燃烧法制备(Ca1-xSrx)S:Eu2+红色荧光粉的发光性能研究

利用硝酸盐和含硫燃烧剂硫脲(CH4N2S)的氧化还原反应,通过燃烧法在较低的起始温度(500～550 ℃)下合成了白光LED用红色荧光粉(Ca1-xSrx)S:Eu2+,并研究了实验过程中各种实验条件对其发光性能的影响.XRD图像表明不同物质的量比的Sr与Ca合成的荧光粉均为立方相的(Ca1-xSrx)S:Eu2+.SEM图像表明燃烧法合成的(Ca1-xSrx)S:Eu2+的晶体粒径为微米量级,且颗粒均匀.当n(Sr)∶n(Ca)=1时,它的激发谱为1个覆盖430～500 nm的宽带,发射谱为峰值位于624 nm的宽带.当Eu2+的摩尔分数为0.008时,发光强度达到最大值.所得前驱物在1 100 ℃的马弗炉中退火5 h,发光强度与结晶度将进一步提高.与高温固相法相比,激发光谱与发射光谱没有明显变化,燃烧法生成物分散性好,反应初始温度比较低(500 ℃左右),反应时间短(10 min左右).反应所用的硫脲价格低廉,反应速度快,是一种实用的燃烧剂.     

减压氩气环境中铝合金样品激光微区发射光谱研究

以铝合金光谱分析标样中的Cu,Zn,Mg为分析对象,采用CCD数据采集处理系统,讨论了辅助激发高度、氩气气压和流量的变化对分析谱线相对强度的影响,实验表明:在减压氩气环境中,不同元素的谱线相对强度受实验条件影响不同;但在一定的实验条件下,各元素谱线相对强度均可达到最大值,具有高信噪比,可忽略基体效应对光谱分析的影响.     

Sr3SiO5:Eu2+材料光谱特性研究

采用高温固相法制备了用于白光LED的Sr3SiO5:Eu2+材料.研究了合成温度及Sr/Si对样品光谱特性及结构的影响.结果显示,随合成温度的升高或Sr/Si的减小,样品的主发射峰均产生了明显的红移,同时,样品的晶体结构也受到了影响.利用InGaN管芯激发Sr3SiO5:Eu2+材料,表现出显色性较好的白光发射光谱,色坐标为(x=0.348,y=0.326).     

高气压Ar气对激光诱导Cu等离子体电子温度的影响

用高能量钕玻璃激光器产生的脉冲激光(0～25 J)烧蚀Ar气氛中的Cu靶,观测了激光诱导Cu等离子体的发射光谱强度随环境气压(0.1～0.5 MPa)的增强规律。为了探讨辐射增强的机理,在局部热平衡(LTE)近似条件下,测量了等离子体的电子温度随环境气压的变化。实验结果表明,等离子体的电子温度随着环境气压的升高而正比增加。为了进一步了解等离子体的空间行为,测量了Ar气气压分别为0.1,0.3,0.5 MPa时,等离子体电子温度的空间分布。     

Ce:KNSBN晶体光扇效应的入射光强度阈值特性研究

采用非同时读出条件下的两波耦合实验装置,以单束光入射Ce:KNSBN光折变晶体,系统研究了Ce:KNSBN晶体中光扇效应随入射光偏振态、入射光强度、光入射角的变化情况.结果表明异常偏振光入射晶体时光扇效应明显,且存在明显的入射光强度阈值特性,入射光强度阈值为38.2 mW/cm2;相同光入射角下,稳态光扇强度随入射光强度的增强而明显变大;对应相同的入射光强度,稳态光扇强度随光入射角θ的增大而增大,当θ为15°时到达峰值,而后随θ的增大而逐渐减小.同时对光扇效应的入射光强度阈值特性以及稳态光扇强度随入射光偏振态、入射光强度、光入射角的变化作出了相应的物理解释.     

同科电子光谱项的确定方法

<正> 1.引言 原子光谱项的确定方法已有报导,给物理、化学教学带来了方便,激发态光谱项的确定教学上仍采用电子排布法、图解法,汲函数法,且着重于L-S耦合,J-J耦合讨论甚少。本文从教学角度给出具有两个同科电子的L-S耦,J-J耦合下光谱项确定方法。     

Nd,Cr:YAG自调Q自锁模激光器的研究

实验采用光纤耦合激光二极管泵浦,得到了二极管泵浦Nd,CrYAG自调Q自锁模1.064 μm激光输出,其锁模调制深度达到了近100%,其输出功率最高可达1.9 W,平均输出功率稳定性优于1%.实验表明平均输出功率、重复频率和脉冲宽度随泵浦功率增加而上升.     

用剪切干涉条纹测双棱镜的折射棱角

用激光楔形板剪切干涉,测量干涉条纹的间距,得出了双棱镜的折射棱角。对测量结果进行了讨论,并与劈尖法结果进行比较。     

激光显微光谱分析再现性的研究

以优碳钢、铝合金和铜合金光谱标样为样品，进行了激光显微发射光谱实验研究，标定了部分元素的分析谱线，对其谱线相对强度和再现性进行了分析和讨论。     

NaBaPO_4:Tb~(3+)绿色荧光粉制备及其发光特性

采用高温固相法合成了NaBaPO4:Tb3+绿色荧光粉,并研究了材料的发光性质.NaBaPO4:Tb3+材料呈多峰发射,发射峰位于437、490、543、587和624nm,分别对应Tb3+的5D3→7F4和5D4→7FJ=6,5,4,3跃迁发射,主峰为543nm;监测543nm发射峰,所得激发光谱由4f75d1宽带吸收(200-330nm)和4f-4f电子吸收(330-400nm)组成,主峰为380nm.研究了Tb3+掺杂浓度,电荷补偿剂Li+、Na+、K+和Cl-,及敏化剂Ce3+对NaBaPO4:Tb3+材料发射强度的影响.结果显示:调节激活剂浓度、添加电荷补偿剂或敏化剂均可以在很大程度上提高材料的发射强度.