移动数据库关键技术的研究与分析

移动数据库是传统分布式数据库系统的扩展,综合了分布式技术、数据库技术和无线通信技术等多门学科领域,能够支持移动用户数据访问要求。移动数据库系统结构主要由固定主机、移动支持站、移动计算机三部分组成。然后主要论述移动数据库的关键技术、数据复制与缓存、数据广播技术、位置相关查询、移动事务处理、移动数据库安全性等技术的研究现状和原理分析。     

地衣芽孢杆菌JF—20菌原生质体的形成及其再生的最佳条件

以地衣芽孢杆菌（Bacillus licheniformis)JF-20菌为出发菌株,对原生质体制备及再生的各种影响因素进行了研究,在原生质体形成及再生的最佳条件下制备原生质体。结果发现：JF-20菌的原生质体形成率及再生率分别达到以86.9%和38.4%,并通过光学显微镜技术,观察了原生质体形成及再生的有关现象。     

新农科背景下强化高校重点实验室对学生的培养

新农科建设要求高校培养高技能农林人才,为更好地发挥高校重点实验室对本科生科技创新能力培养的作用,借鉴国内外高校重点实验室管理经验,根据农业农村部作物生理生态与耕作重点实验室运行实际,以培养创新型人才为目标,强化学生创新意识、创新精神的培养,着力提高学生的实践创新能力,从本科生准入制度、实验条件保障、教师指导及相应的评价...     

普通小麦染色体微切割制片技术研究

为提高普通小麦染色体微切割制片质量,以中国春小麦为实验材料,进行染色体制片、 单个二价体染色体微切割和微收集研究.结果表明,先将载玻片放在垫片装置上,使片膜和载玻片置于垫片装置的上玻片上,MMI载玻片置于垫片装置的下玻片上,再轻压盖片,花粉母细胞和二价体染色体就容易分散,分散效果较好,利于二价体染色体微切割、微收集,较...     

PZNT晶体压电性能及其与成分的依赖关系

(1-x)PbZn1/3Nb2/3O3-xPbTi O3(PZNT)晶体是弛豫铁电体PbZn1/3Nb2/3O3(PZN)与普通铁电体PbTi O3(PT)在0≤x≤0.2内形成的固溶体.钙钛矿结构的PZNT晶体具有优异的压电性能,在声纳、微位移器、医用超声成像等领域具有广阔的应用前景.作者分析了PZNT单晶压电性能对晶体组分的依赖关系,讨论了不同生长工艺对晶体性能的影响,解释了PZNT单晶在准同型相界附近具有优异性能的原因.     

Electrical and Optical Properties of Bulk ZnO Single Crystal Grown by Flux Bridgman Method

Zinc oxide （ZnO） single crystals are grown by the modified vertical Bridgman method using a PbF2 flux. The maximum size of the as-grown ZnO crystal is about Φ25 mm×5mm. The transmittance of the as-grown ZnO crystal is more than 70% in the range of 600-800hm and the optical band gap is estimated to be 3.21eV. The photoluminescence spectrum indicates that the as-grown ZnO crystal has a very low concentration of native defects and is much closed to its stoichiometry. The electrical measurement exhibits that the ZnO crystal has low electrical resistivity of 0.02394Ωcm^-1 and a high carrier concentration of 2.10×10^18cm^-3.     

多元非线性回归函数近似逼近的Thiele型插值方法

非线性回归问题中多元非线性回归问题也是值得研究的课题。本文利用二元Thiele型有理插值函数方法逼近一类多元非线性函数可实现回归函数的近似,并通过实例说明该方法的有效性。     

LED用硅掺杂GaAs晶体的生长与表征

采用坩埚下降法生长了LED用硅掺杂<511>取向的GaAs晶体.选用带籽最槽的PBN坩埚作为生长容器,密封在石英安瓶中以防止生长过程中As蒸汽挥发.研究了掺杂工艺、固液界面形貌和生长缺陷.结果表明:孪晶化是硅掺杂GaAs晶体生长的主要问题.探讨了孪晶形成机理,优化了生长工艺,成功获得了直径2英寸高质量的硅掺杂GaAs晶体,双摇摆曲线显示所得晶体的FWHM为40 arcsec.     

SnSe热电半导体晶体生长技术创新进展

SnSe晶体是一种新型低成本环境友好型热电半导体材料,近几年已成为国内外研究的热点。为了获得SnSe晶体,目前国际上主要采用垂直布里奇曼法和垂直梯度凝固法两种技术进行生长。然而该材料因具有独特的层状结构和复杂热膨胀特征,其在晶体生长过程中极易发生解理开裂,导致难以获得大尺寸晶体。为了解决高完整SnSe晶体制备难题,本团队在材料体系相图及热重分析指导下,近年来先后开发出了气相法、水平熔体法以及水平液封法等多种晶体制备技术,均成功获得了较大尺寸的SnSe晶体材料。本论文从工艺原理、技术要点、晶体生长结果等多方面对相关技术创新情况予以介绍,并将它们的优缺点进行了对比。综合评价认为水平液封法在获取高完整SnSe晶体及性能调控方面具有显著优势,未来将逐渐成为一种广受欢迎的技术。