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11.
本文给出了MkdV方程族的换位表示及一个有限维对合系,并讨论了Bargmann约束和C.Neumann约束及其相应的定态MkdV系统。最后,我们得到MKdV方程族的对合解。 相似文献
12.
层流液柱吸收法测定气体在液相中的扩散系数 总被引:2,自引:0,他引:2
采用射流吸收的简捷方法,通过测定由Shouthwell型孔板所产生的截面速度均匀的层流喷射液柱所吸收的气体量,由渗透理论所导出的模型,可计算出一定温度、压力下的微溶气体在液相中的分子扩散系数D。在温度为30~45℃的范围,测试结果与文献值吻合良好. 相似文献
13.
本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1. 相似文献
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