钢箱边界效应振动台试验研究

为分析桩的动力响应和钢箱的边界效应,设计一个带有泡沫边界、滑动边界以及摩擦边界的钢箱,并进行桩土相互作用的振动台试验.试验结果表明:1)惯性效应作用下,桩顶的地震响应最大;2)钢箱不同埋深处,地震响应不一,底部最小,中部大于底部和上部;3)泡沫边界会影响土体内介质的加速度响应——无泡沫边界情况下土体内介质的加速度响应偏大.所以,在进行桩土动力相互作用的振动台试验时建议增设泡沫边界.     

我国城镇化与城乡居民收入差距关系研究

城镇化对城乡居民收入差距的影响广受关注,通过对1985-2012年全国城镇化率与城乡居民收入比时序数据、31个地区2012年的横截面数据进行分析,发现我国城镇化水平与城乡居民收入差距关系呈现倒U型关系,与美、日、韩三国关系一致;通过数学模型估计得到,我国城乡居民收入差距演变趋势的拐点出现在城镇化率为51.4%的水平,我国城乡居民收入差距2011年已经进入拐点;未来要缩小我国城乡居民收入差距,需要继续推进城镇化建设、积极发展中西部地区、有效利用政府政策措施.     

γ射线辐照降解壳聚糖的研究

采用γ射线辐照分子量为４５０ｋｄ天然壳聚糖溶液,分析了辐照强度及辐照时间与降解产物粘均分子量,还原糖分子及分子量均一性之间的关系,并通过分级得到了若干平均分子量的低聚壳聚糖,结果表明,降解产物粘均分子量及还原糖分子量随着辐照强度及辐照时间的增加而减小,并且降解产物分子量的均一程度随着辐照剂量的提高而提高。     

环境温度影响下基于LSTM神经网络识别结构损伤

环境温度的改变会引起模态参数的变化,其变化程度会掩盖或部分掩盖损伤引起的变化量,导致结构健康监测系统发出假阳性或假阴性的误判,因此,消除温度效应是提高损伤识别精度的关键。本文基于LSTM神经网络提出了一种环境温度影响下识别结构损伤的方法。充分利用LSTM神经网络的非线性映射优势,建立多元温度-模态频率的相关模型,在此基础上采用数据标准化方法消除温度效应,并结合控制图判断模态频率异常变化以确定损伤状况。最后将所提方法在数值模型和实际桥梁中加以应用,结果表明,方法能够有效消除温度效应;结合控制图能识别损伤时刻,并具有一定的抗噪性;在实桥数据分析中仍能表现出较好的损伤敏感性。     

具有双Allee效应的时滞扩散捕食-食饵模型的时空动力学

研究了一类具有双Allee效应的时滞扩散捕食-食饵模型。以Allee阈值和时滞为分支参数,利用特征方程和分析技巧讨论了该模型正平衡点的稳定性、扩散诱发的Turing不稳定和时滞诱发的Hopf分支问题。最后,通过数值模拟,获得了该模型的空间周期解和时空斑图,并验证了所得结果的正确性。     

新疆两河源自然保护区鼓藻属植物分布新资料

报道了采自新疆两河源国家级自然保护区的鼓藻属(绿藻门)新疆新记录植物9种,包括3种5变种1变型,分别为厚皮鼓藻增厚变种C. pachydermum var. incrassatum Scottet et Gr?nblad、圆齿鼓藻圆齿变种博尔变型C. crenatum var. crenatum f. boldtiana (Gutwinski) West & West、帽状鼓藻C. galeretum Nordsted、近缘鼓藻C. connatum Ralfs、穿孔纹鼓藻斯科亚变种C. perforatum var. skujae Gr?nblad、方形鼓藻C. quadratum Ralfs、亚脊鼓藻贝克变种C. subcostatum var. beckii (Gutwinski) West & West、四眼鼓藻C. tetraophthalmum Ralfs、特平鼓藻拔萃变种C. turpinii var.eximium West & West.对每一个种(包括变种及变型)的形态分类学特征进行了详细的描述,编制了检索表,丰富了新疆鼓藻类植物研究资料.     

工业污水处理厂功能恢复及提标实例分析

随着企业的发展,对回用水质的要求日趋严格,很多早期建设的污水处理厂设计标准较低,出水水质达不到回用要求,需进行提标改造。污水处理厂是实现节能减排、环保工作的重要工艺单元,在市政、工业生产中广泛应用,早期建设的污水处理厂存在设备老化、工艺落后等问题,难以达到新的产水要求。文章以工业污水处理厂功能性恢复及提标改造实例进行分析,给相关工作以一定参考。     

铌酸锂衬底上磁控溅射ITO薄膜及其光电性质研究

在铌酸锂(LN)晶体衬底上磁控溅射铟锡氧化物(ITO)薄膜,研究了射频磁控溅射制备ITO/LN薄膜的最佳工艺.采用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)分析了透明导电ITO膜的制备工艺参数对薄膜表面形貌和晶体结构的影响,同时应用四探针电阻率测量和紫外可见光谱测量技术对所研制的ITO/LN膜的光电性质进行了研究.结果表明,衬底温度为320℃,溅射时间50 min时制备的ITO/LN薄膜具有最佳光电性质,在该条件制备出薄膜的电阻率为3.41×10-4Ω·cm,ITO/LN平均可见光透光率可达74.38;,平均透光率比LN衬底提高了1.1;.应用该溅射条件制备了泰伯效应位相阵列器,其近场衍射成像的相对光强可达0.67.