河南省煤炭矿区生态环境损失评价及补偿机制研究

对因采煤活动而造成的煤矿区生态功能的损害进行补偿,以避免煤矿区生态环境遭受持续性破坏,促进矿区生态系统良性循环发展为目的。在充分分析损害现状的基础上,建立以法律法规为保障,以经济作为调节手段,矿区生态治理和修复为主要内容的生态环境保护机制。     

活性炭在最佳构型旋风除尘器中的分离效率

<正>一前言 近年来,扩散式旋风除尘器(CLK型)在活性炭和栲胶等粉尘的产品回收中得到广泛应用。使用得当的扩散式旋风除尘器能提高产品的回收率,但存在设备庞大,流体阻力大等弊病。故探索具有分离效率高而流体阻力小的旋风除尘设备,对提高产品回收率,降低动力消耗,减少环境污染,以提高经济效益,是很有意义的。 文献指出:依据旋风除尘器里气流的流动型式及所谓“旋风自然长”的理论进行设计,可研制成一种满足效率高、压降低要求的旋风除尘器结构型式。为区别于其他构型旋风除尘器,将它称为“最佳构型”旋风除尘器。为此,我们用活性炭对它测定了总效率及粒级效率,并与目前采用的某些定型设备作对比。实验结果证实:“最佳构型”旋风除尘器的性能比林化行业中目前采用的CLT/A型、CLP/B型及扩散式等旋风分离器,在同一操作条件下,具有粒级效率高、压降低的优点。     

一类线性内部奇点边值问题的区间分段求解

本文对一类线性的、具有单个内部奇点的奇异边值问题采用区间分段处理,从而较好地刻画解的奇异行为。文中给出的数值例子说明了求解该类问题的具体方法与步骤,其计算结果表明,该方法是有效的。     

一类线性奇异边值问题的区间分段求解

对一类线性奇异边值问题采用区间分段处理,从而较好地刻画解的奇异行为.给出的数值例子说明了求解一个边界奇点问题的具体方法,其计算结果表明,该方法是有效的.     

具有不同通道变极性等离子弧焊设备研制

研制了一种具有不同通道的新型变极性等离子弧焊设备．采用双电源对主弧正负半波供电,在负半波以水冷铜喷嘴代替钨电极作阳极,既避免了主、维弧相互干涉现象,又降低了钨电极的烧损,使电弧和焊接过程稳定性提高．此外,电流频率、正负半波幅值和导通比的独立可调,能满足铝合金焊接时对金属熔化和阴极清理的不同需要．     

LVDS低功耗高速驱动电路设计

目前现存的LVDS驱动不能在低供电电压下工作,双电流源(DCS)LVDS驱动和开关电流源(SCS) LVDS驱动等两种新驱动适用于低电压应用。同时,这两种驱动大大减少了功耗以及器件尺寸,并且可以以超过1 Gb/s的速度传输数据。在高速数据采集系统中,有很好的应用前景。     

基于微软SPS SSO技术的单点登录实现方法

随着企业信息化建设的加快,应用整合已经显得非常重要,从而单点登录（Single Sign—On）技术得到了广泛的应用。文中阐述了一种基于Microsoft Sharepoint Server单点登录技术的解决方案,实现一次登录就可以使用多个应用系统,并且可以兼容如Web、Win32以及Lotus Notes等多种应用程序的验证过程,为在企业应用框架上兼容现有应用系统,以及扩展未来应用都提供了很大灵活性,真正实现“一次登录、随处运行”的目标。文中对其实现过程进行了较详细的描述。     

煤矿井下杂散电流的危害与防治

对煤矿井下杂散电流产生的原因和对煤矿安全生产的危害进行了分析．对杂散电流的定期测试和防治措施进行了研究和探讨。     

在AlCl3和Nafion-H的催化作用下均三甲苯与γ-丁内酯的烷基化反应

 在无水AlCl3的催化作用下,均三甲苯与γ-丁内酯在室温下即可发生烷基化反应生成4-(2,4,6-三甲基苯基)丁酸. 实验结果表明,催化剂用量和反应时间是影响反应产物收率的重要因素,选择合适的反应条件可使γ-丁内酯几乎定量地转化为目标产物. 在固体高分子酸性树脂Nafion-H的催化作用下,4-(2,4,6-三甲基苯基)丁酸的收率随着温度的升高而升高,在200 ℃下收率达到最大值84.5%,选择性保持在90%左右. Nafion-H经过简单的溶剂洗涤和干燥处理后可重复使用,但每次重复使用后收率下降4%～5%. 对Nafion-H催化下该反应可能的机理进行了探讨.     

A device model for thin silicon-on-insulator SiGe heterojunction bipolar transistors with saturation effects

In this paper, we describe the saturation effect of a silicon germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistor (HBT) fabricated on a thin silicon-on-insulator (SOI) with a step-by-step derivation of the model formulation. The collector injection width, the internal base—collector bias, and the hole density at the base—collector junction interface are analysed by considering the unique features of the internal and the external parts of the collector, as they are different from those of a bulk counterpart.