光纤转动引起光纤光谱效率变化与改正

光纤的焦比退化(focal ratio degradation)是光纤光谱效率损失的重要原因之一。光纤在安装和每次定位过程中,光纤的转动和扭曲会引起光纤焦比退化发生变化,从而改变光纤的传输效率,每根光纤由此造成的传输效率变化都会存在差异。而这样的效率差异无法用通常天文观测中使用的晨昏天光平场或者圆顶平场改正。减天光是光纤光谱数据处理中决定光谱质量的重要环节。减天光处理要求对不同光纤的传输效率进行归一化处理,以扣除不同光纤之间传输效率差异导致的天光背景测量的误差。对于与天光背景亮度接近乃至更暗的观测目标而言,光纤传输效率的改正精度决定了减天光的精度。测试了LAMOST望远镜光纤转动对光纤传输效率的影响情况。在检查了光谱中天光发射线强度与光纤传输效率的关系,和验证了光纤效率变化与波长变化相对独立的基础上,提出并且证实了通过测量各光纤中天光发射线强度作为光纤相对效率变化量来改正光纤效率差异的方法是可行的。这种方法已经被应用到LAMOST二维光谱处理当中。     

A Unique Method to Describe the Bonding Strength in a Bonded Solid-S-olid Interface by Contact Acoustic Nonlinearity

We present a unique method to describe the bonding strength at a bonded solid-solid interface in a multilayered composite material by contact acoustic nonlinearity （CAN） parameter. A CAN model on the bonded solid-solid interface is depicted. It can be seen from the model that CAN parameter is very sensitive to the bonding strength at the interface. When an incident focusing acoustic longitudinal wave scans the interface in two dimensions, the transmitted wave can be used to extract CAN parameter. The contour of the bonding strength for a sample is obtained by CAN parameter. The results show that the region with weak bonding strength can be easily distinguished from the contour.     

多尺度和多方向特征的图像去噪

提出一种基于多尺度和多方向的自适应图像阈值去噪方法。先对图像进行非下采样Contourlet变换得到不同尺度和不同方向上的变换系数,然后根据变换系数特征,引入尺度和方向阈值因子,用分解尺度系数的均值和区域能量表示图像的纹理信息。在相同分解尺度下,区域能量越大,表示该方向具有更多的纹理信息,阈值应该设置就越低,反之阈值就越大。根据尺度和方向阈值因子,自适应地确定图像去噪的阈值。最后对变换系数进行反变换,实现图像去噪。实验结果表明,与小波变换和Contourlet变换相比,保留了更多的图像轮廓细节,提高了图像的质量。     

无线传感器网络中基于网络编码的容错路由

针对无线传感器网络中节点被窃听和盗用对数据安全传输所带来的影响,提出了一种基于网络编码的容错路由(fault-tolerant routing based on network coding,FR-NC).该路由算法利用网络中大多数节点能正确传输数据的特点,通过选举保证数据一致性,从而防止了盗用节点对数据的篡改;同时对随机编码系数进行加密,起到了对数据安全的监督和保护作用.通过对实验结果的分析,可以发现当网络中存在一定数量的盗用节点时,FR-NC具有较好的健壮性.     

升温程序对6H-SiC晶体生长初期籽晶石墨化的影响

本文利用有限元方法模拟不同升温程序对籽晶石墨化的影响,计算表明籽晶表面石墨化层厚度是由“倒温度差”区间的温度、持续时间和“倒温度差”绝对值综合决定.在升温程序初期可以采用较小功率阶梯加热,迅速升温节约时间;中期可以采用从现有功率线性加热至额定功率,这样使得籽晶原料“倒温度差”区间内温度值变小且减缓反应;同时还使“倒温度差”绝对值减小,抑制籽晶和原料间的输运.同时籽晶石墨化实验通过元素线扫描测量出石墨层厚度,也证实了理论计算的结果.     

New insight into the parasitic bipolar amplification effect in single event transient production

In this paper, a new method is proposed to study the mechanism of charge collection in single event transient (SET) production in 90 nm bulk complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology. We find that different from the case in the pMOSFET, the parasitic bipolar amplification effect (bipolar effect) in the balanced inverter does not exist in the nMOSFET after the ion striking. The influence of the substrate process on the bipolar effect is also studied in the pMOSFET. We find that the bipolar effect can be effectively mitigated by a buried deep P⁺-well layer and can be removed by a buried SO₂ layer.     

WPS软件在物理实验数据处理中的应用

WPS软件作为金山公司的一款应用软件,在物理实验的数据处理方面有着广阔的应用前景。重点介绍WPS在用霍尔元件测螺线管轴向磁感应强度和计算不确定度的实验数据处理,如制表、绘图、公式运算、结果分析等方面应用,软件很好的从表格、图像等方面展示出了实验结果,表明了WPS软件在数据处理方面的很好功能。     

基于决策树桩的元特征提取

“No Free Lunch”定理表明:若无任何先验假设,则没有理由认为一种算法优于另一种算法.算法的性能与问题的元特征密切相关.目前的元特征提取方法只关注从数据集中提取元特征,而忽略了候选算法元特征的提取.为此,在原有元特征集合的基础上提出基于决策树桩的元特征提取方法,将候选算法信息纳入新的元特征集合中.实验表明:在传统元特征集合中加入基于决策树桩的元特征后,算法排序的预测准确率能够得到显著提高.     

基于BiFeO_3/ITO复合膜表面钝化的黑硅太阳电池性能研究

采用金属银辅助化学刻蚀法在制绒的硅片表面刻蚀纳米孔形成微纳米双层结构,以期获得高吸收率的太阳能电池用黑硅材料.鉴于微纳米结构会在晶硅表面引入大量的载流子复合中心,利用磁控溅射技术在黑硅太阳电池表面制备了BiFeO_3/ITO复合膜,并对其表面性能和优化效果进行了探索.实验制备的具有微纳米双层结构的黑硅纳米线长约180—320 nm,在300—1000 nm波长范围内入射光反射率均在5%以下.沉积BiFeO_3/ITO复合薄膜后的黑硅太阳能电池反射率略有提高,但仍然具有较强的光吸收性能;采用BiFeO_3/ITO复合膜的黑硅太阳能电池开路电压和短路电流密度分别由最初的0.61 V和28.42 mA/cm~2提升至0.68 V和34.57 mA/cm~2,相应电池的光电转化效率由13.3%上升至16.8%.电池综合性能的改善主要是因为沉积BiFeO_3/ITO复合膜提高了电池光生载流子的有效分离,从而增强了黑硅太阳电池短波区域的光谱响应,表明具有自发极化性能的BiFeO_3薄膜对黑硅太阳能电池的表面性能可起到较好的优化作用.     

Mechanism of floating body effect mitigation via cutting off source injection in a fully-depleted silicon-on-insulator technology

In this paper, the effect of floating body effect(FBE) on a single event transient generation mechanism in fully depleted(FD) silicon-on-insulator(SOI) technology is investigated using three-dimensional technology computer-aided design(3DTCAD) numerical simulation. The results indicate that the main SET generation mechanism is not carrier drift/diffusion but floating body effect(FBE) whether for positive or negative channel metal oxide semiconductor(PMOS or NMOS). Two stacking layout designs mitigating FBE are investigated as well, and the results indicate that the in-line stacking(IS) layout can mitigate FBE completely and is area penalty saving compared with the conventional stacking layout.