Charge Transport and Magnetotransport Properties of Polyimide Irradiated by 80keV Co Ions

Charge transport properties of polyimide films implanted with 80 keV Co ions at two different fluences （series I： 1.25 × 10^17 ions/cm^2, series Ⅱ： 1.75 × 10^17 ions/cm^2） are studied in detail. For series I, the temperature dependence of surface resistivity fits Mott＇s equation very well. It is on the insulating side of the insulator-metal transition （IMT）. However, for series Ⅱ, the temperature dependence of surface resistivity is not in agreement with Mott＇s equation. It is on the metallic side of lMT. The magnetotransport properties of these two series are also studied. No significant magnetoresistive effect is observed for series I at both 5 K and 300 K. For series Ⅱ, an obvious magnetoresistive effect is observed at 5 K, while there is no magnetoresistive effect at 300 K. Rutherford backscattering spectrometry （RBS） is applied to confirm the actual fluence for these two series.     

Study of depth-dependent tetragonal distortion of quaternary AIInGaN epilayer by Rutherford backscattering/channeling

<正>A 240-nm thick Al_0.4In_0.02Ga_0.58N layer is grown by metal organic chemical vapour deposition,with an over 1-μm thick GaN layer used as a buffer layer on a substrate of sapphire（0001）.Rutherford backscattering and channeling are used to characterize the microstructure of AlInGaN.The results show a good crystalline quality of AlInGaN(x_min= 1.5%) with GaN buffer layer.The channeling angular scan around an off-normal（1213） axis in the {1010} plane of the AlInGaN layer is used to determine tetragonal distortion e_T,which is caused by the elastic strain in the AlInGaN.The resulting AlInGaN is subjected to an elastic strain at interfacial layer,and the strain decreases gradually towards the near-surface layer.It is expected that an epitaxial AlInGaN thin film with a thickness of 850 nm will be fully relaxed （e_T=0）.     

一个捕食模型非常数正解的存在性

讨论一个带有齐次Neumann边界条件的强耦合捕食模型,给出了非常数正解的存在性.     

用表面裂纹法研究表面强化层的疲劳裂纹扩展抗力

本文采用表面裂纹法研究了碳氮共渗、氮化及滚压强化层的疲劳裂纹扩展抗力。与常规的紧凑拉伸试验法相比，前者能灵敏地反映出表面强化层组织及性能的影响，后者却难于实现。试验证实碳氮共渗层中由于残留奥氏体应变诱发马氏体，导致疲劳裂纹扩展抗力提高；滚压强化及渗氮均能提高表面压应力，也使疲劳裂纹扩展抗力明显提高。     

氨基酸分析仪法快速检测土鳖虫中谷氨酸含量

采用氨基酸分析仪建立了土鳖虫中谷氨酸含量的检测方法,比较不同浓度的盐酸以及不同料液比、提取时间对土鳖虫中谷氨酸提取效果的影响。结果表明,土鳖虫中谷氨酸的最佳提取工艺为6 mol/L 的盐酸消解,料液比1:1（mg/mL）,水解时间22 h,建立的谷氨酸分析仪法回收率为99.2%,精密度试验相对标准偏差为0.19%,不同地区土鳖虫中谷氨酸质量分数存在较明显差异,范围为1.068%~1.149%。该方法重现性好、快速高效、操作简便,适用于土鳖虫中氨基酸含量的检测,可为其质量控制及资源深入开发提供技术支持。     

基于Flash的物体运动编程方法

用Flash编程实现物体的运动，绘制运动轨迹、运动曲线和函数图形，制作交互式多媒体课件，极大地方便了物理、数学的教学，结合实例详尽地说明使用Flash电影剪辑对物体运动进行编程的方法。     

基于MATLAB的“信号与系统”软件实验系统设计与实践

本文利用MATLAB可视化编程语言开发了一套＂信号与系统＂实验仿真系统,对实验系统的开发背景、开发平台软件作了简要介绍。该系统界面友好,操作简单,参数设置方便,输出结果准确直观,为＂信号与系统＂实验提供了一种新的实现手段。软件虚拟实验必将成为该课程实验教学的发展方向。     

多通道并行访问模式下的闪存静态损耗均衡设计

静态损耗均衡算法决定了固态闪存存储系统的使用寿命。为了提高多通道并行访问模式下的闪存系统寿命,提出了一种主动搬移静态数据的静态损耗均衡设计。该设计在多通道并行访问模式下,根据擦除标志位,采用轮询法主动挑选静态数据块并加入待擦除块队列,从而减小各物理块之间的损耗不均衡程度。实验结果表明:该设计能提高平均擦除次数至少8.33%,有效降低并行访问模式下的损耗不均衡程度至少5.39%。该文还对影响损耗均衡程度的触发阈值进行了分析,提出了在选择触发阈值时,需要综合考虑损耗均衡情况和系统速度。     

2021中国创新创业成果交易会在广州举行

 12月10日，2021中国创新创业成果交易会（简称创交会）在广州举办，主题为“赋能双循环、助力新发展”，由中国科协、国家发展改革委、中国科学院、中国工程院、九三学社中央、广东省政府、广州市政府共同主办。中国科协党组书记、分管日常工作副主席、书记处第一书记张玉卓视频致辞。