全文获取类型
收费全文 | 468篇 |
免费 | 63篇 |
国内免费 | 132篇 |
专业分类
化学 | 173篇 |
晶体学 | 6篇 |
力学 | 12篇 |
综合类 | 10篇 |
数学 | 18篇 |
物理学 | 90篇 |
综合类 | 354篇 |
出版年
2024年 | 8篇 |
2023年 | 15篇 |
2022年 | 27篇 |
2021年 | 24篇 |
2020年 | 14篇 |
2019年 | 14篇 |
2018年 | 26篇 |
2017年 | 11篇 |
2016年 | 19篇 |
2015年 | 14篇 |
2014年 | 43篇 |
2013年 | 32篇 |
2012年 | 24篇 |
2011年 | 32篇 |
2010年 | 43篇 |
2009年 | 49篇 |
2008年 | 35篇 |
2007年 | 17篇 |
2006年 | 46篇 |
2005年 | 28篇 |
2004年 | 22篇 |
2003年 | 19篇 |
2002年 | 12篇 |
2001年 | 24篇 |
2000年 | 21篇 |
1999年 | 8篇 |
1998年 | 4篇 |
1997年 | 3篇 |
1996年 | 9篇 |
1995年 | 7篇 |
1994年 | 2篇 |
1993年 | 1篇 |
1990年 | 1篇 |
1989年 | 1篇 |
1988年 | 2篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 1篇 |
1984年 | 1篇 |
1983年 | 1篇 |
1981年 | 1篇 |
排序方式: 共有663条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
A Multiple Resonant Mode Film Bulk Acoustic Resonator Based on Silicon-on-Insulator Structures
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理快报》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
With the rapid development of wireless technol- ogy, the demand for integrating multi-band devices has spurred substantial research interest. Research on CMOS compatible radio-frequency (rf) devices has also attracted significant attention. The resonant frequency of film bulk acoustic resonators (FBARs) is mainly determined by the thickness of the piezo- electric film, complicating the integration of differ- ent frequencies on a single chip. One report real- ized multiple resonant frequencies around 2.0 GHz by changing the quality of the electrode. Another re- port obtained the 2.5 GHz main frequency response with a quality factor (Q) of 101.8 and some spuri- ous resonances, while these spurious resonances were irregular. 相似文献
103.
为了研究强磁场对蒸镀法制备Co3O4薄膜结构影响,以提高该材料的取向性,改善Co3O4薄膜的磁学性能,该文以99.99%的Co为原料,分别在无磁场和强磁场条件下低真空热蒸镀Co3O4薄膜,采用扫描电子显微镜、X射线衍射和振动样品磁强计研究了以Si(111)为基底的Co3O4薄膜晶粒尺寸、取向和磁性能。结果表明:随着磁场强度增加至4T,晶粒尺寸由200 nm减至20 nm,晶体由杂乱取向排列转为平行于磁场方向取向生长,薄膜的矫顽力减小,矩磁比增大至0.81。结果表明:强磁场对蒸镀法制备Co3O4薄膜晶粒的大小和取向有显著影响,能显著提高材料的矩磁比。 相似文献
104.
105.
为了研究强磁场对蒸镀法制备Co3O4薄膜结构影响,以提高该材料的取向性,改善Co3O4薄膜的磁学性能,该文以99.99%的Co为原料,分别在无磁场和强磁场条件下低真空热蒸镀Co3O4薄膜,采用扫描电子显微镜、X射线衍射和振动样品磁强计研究了以Si(111)为基底的Co3O4薄膜晶粒尺寸、取向和磁性能。结果表明:随着磁场强度增加至4T,晶粒尺寸由200 nm减至20 nm,晶体由杂乱取向排列转为平行于磁场方向取向生长,薄膜的矫顽力减小,矩磁比增大至0.81。结果表明:强磁场对蒸镀法制备Co3O4薄膜晶粒的大小和取向有显著影响,能显著提高材料的矩磁比。 相似文献
106.
天然彩棉的结晶度和取向度研究 总被引:3,自引:0,他引:3
用X射线衍射方法研究了天然彩棉、白棉和染色棉的结晶度和取向度,结果表明:天然彩棉的结晶度和取向度明显小于染色棉,但与白棉的差异并不明显,且天然彩棉和白棉的结晶度和取向度因产地不同而有所差异,无规律可寻.在研究取向状态时,发现天然绿色棉呈现两个特征:一是(040)晶面的衍射峰显著低于(200)晶面;二是(002)晶面衍射的强度分布与天然棕色棉、白棉和染色棉明显不同.这两个特征可用于鉴别天然绿色棉的真伪. 相似文献
107.
108.
109.
纳米α-Fe~2O~3的XANES研究 总被引:2,自引:0,他引:2
选择纳米α-Fe~2O~3体系,运用X射线近边吸收谱(XANES)技术对纳米材料进行分析。结果表明,三种尺寸的纳米α-Fe~2O~3样品(颗粒尺寸分别是3nm,10nm和55nm)与粗颗粒商品的氧K边XANES谱的不同之处在于,纳米样品出现了一个新的吸收B峰。研究揭示,该峰可能是纳米α-Fe~2O~3中晶界部分氧的2p-4sp杂化所产生的一个新电子跃迁末态造成的。进一步的研究表明,随着纳米α-Fe~2O~3的粒子尺寸减小,氧的2p轨道和铁的3d轨道杂化增加,主要体现在2p-e~g杂化程度加剧,使得纳米颗粒中铁周围的氧配位八面体畸变程度加强。最后,通过对3nm样品在研磨和不研磨两种制样方式获得的氧K边XANES谱分析,证实纳米粒子体系中存在特殊的协同作用力。 相似文献
110.
选择纳米α -Fe2 O3体系 ,运用X射线近边吸收谱 (XANES)技术对纳米材料进行分析 .结果表明 ,三种尺寸的纳米α -Fe2 O3样品 (颗粒尺寸分别是 3nm ,10nm和 5 5nm)与粗颗粒商品的氧K边XANES谱的不同之处在于 ,纳米样品出现了一个新的吸收B峰 .研究揭示 ,该峰可能是纳米α -Fe2 O3中晶界部分氧的 2p - 4sp杂化所产生的一个新电子跃迁末态造成的 .进一步的研究表明 ,随着纳米α -Fe2 O3的粒子尺寸减小 ,氧的 2p轨道和铁的 3d轨道杂化增加 ,主要体现在 2p -eg 杂化程度加剧 ,使得纳米颗粒中铁周围的氧配位八面体畸变程度加强 .最后 ,通过对 3nm样品在研磨和不研磨两种制样方式获得的氧K边XANES谱分析 ,证实纳米粒子体系中存在特殊的协同作用力 相似文献