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31.
尚慧吴进锦许志兵王慧捷尹建华 《光散射学报》2022,(4):322-327
近红外(NIR)光谱,可提供样本丰富的结构和成分信息。机器学习主要用于数据的分析和挖掘,可以对数据进行精确分类和信息提取。本研究采用自研的NIR光谱探针技术进行乳腺癌组织的原位光谱采集并进行癌变(光谱)分析;运用基线校正(BC)、标准正态变量变换(SNV)、一阶导数二阶多项式21点Savitzky-Golay平滑(1st-2-21SG)和二阶导数三次多项式25点Savitzky-Golay平滑(2nd-3-25SG))四种方法进行光谱预处理;结合机器学习方法,包括主成分分析(PCA)、K最近邻(KNN)、Fisher判别分析(FDA)及支持向量回归(SVR),进行乳腺癌变和癌旁组织的分类和判别。研究发现PCA-KNN模型的最优预测结果为基于BC+SNV,其准确率、敏感性及特异性达88.34%、98.21%、76.11%。PCA-FDA模型的最优结果为基于BC+1st-2-21SG,其准确率、敏感性及特异性达90.00%、98.21%、79.54%。SVR模型的最优结果为基于BC+2nd-3-25SG... 相似文献
32.
33.
间二甲苯分子在不同外电场下结构和解离特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
间二甲苯是挥发性有机物(VOCs, Volatile Organic Compounds)的关键活性成分,研究其在外电场下的性质十分重要.采用密度泛函理论(DFT),在B3LYP/6-311G++基组水平上对间二甲苯分子进行优化,从分子结构研究了不同外电场(-0.025 a.u.~0.025 a.u.)作用下,间二甲苯分子的总能量,键长,电偶极矩,前线轨道,红外光谱和解离势能面.计算结果表明,沿两甲基中C原子连线方向的电场(-0.025 a.u.~0.025 a.u.)增加时,分子总能量和能隙先增大后减小,电偶极矩先减小后增加.通过计算发现外电场对间二甲苯分子不同键长和不同振动模式的红外光谱的影响均有所不同.间二甲苯分子的解离特性表现为:沿两甲基中C原子连线方向施加强度超过0.047 a. u.的电场时,位于电场增加方向的甲基与苯环之间起连接作用的C-C键断裂.以上计算结果可为利用电场降解间二甲苯提供重要理论参考. 相似文献
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传统的抗IgG-Fc单克隆抗体制作过程繁琐、耗时长且批间差异大,极大的限制了其应用。因此寻找一种抗IgG-Fc单克隆抗体的替代元件是十分必要的。本研究基于微孔板指数富集的配体系统进化技术(微孔板-selex),设计了针对抗IgG-Fc蛋白ssDNA适配体的筛选方案。交替包被5种IgG单克隆抗体于酶标孔作为筛选靶分子,将从靶分子上洗脱的核酸适配体作为模板进行PCR扩增,生物素-链霉亲和素ELISA测定第3,7,13,14,16,18轮筛选获得ssDNA文库与内酰胺酶单克隆抗体的结合能力,并将第19轮筛选获得的ssDNA文库进行TA克隆验证、高通量测序。经过19轮筛选,得到69796条抗IgG-Fc蛋白的适配体,选取出现频率最高的ap-1(178次)、ap-2(129次)、ap-3(58次)体外合成并在其5,端标记生物素,经ELISA鉴定3条适配体分别与5种IgG单克隆抗体有着较强的结合能力,并与3%BSA几乎不结合。Ap-1结合能力最强,被认为是本次筛选得到最佳抗IgG-Fc蛋白核酸适配体。实验结果表明本文筛选获得抗IgG-Fc蛋白的核酸适配体,具有成为抗IgG单克隆抗体替代元件的潜力。 相似文献
35.
Monte Carlo NPT系综法模拟考察几种水模型 总被引:3,自引:0,他引:3
应用NPT系综法模拟考察了五种水的势能模型 .模拟中采用周期边界条件、Metropolis抽样方法 ,并用Ewald方法对水分子间电荷作用进行长程校正 .模拟计算了内能 ,密度 ,压力及恒压热容等性质 .同时 ,还对这五种模型模拟得到的径向分布函数作了分析 .结果与文献及实验测定相比符合较好 相似文献
36.
37.
在则系综测试粒子Monte Carlo (GCMC)方法模拟常温下空气(以氮气为代表)及其污染物微量有机物(以苯为例)的混合物中各组分的化学势。模拟中,氮气和苯分子采用LJ球型分子势能模型,采用Metropolis抽样及周期边界条件。通过模拟并拟合得到了300.2K、苯的摩尔分数为0.0625,氮气及苯化学势与压力的关联式,以用于狭缝碳孔中该混合物体系的选择性吸附。 相似文献
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39.
采用激光填丝焊(laser wire filler welding,LFW)、冷金属过渡(cold metal transfer,CMT)焊和熔化极惰性气体保护(melt inert-gas,MIG)焊方法对6005A-T6铝合金板材进行焊接,研究不同焊接方法得到的焊接件的接头处、焊缝区、热影响区的抗晶间腐蚀能力。研究结果表明:在相同晶间腐蚀环境下,LFW接头处较CMT焊、MIG焊接头处的抗晶间腐蚀能力强;CMT焊焊缝区较MIG焊焊缝区的抗晶间腐蚀能力强,但热影响区抗晶间腐蚀的能力相反;3种接头各自热影响区的抗晶间腐蚀能力均弱于各自焊接接头处和焊缝区的抗晶间腐蚀能力。 相似文献
40.