｔａ′、ｔｂ′、ｔｃ′,半周长分别记为ｐ和ｐ′.当有两边及它们的夹角的平分线对应相等时 ,不妨设ｂ=ｂ′,ｃ =ｃ′,ｔａ =ｔａ′.由ｔａ =2ｂ+ｃ ｂｃｐ(ｐ -ａ) ,ｔａ′ =2ｂ′+ｃ′ ｂ′ｃ′ｐ′(ｐ′ -ａ′)得 :2ｂ+ｃ ｂｃｐ(ｐ -ａ) =2ｂ+ｃ ｂｃｐ…     

Total Dose Radiation Tolerance of Phase Change Memory Cell with GeSbTe Alloy

Phase change memory （PCM） cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state （higher resistance state） to the crystalline state （lower resistance state）. The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low （only several μA）. An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad（Si）, which makes it attractive for space-based applications.