Dynamic relaxation process of a 3D super crystal structure in a Cu:KTN crystal

In this Letter,we report the existence and relaxation properties of a critical phenomenon on called a 3D super crystal that emerges at T=TC?3.5℃,that is,in the proximity of the Curie temperature of a Cu:KTN sample.The dynamics processes of a 3D super crystal manifest in its formation containing polarized nanometric regions and/or polarized clusters.However,with strong coupling and interaction of microcomponents,the characteristic relaxation time measured by dynamic light scattering demonstrates a fully new relaxation mechanism with a much longer relaxation time.As the relaxation mechanism of a relaxator is so-far undetermined,this research provides a novel perspective.These results can help structure a fundamental theory of ferroelectric relaxation.     

羟基对界面水分子的扰动与其对非离子型氢氟烃杂化表面活性剂聚集行为的改变

本文合成并比较了具有和不具有羟基的两种非离子型氢氟烃杂化表面活性剂,它们均表现出良好的热稳定性和优异的表面活性. 实验观察到羟基对改变其溶液的表面张力和所形成胶束的形态具有较大的影响. 该作用可归因于烷烃基团从空气/水表面上方到其下方的重排以及由羟基诱导的界面水结构的扰动. 本工作提供了一种通过修改界面处的取向结构来弱化碳氢链和碳氟链之间的不混溶性,从而利于设计具有不同界面性质表面活性剂的策略.     

矢引力子场度规场引力理论

关键词：     

硼原(离)子内壳激发高自旋态能级和辐射跃迁

采用Rayleigh-Ritz变分方法计算了B原子(离子)内壳层激发高自旋态(~(4,5,6)L,L=S,P)里德伯系列的能量和精细结构劈裂,利用截断变分方法改进非相对论能量,并利用一阶微扰理论计算了相对论能量修正和质量极化效应修正,利用屏蔽的类氢公式计算了量子电动力学效应和高阶相对论效应,从而得到了高精度的组态能量.利用精确计算的波函数,计算了这些高自旋态的电偶极辐射跃迁波长、振子强度和辐射跃迁概率.通过长度规范和速度规范计算的振子强度的一致性证明了本文计算的波函数是精确的.相比其他理论计算结果,本文计算的高自旋态的能级及跃迁波长数据与实验数据符合得更好.对于一些高位的内壳层激发高自旋态,相关的能级和跃迁数据为首次报道,本文的计算结果对相关实验光谱谱线标定具有重要意义.     

Optical waveguide in Nd:Bi_(12)SiO_(20) crystal produced by multi-energy C ion implantation

We report the fabrication of a planar waveguide in the Nd:Bi_(12)SiO_(20) crystal by multi-energy C ions at room temperature. The waveguide is annealed at 200℃, 260℃, and 300℃ in succession each for 30 min in an open oven. The effective refractive index profiles at transverse electric(TE) polarization are stable after the annealing treatments. Damage distribution for multi-energy C ion implanted in Nd:Bi_(12)SiO_(20) crystal is calculated by SRIM 2010. The Raman and fluorescence spectra of the Nd:Bi_(12)SiO_(20) crystal are collected by an excitation beam at 633 nm and 473 nm, respectively. The results indicate the stabilization of the optical waveguide in Nd:Bi_(12)SiO_(20) crystal.     

缅怀彭桓武老师

彭桓武老师是两弹一星功勋奖的获得者,不仅是蜚声中外的物理大师,还是一位培养了许多优秀物理学家的教育宗师.他所授的课融会贯通、高屋建瓴、深入透彻、发人深省.     

Knotted pictures of the GHZ states on the surface of a trivial torus

By means of the torus knot theory method, this paper presents the complete process of obtaining the knotted pictures of eight GHZ states on the surface of a trivial torus from the knotted pictures of eight basic three-qubit states on the surface of a trivial torus. Thus, we obtain eight knotted pictures 121 linkage on the ordinary plane.     

原子镁的电子碰撞电离

使用Ｒ－矩阵方法，在扭曲库仑－玻恩非交换近似下（ＤＣＢＮＸ）采用二态密耦图象，计算了原子镁从电离阈值附近到１００ｅＶ范围的电子碰撞电离截面。从能量微分截面可看到明显的Ｒｙｄｂｅｒｇ系列共振。     

金属氧化物薄膜的多离子束反应共溅射模型(Ⅱ)——数值计算与结果讨论

结合实验中的工艺技术参数,以Pb,Ti两金属靶的反应共溅射为例,对我们提出的金属氧化物薄膜的多离子束反应共溅射模型进行数值计算,分别得出了各靶的溅射速率R,反应腔中反应气体分压p以及衬底Pb,Ti的金属单质和氧化物所占的有效面积百分比与反应共溅射中直接可调的物理量,即反应气体总量Q和溅射离子束流J的关系.计算结果表明,该模型揭示了反应溅射具有滞回效应的本质特征,反映了反应共溅射中相关参数的相互影响与相互耦合的特点,给出了薄膜中组分原子百分比及其氧化物的形态与溅射工艺的关系,指出了多离子束反应共溅射中稳恒溅 关键词：     

液相外延制备InGaAsP/InP掩埋异质结若干工艺问题的讨论

本文对InGaAsP/InP(DC-PBH)激光器掩埋异质结液相外延生长中的几个关键工艺问题进行了研究,提出了获得有利于沟道掩埋生长的理想沟道几何图形的新的腐蚀配方(Br_2/HBr),对二次外延再生长光刻腐蚀面损伤层和有害杂质的去除采用了阳极氧化工艺,同时探索了利用二次外延过程中Zn扩散来控制限制层(3)掺杂的新方法,在研究基础上制造了重现性好且性能良好的1.3μm激光二极管,室温时,阈值电流最低小于25mA,典型值为30mA,在60mA直流电流的驱动下,光输出功率高达12.5mW.