薄膜后栅型SnO_2场发射显示器的制备及性能研究

利用光刻、阳极氧化和剥离技术在玻璃基底制备薄膜后栅型场发射阵列,采用丝网印刷技术将一维SnO2纳米发射材料转移至后栅结构的阴极电极上,借助光学显微镜和扫描电镜观测薄膜后栅型场发射阴极阵列,利用ANSYS软件模拟了不同条件下阴极电极附近电子运动轨迹.结果表明,一维SnO2纳米线在阴极电极衬底上分布均匀,电子束斑随着阳压的...     

丙烯醛水合加氢制1，3一丙二醇的研究

考察了丙烯醛水舍及3-羟基丙醛加氢制1，3一丙二醇的工艺条件。在装有阳离子交换树脂催化剂的固定床层反应中，当ACR的质量分数为12～15％，反应空速为5～6h-1，反应温度为50℃，并加入少量对苯二酚阻聚剂时，ACR的单程转化率为80％，3-HPA的选择性可达87．5％。在高压釜进行3-羟基丙醛加氢催化剂筛选。结果表明使用四元合金制备的Raney Ni催化剂，在一段加氢温度为45℃，二段加氢温度为120℃，氢气压力为6MPa，搅拌转速500r。min-1时，3-HPA的转化率≥98％，产物1，3一丙二醇收率接近100％。     

致密气藏压裂水平井产能影响因素分析

针对致密气藏水平井开发产能主控因素难以明确的问题,基于致密储层渗流理论,建立了考虑应力敏感因素的压裂水平井渗流模型,根据渗流模型分析了裂缝条数、裂缝长度、裂缝导流能力以及应力敏感等因素对水平井产能的影响。结果表明,压裂水平井单井产能随着裂缝条数增多、裂缝半长增大及导流能力增强而增大,随着应力敏感的增强而减小。通过定量比对,明确了各因素与压裂水平井产量的相关性为：裂缝数量>裂缝半长>应力敏感>导流能力。该项研究对水平井产能评价以及致密气藏水平井开发井网正确部署具有一定的指导意义。     

非线性自回归序列的矩的存在性

本文研究平稳非线性自回归序列的高阶矩的存在性问题,此序列满足带条件异方差的非线性自回归模型。其主要结果是：在某些平稳条件下,只要新息序列具有有穷的r(r≥1)阶矩,该模型的平稳解也有有穷的r阶矩。     

变换图G++-的超力连通性

对于图G,一般有λ(G)≤δ(G).如果λ(G)=δ(G),称图G是较大边连通的.如果G的每一个最小边割只能分离G的一个孤立点.称图G是超边连通的.本文证明了几乎所有的有限图G,其变换图G -都是超边连通的.     

一类指数速度迭代压缩的非线性自回归序列的矩的存在性

本文研究了如下的非线性自回归模型xt=ψ(xt-1,…,xt-p)+εt在满足几何遍历条件(i)|ψk(y0,y-1,…,y-p+1)-ψk(y0,y-1,…,y-p+1)|≤ck|y0-y0|;(ii)|ψk(y0,y-1,…,y-p+1)|≤Mρk(|y0|+…+|y-p+1|)+c时矩的存在性问题.得到了:如果对于某个实数r≥1,E|εt|r＜∞,则E|xt|r＜∞.这一结果补充了已有文献中(i),(ii)几何遍历条件下无相应的矩的存在性结果的空缺.     

多线性奇异积分算子交换子在Morrey空间的有界性

主要考虑具有标准多线性m-Calderón-Zygmund核的奇异积分算子与BMO函数生成的一类交换子在广义Morrey空间上的有界性,作为推论得到了该交换子在经典Morrey空间中的有界定理,拓广了Perez C和Torres R的结果.     

汽轮机低压转子高速动平衡时支承方式的研究

在汽轮发电机组中,由于受排汽结构的限制,单根转子尤其是低压转子的外伸段需要加长,而长外伸段转子转动惯量的影响,给低压转子进行厂内高速动平衡带来了很大困难。为了研究长外伸段低压转子高速动平衡时的支承方式,搭建了长外伸段模型转子试验台,分别进行了支承外移和加辅助支承的试验。试验结果表明,对于长外伸段转子,采取加辅助支承的方法能更有效地减小转子主跨支承处的一阶共振振幅,且辅助支承的位置存在一个最佳值。