非完整系统Chetaev动力学和vakonomic动力学的等价条件

就一般非完整约束系统，从约束方程满足的变分恒等式出发，利用增广位形流形上的向量场定义三类非自由变分，即非完整变分：vakonomic变分、Hlder变分、Suslov变分，并讨论它们之间的关系以及它们成为自由变分的充要条件.利用非完整变分以及相应的积分变分原理建立两类动力学方程：vakonomic方程和Routh方程或Chaplygin方程.通过vakonomic方程分别与Routh方程和Chaplygin方程比较，得到它们具有共同解的两类充分必要条件.这些条件并不是约束的可积性条件. 关键词： 非完整约束 非完整变分 Chetaev条件 vakonomic动力学     

对几个物理学名词的意见

我阅读了《物理》上有关量子信息名词，首先谢谢委员们的辛勤劳动，努力使国内学术界的有关名词译法上尽可能的一致，其次，我想对其中若干名词发表自己看法，供参考．     

基于局域操作下的两量子比特混态纠缠蒸馏实验研究

最大纠缠态在量子信息传输和处理过程中是最重要的资源之一,因此从退化的纠缠态中提炼出最大纠缠态一直是量子信息基础研究中的一个重要课题.根据Verstraete F 等人在Phys. Rev. A,2001,64：010101(R) 上提出的有效的方法,文章作者在实验上证明了基于局域操作下的两种形式的两量子比特混态纠缠蒸馏最佳协议.从原则上讲,文章的实验也可以容易地应用于任意两量子比特部分混合态的纠缠蒸馏.此外,作者还对经过蒸馏的第一类混合量子态进行Clauser-Horne-Shimmony-Holt（CHSH）不等式的检测,以验证它的“隐藏非局域性”.     

光泵三能级原子体系产生光子数压缩态

本文证明光泵三能级原子体系可以产生光子数压缩态。分别计算非相干泵浦、弱相干泵浦和强相于泵浦几种情形下的Fano因数。结果表明,弱相干泵浦时可获得最佳压缩效应,相应的Fano因数为0.16。这种产生光子数压缩态的方法在实验上是简便可行的。 关键词：     

电子衍射图自动标定中初基解的判据

在电子衍射图的自动标定中,将距中心最近的两个衍射斑点与计算出的两个倒易矢量r₁^*及r₂^*对比,可得r₁^*×r₂^*=Au。不过,有时会出现与非初基倒易平面胞对应的非初基解。对于简单布喇菲点阵,显然A=1是初基解的判据。对于有心布喇菲点阵的初基解,在u,v,w三个指数的不同组合的情况下,A也有确定值。 关键词：     

奇偶相干态的高阶压缩及其准概率分布函数

本文研究了奇偶相干态的高阶压缩和它们的各种准概率分布函数,结果表明,这两个态的高阶压缩性质是相互排斥的,特征函数和Wigner函数都不是高斯型,而且Wigner函数也不恒为正定,准概率密度(QPD)图形既不是椭圆,也不是月牙状,而是两叶花瓣状,显示出态的QPD图形不能说明态的压缩类型。 关键词：     

Born-Infeld电动力学的U1主丛表述

本文给出了Born-Infeld电动力学的U₁主丛表述,以及检验粒子在Born-Infeld电磁场中的运动方程,检验粒子受到两个力,一个相当于Lorentz力,一个相当于Poincaré压力。     

无限群分次环的Smash Product的理想交性质

Ｇ是群，Ｒ是Ｇ－分次环．本文将有限群Ｇ分次环Ｒ与Ｇ的ｓｍａｓｈｐｒｏｄｕｃｔＲ＃Ｇ￣＊的理想交性质推广到无限群的情形．证明了：Ｇ是无限群，Ｒ是非奇异Ｇ－分次环．Ｒ与Ｇ的广义ｓｍａｓｈｐｒｏｄｕｃｔＲ＃Ｇ￣＊有理想交性质的充要条件，对任意０≠ａ＿ｅ∈Ｒ＿ｅ．     

Measurement of Spin Singlet-Triplet Qubit in Quantum Dots Using Superconducting Resonator

The spin qubit in quantum dots is one of the leading platforms for quantum computation.A crucial requirement for scalable quantum information processing is the high efficient measurement.Here we analyze the measurement process of a quantum-dot spin qubit coupled to a superconducting transmission line resonator.Especially,the phase shift of the resonator is sensitive to the spin states and the gate operations.The response of the resonator can be used to measure the spin qubit efficiently,which ca...     

In-situ SiN combined with etch-stop barrier structure for high-frequency AlGaN/GaN HEMT

The etch-stop structure including the in-situ SiN and AlGaN/GaN barrier is proposed for high frequency applications.The etch-stop process is realized by placing an in-situ SiN layer on the top of the thin AlGaN barrier.F-based etching can be self-terminated after removing SiN,leaving the AlGaN barrier in the gate region.With this in-situ SiN and thin barrier etch-stop structure,the short channel effect can be suppressed,meanwhile achieving highly precisely controlled and low damage etching process.The device shows a maximum drain current of 1022 mA/mm,a peak transconductance of 459 mS/mm,and a maximum oscillation frequency(fmax)of 248 GHz.