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Magnetic and electric properties of transition-metal doped wurtzite CdSe from first-principles calculation 下载免费PDF全文
s The geometrical structures of Cd0.75TM0.25Se (TM = Ti, V, Cr and Mn) are optimized, and then their electric and magnetic properties are investigated by performing first-principles calculations within the generalized gradient approximation for the exchange-correlation function based on density functional theory. Cd0.75TM0.25Se (TM =Ti and V) are found to have high spin-polarization near 100% at the Fermi level. Cd0.75TM0.25Se (TM = Cr and Mn) are half-metallic ferromagnets whose spin-polarization at the Fermi level is absolutely +100%. The supercell magnetic moments of Cd0.75Cr0.25Se and Cdo.75Mno.25Se are 4.00 and 5.00 μB, which arise mainly from Cr-ions and Mnions, respectively. The half-metallicity of Cdo.75Cro.25Se is more stable than that of Cd0.75Mn0.25Se. The electronic structures of Cr-ions and Mn-ions are Cr eg2↑t22g↑ and Mn e2 3 ↑t23g↑, respectively. 相似文献
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63.
四参数法计算氦原子基态能级研究 总被引:3,自引:0,他引:3
在求解氦原子径向Schr dinger方程时,设计了含有四参数的基态波函数,推导出含有四参数的氦原子基态能级表达式,分别采用Matlab 7.0最优化运算和Monte-Carlo法,计算了氦原子的基态能量,得到了相应的波函数.将计算结果与其它文献采用变分法所得计算值及实验值进行了比较,结果表明:这种方法不仅计算简便有效,准确性较高,而且所得氦原子基态空间波函数自动满足空间对称性的要求. 相似文献
64.
研究了在层间作用和电场作用下球状纳米系统的电子能量和波函数.以CdS/HgS/CdS球状纳米系统为例,讨论了层间作用、电场和样品线度对高能级斯塔克效应以及谱线频率和强度的影响.结果表明:CdS/HgS/CdS球状纳米系统在外电场作用下发生斯塔克效应的能级分裂规律与氢原子类似,但能级位移量不同.谱线频移与电场强度的平方成正比,多数谱线的频移随线度增大而减小,少数谱线的频移则相反;而层间作用引起谱线的频移随线度增大而减小.除少数谱线外,多数谱线的相对强度随线度增大而减小,层间作用不会改变相对强度随线度的变化趋
关键词:
CdS/HgS/CdS球状纳米系统
斯塔克效应
谱线频率
谱线强度 相似文献
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66.
晶格振动和晶粒尺度对磁记录膜矫顽力的竞争影响研究) 总被引:1,自引:0,他引:1
对晶格自旋相互作用的交换积分进行了晶格振动的修正,依此修正,导出了振动对磁记录膜矫顽力的影响关系;分析了磁晶量子尺度效应对磁记录膜矫顽力的影响机制;讨论了振动效应和量子尺度效应相互影响,共同竞争的物理内涵.结果显示:①振动的存在将减小薄膜的矫顽力;②磁晶微粒的量子尺度效应将使薄膜的矫顽力增加;③振动效应和量子尺度效应相互影响,共同竞争,为薄膜提供矫顽力;④要提高薄膜完备系的矫顽力,可将磁记录膜制成纳米级薄膜. 相似文献
67.
建立了原子表面自扩散的物理模型,应用准内聚近似计算了过渡金属原子沿fcc和hcp结构(111)面、(100)面和沿bcc结构(110)面的表面自扩散激活能。并对它随基底结构、扩散原子的原子量等的变化规律作了分析,计算结果比其它文献的计算更与现有实验资料接近。 相似文献
68.
以NiFeNb为新种子层的纳米级坡莫合金薄膜的各向异性磁电阻 总被引:1,自引:0,他引:1
以三元合金NiFeNb作新种子层,采用直流磁控多靶设备制备了具有不同Nb含量(x)、NiFeNb厚度(t)和坡莫合金厚 度(d)的纳米级(Ni82Fe18)1-xNbx(tnm)/Ni82Fe18(dnm)/Ta(3nm)坡莫合金系列膜.测量了样品的各向异性磁电阻和微结 构.从实验角度详细研究了AMR随x,t,d和退火等工艺条件的变化.结果表明:①作为x或t的函数,AMR在x=23.8% 或x=2.75nm处分别最大;②NiFeNb作为种子层在提高坡莫合金薄膜各向异性磁电阻方面优于Ta;③在通过中高温退 火来改善坡莫合金薄膜AMR方面,NiFeNb种子层明显好于Ta和NiFeCr. 相似文献
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介绍了Mo2C膜的制备过程和对其电阻率的测量结果,探索了其导电机理以及沉积时间、基底温度和生长过程对电阻率的影响。利用Gibbs函数极小的原理探索了膜中Mo原子的含量随温度的变化规律,并对电阻率随温度的变化规律给予了解释。结果表明:它的电阻率取决于生长过程和Mo原子的含量;电阻率随基底温度、沉积时间呈非线性变化。 相似文献
70.
用水热法制备了氢氧化镍超级电容器材料,对它的充放电电流强度随时间的变化进行测试分析,确定变化规律的解析式.在此基础上,应用速度反应理论,得到放电电流强度的半衰期tm、衰减常数β随温度等的变化关系.结果表明:充放电过程中的电流强度随时间的变化均具有指数形式,材料放电过程的电流随时间的变化按负指数规律减小,其半衰期、衰减常数,除与反应常数以及生成物与底物的化学势有关外,还与反应室的温度有关:升高反应室的温度,会使半衰期增大.理论与实验结果基本符合. 相似文献