Low thermal expansion and broad band photoluminescence of Zr_(0.1)Al_(1.9)Mo_(2.9)V_(0.1)O_(12)

A new material of Zr0.1Al1.9Mo2.9V0.1O12 is synthesized by the traditional solid state synthesis method.The phase transition,coefficient of thermal expansion,and luminescence properties of Zr0.1Al1.9Mo2.9V0.1O12 are explored with Raman spectrometer,dilatometer,and x-ray diffraction(XRD)diffractometer.The results show that the Zr0.1Al1.9Mo2.9V0.1O12 possesses the strong broad-band luminescence characteristics almost in the whole visible region.The sample is crystallized in a monoclinic structure group of P21/a(No.14)crystallized at room temperature(RT).The crystal is changed from monoclinic to orthorhombic structure when the temperature increases to 463 K.The material has very low thermal expansion performance in a wide temperature range.Its excellent low thermal expansion and strong pale green light properties in a wide temperature range suggest its potential applications in light-emitting diode(LED)and other optoelectronic devices.     

硬脂酸镉和山嵛酸镉混合LB膜的微结构

用X射线衍射研究了沉积于亲水玻璃基底上的硬脂酸镉和山嵛酸镉多层混合LB膜的微区结构和相分离情况．纯的脂肪酸镉衍射峰没有在混合LB膜的XRD谱图中出现,说明混合膜中形成的微区很小而且均匀分布．混合膜样品的面间距随硬脂酸镉和山嵛酸镉混合比例的变化形成一条台阶状的曲线,这表明在它们比例变化的过程中,只形成了三种有序的结构,而且每一种结构,特别是长短链交错的微结构,可以在一定的比例范围内保持;另外,在长短链交错的微结构中,两种脂肪酸长链具有相同的偏离膜平面法线方向的小倾角,这也可由它们傅立叶红外透射谱中表征脂肪酸长链分子取向的亚甲基CH2相同的峰位2847.80和2914.37 cm-1(对应于CH2对称和反对称伸缩振动)得到说明．当混合比例超出1/5?1/1,混合膜将会经历一个纵向有序度降低的过程,表现为混合膜相对X射线衍射强度随混合比例以\W"形变化．     

弥散铁电陶瓷的峰值介电常数对频率的依赖关系研究

采用传统固相合成法制备了锆掺杂的钛酸钡陶瓷Ba(Zr0.15Ti0.85)O3(BZT),并对其介电性能进行了研究.发现1 280℃烧结的BZT陶瓷的介电性能呈现明显的弥散性相变和弛豫特点.用Smolenski成分起伏理论结合德拜弛豫理论计算了BZT的介电常数峰值εrm与频率的关系,与实验结果吻合较好.     

入境废物原料浸出液毒性试验方法探讨

在分析入境危险废物浸出毒性试验方法的基础上,针对入境废物原料浸出液毒性试验方法,按照我国对危险废物浸出毒性试验方法基本要求内容,对确定的14种浸出物质试验方法进行了探讨,并将该法有效运用于对入境可用作原料的工业品废物环控指标普查的工作之中。     

入境废纺织品pH值测定方法选用及其影响因子的探讨

为入境废纺织品环境指标之pH检测（表征废物原料的腐蚀性）找到快速有效检测方法．通过比对确定采用平头电极测定废纺织品的表面pH值的方法．经过对各影响因子的讨论，废纺织品表面pH值检测方法具有快速有效准确特点，可以替代水萃取液pH值测定．建议使用表面pH值检测方法作为检验检疫行业标准推荐的测试方法．     

半导体SiC材料研究进展及其应用

作为第三代的半导体材料,SiC具有带隙宽,热导率高、电子的饱和漂移速度大,临界击穿电场高和介电常数低,化学稳定性好等特点,在高频、大功率、耐高温,抗辐照的半导体器件及紫外探测器等方面具有广泛的应用前景。文章综述了碳化硅的发展历史,介绍了SiC材料的生长工艺技术,并简要讨论了SiC器件主要应用领域和前景。     

金刚石纳米粉引晶方法制备金刚石薄膜方法

利用金刚石纳米粉引晶法和常规研磨方法分别在单晶硅衬底上制备金刚石薄膜,并采用扫描电镜、激光拉曼方法对所制备样品进行表征,通过SEM和拉曼谱分析,与研磨法生长金刚石薄膜相比,利用金刚石纳米粉引晶方法可以大大提高金刚石薄膜的成核速度,生长速率达到2μm/h以上。对相同碳源浓度下生长的金刚石薄膜样品的SEM和拉曼谱分析,采用引晶法生长的金刚石薄膜质量明显高于研磨法。     

高温快速固相烧结合成Zr1-xHfxW2O8的Raman光谱研究

首次采用高温快速固相烧结的方法合成了Zr1-x Hfx W2O8(x=0, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5, 0.6, 1)固溶体。合适的合成条件为: 温度1573~1693 K, 时间10 min~1 h, 该方法使合成时间和能耗比传统固相反应烧结显著降低。Zr1-x Hfx W2O8的晶胞参数与晶胞体积随Hf4+含量的增加而减小。合成的样品晶粒尺寸比常规固相烧结合成样品的颗粒尺寸较小, 颗粒大小在1～10 μm之间。拉曼光谱分析表明, Zr1-xHfxW2O8(0相似文献   

1995年诺贝尔物理学奖简介

 瑞典皇家科学院决定对轻子物理学先驱性实验贡献颁发1995年诺贝尔物理学奖,其中一半授予美国加州斯坦福大学的马丁·佩尔(MartinL.Perl),奖励他发现了τ轻子.     

全息光栅制作光路的比较研究

利用两束平行光相干叠加制作全息光栅具有成本低、易实现的优点。平息光栅的制作作为设计件实验具有灵活、多样性,值得推广。本文根据两束相干平行光产生机理,将全息光栅制作分为分振幅法和分波面法两大类型。在分析比较常见的7种不同光路的基础上,又提出了菲涅尔双面镜、杨氏双缝和洛埃镜法三种光路。这些结果对学生实验和实际全息光栅制造具有指导意义。