化学修饰硅胶预富集—石墨炉原子吸收法测定水中痕量汞

本文提出了用化学修饰硅胶预富集-石墨炉原子吸收法测定水中痕量汞的方法,讨论了二硫氨基甲酸修饰硅胶的制作和方法的测试条件。该法操作简便、快速、灵敏。100ml水样经预富集后,最低检出限为0.l0ng/ml,其相对标准偏差为4.1％。对四种不同水样的测定,回收率在96.5-107.5％之间。     

柠檬酸在D354树脂上的离子交换研究

研究了大孔型弱碱性阴离子交换树脂Ｄ３５４分离水中柠檬酸的相平衡和动力学。Ｌａｎｇｍｕｉｒ方程能够良好地关联等温线。建立了离子交换过程的孔扩散模型，并以正交配置法与Ｇｅａｒ法结合进行数据拟合。结果表明，液膜阻力对交换过程具有重大影响，简单线性推动力模型能够很好地描述液膜传质过程。     

炉温滑模变结构控制系统的研究

针对ＧＪ型光辐射加热炉在对不同材料加热时,其数学模型参数变化范围较大的特点,提出了采用滑模变结构控制代替常规ＰＩＤ控制的方法,并对炉温变结构控制系统进行了仿真研究,研究结果表明,采用变结构控制的炉温控制系统,不仅有很好的动态特性,而且具有较强的鲁棒性,对对象参数摄动具有很好的自适应能力,这将大大增加辐射加热炉的应用范围。     

大黄素的吸附溶出伏安研究

研究了大黄素在甲醇、二氧六环和水的混合溶剂中以１％硼砂为支持电解质在静汞电极上的吸附伏安行为。建立了用微分脉冲吸附溶出伏安法测定其含量的新方法。在－０３０Ｖ（ｖｓＡｇ／ＡｇＣｌ）电位下吸附富集，可得一灵敏的还原溶出峰，峰电位－０７５Ｖ，浓度在５×１０－８～５×１０－９ｍｏｌ／Ｌ范围内与峰电流具有良好的线性关系，最低检出限为１×１０－９ｍｏｌ／Ｌ。该法用于含有大黄素体系的测定简便、快速、可靠。     

N，N’-二（十二烷基）乙二胺二乙酸萃取汞的研究

研究了N，N’-二(十二烷基)乙二胺二乙酸(简写为H2R2Y)的氯仿溶液对汞(Ⅱ)的萃取行为。考察了酸度、萃取剂浓度、相比及温度等因素对萃取率的影响；用电导法及摩尔比法测得萃合物的摩尔比为1：1；测定了新试剂H2R2Y对Hg^2 与Fe^3 、Co^2 、Ni^2 、Zn^2 、Cr^3 、Mn^2 等金属离子的分离效果；并根据分配比与温度的关系求出了萃取反应的△H^0、△S^0、△G^0和IgKex值，该萃取反应为放热反应。     

BaTiO_3∶Tm~(3 )反蛋白石的上转换发光

利用合成蛋白石模板、填充溶胶前驱体、烧结移除模板的方法,制备BaTi O3∶Tm3 的反蛋白石结构.根据实验测量的反射光谱与650nm激光光源激发下的上转换荧光光谱,得到了反蛋白石结构的光子带隙位置以及上转换光谱.由于带隙位置与激发光源位置的重合,与粉末样品的上转换光谱相比,反蛋白石的光谱强度降低,出现了峰位展宽,从而也为光子带隙对于特定电磁波的抑制提供了明显的证据.     

大黄素的吸附伏安行为及定量测定

大黄素在1％硼砂底液中，有一灵敏的吸附伏安还原峰．峰电位为-0．86V(vs.Ag／AgCl)．在电位-0．3V下预富集，采用微分脉冲吸附溶出伏安法测定，其检测限可达8．0×10^-10mol／L，大黄素在1×10^-8～1×10^-6mol／L浓度范围内．峰电流与浓度呈线性关系此法简便、快速、可靠．     

光物理研究的进展

光物理研究的进展ＰｒｏｇｒｅｓｓｉｎｔｈｅＲｅｓｅａｒｃｈｏｆＰｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ杨国帧（中国科学院物理研究所，研究员北京１００Ｏ８０）章志鸣（复旦大学，教授上海２００４３３）一、光物理的战略地位光物理是研究光辐射的基本性质及其与物质相互作用特性...     

High uniformity and forming-free ZnO-based transparent RRAM with HfO_x inserting layer

The impacts of HfO_x inserting layer thickness on the electrical properties of the ZnO-based transparent resistance random access memory(TRRAM) device were investigated in this paper. The bipolar resistive switching behavior of a single ZnO film and bilayer HfO_x/ZnO films as active layers for TRRAM devices was demonstrated. It was revealed that the bilayer TRRAM device with a 10-nm HfO_x inserted layer had a more stable resistive switching behavior than other devices including the single layer device, as well as being forming free, and the transmittance was more than 80% in the visible region. For the HfO_x/ZnO devices, the current conduction behavior was dominated by the space-charge-limited current mechanism in the low resistive state(LRS) and Schottky emission in the high resistive state(HRS), while the mechanism for single layer devices was controlled by ohmic conduction in the LRS and Poole–Frenkel emission in the HRS.     

110kV盛高线雷击跳闸分析及处理措施

110kV盛高线与220kV兴盛线、500kV兴咸Ⅰ回、Ⅱ回、Ⅲ回线路平行及四次穿越,使当地的电磁场发生了改变,同时由于线路多处于鱼池和水田的空旷地带,雷电活动时,处于空旷地段的绝缘子易发生沿面闪络,导致线路跳闸,通过调爬及减小线路保护角等手段,达到防雷击的目的。