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71.
72.
测量了四-(叔丁基)-四氮杂卟啉金属配合物(MT(tBu)TAP,M=Cu, Co, Ni, Zn)的拉曼和红外光谱. 在B3LYP理论水平上计算了其基态结构和振动光谱,基于计算结果对观察到的拉曼谱带进行了详细的指认. 考察了拉曼和红外谱带频率变化与四氮杂卟啉环结构的关系. 随着环内核尺寸的减小,CβCβ′伸缩振动(Ag)、CαNm反对称伸缩振动(Ag)、以及CαNm对称伸缩振动(Bg) 的频率线性地增加,其中后两者对环内核尺寸的变化更为敏感. 相似文献
73.
用B3LYP/6 31+G(d)和MP2 (Full) /6 31+G(d)优化ClONO2 及其分解反应和异构化反应的过渡态和产物的分子结构 .在B3LYP/6 31+G(d)水平上计算了相关分子的振动频率 .ClONO2 的几何结构、振动频率和红外强度与实验测量值符合得很好 .找到了未曾报道的立体异构体 .对这一立体异构体进行了高级别理论方法CCSD(T) /6 311G(d)和QCISD(T) /6 311G(d)的几何结构优化和振动频率计算 ,表明它是一个稳定的立体异构体 .在所研究的几种反应中 ,ClONO2 分解为NO2 +ClO是最容易进行的反应 .而ClONO2 异构为立体异构体的反应是最难进行的反应 .其所需克服的过渡态的能垒为 4 81.5 2kJ/mol,而反应吸收能量为 2 99.85kJ/mol.次难进行的是ClONO2 经TS1到反应中间体M1,再经TS12而分解为ClNO +O2 的反应 .这个反应通道所需克服过渡态的能垒为 4 2 1.5 5kJ/mol,反应吸收能量为 15 7.98kJ/mol.从以上分析可知 ,和ClO +NO2 反应生成ClONO2 比较 ,ClONO2 具有较好的稳定性 . 相似文献
74.
四苯基卟啉及其金属配合物在溴化银胶体上的表面增强喇曼光谱研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了四苯基卟啉(H2TPP)及其金属配合物(AgTPP和MgTPP)在AgBr胶体上的表面增强喇曼光谱(SERS)。SERS光谱表明,吸附在ArBr胶体粒子表面的MgTPP和H2TPP分子分别发生银离子交换和银配位反应生成AgTPP,这种表面反应可能与激光照射有关。AgTPP分子在胶体粒表面的吸附导致卟啉大环的非平面化,使v8振动(M-N键伸缩振动)向高波数方向移动近10cm^-1。632.8nm激发下的表面喇曼谱以化学增强为主,而488.0nm激发下表面喇曼谱除化学增强效应外,还存在共振增强效应。 相似文献
75.
激光诱导击穿光谱(LIBS)谱线具有很窄的展宽,且光谱仪因外界温度条件的变化存在波长漂移,光谱数据为离散数字信号,受噪声、谱线重叠及连续背景的影响,信号存在失真和变形。而目前光谱仪自带谱线识别分析软件主要以"就近原则"为主,错误率较高,必须依赖于人眼的观察对比。针对这个问题,在研究LIBS光谱特性的基础上,提出了一种窗口可变滑动相关分析方法(CAASW),用于激光诱导击穿光谱谱线自动识别。以土壤标准物质为样品,对该方法进行了实验分析和评价,与光谱仪自带分析识别软件相比,CAASW明显提高了识别准确率和识别速度,最终实现了谱线的自动识别。 相似文献
76.
研究了近激子吸收带激发下四-(4-吡啶基)卟啉二酸(H8TPyP6+)聚集体的共振拉曼光谱.测量了H8TPyP6+单体和聚集体的紫外可见吸收谱和共振光散射光谱.在氘代位移的基础上结合相关体系振动光谱研究,对测得的H8TPyP6+)单体和聚集体的拉曼谱带进行了指认.聚集体的形成导致H8TPyP6+的卟啉环CC/CN面内伸缩振动向低波数方向位移2~6 cm-1,而卟啉环鞍形面外振动带向高波数方向位移12cm-1.基于拉曼谱带的强度和频率变化分析了聚集引起的H8TPyP6+分子内结构变化和分子间氢键作用 相似文献
77.
在B3LYP/ 6 311++G(2d ,2p)水平上 ,优化得到硝基甲烷CH3 NO2 的 10种异构体和 2 3个异构化反应过渡态 ,并用G2MP2方法进行了单点能计算 .根据计算得到的G2MP2相对能量 ,探讨了CH3 NO2 势能面上异构化反应的微观机理 .研究表明 ,反应初始阶段的CH3 NO2 异构化过程具有较高的能垒 ,其中CH3 NO2 的两个主要异构化反应通道 ,即CH3 NO2 →CH3 ONO和CH3 NO2 →CH2 N(O)OH的活化能分别为 2 70 .3和 2 6 7.8kJ/mol,均高于CH3 NO2的C -N键离解能 .因而 ,从动力学角度考虑 ,CH3 NO2 的异构化反应较为不利 . 相似文献
78.
Analysis of the generation mechanism of the S-shaped J—V curves of MoS2/Si-based solar cells
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Amorphous-microcrystalline MoS$_{2}$ thin films are fabricated using the sol-gel method to produce MoS$_{2}$/Si-based solar cells. The generation mechanisms of the S-shaped current density-voltage ($J$-$V$) curves of the solar cells are analyzed. To improve the performance of the solar cells and address the problem of the S-shaped $J$-$V$ curve, a MoS$_{2}$ film and a p$^+$ layer are introduced into the front and back interfaces of the solar cell, respectively, which leads to the formation of a p-n junction between the p-Si and the MoS$_{2}$ film as well as ohmic contacts between the MoS$_{2}$ film and the ITO, improving the S-shaped $J$-$V$ curve. As a result of the high doping characteristics and the high work function of the p$^+$ layer, a high-low junction is formed between the p$^+$ and p layers along with ohmic contacts between the p$^+$ layer and the Ag electrode. Consequently, the S-shaped $J$-$V$ curve is eliminated, and a significantly higher current density is achieved at a high voltage. The device exhibits ideal p-n junction rectification characteristics and achieves a high power-conversion efficiency (CE) of 7.55%. The findings of this study may improve the application of MoS$_{2}$ thin films in silicon-based solar cells, which are expected to be widely used in various silicon-based electronic and optical devices. 相似文献
80.