排序方式: 共有33条查询结果,搜索用时 0 毫秒
31.
采用一种只计算体材料的能带、带阶参数和形变势就能预言不同应变情况下的应变层异质结带阶的方法,并通过 In P/ In As、 In P/ Ga P、 Ga As/ In As、 Ga P/ Ga As、 Al As/ In As 等应变层异质结在不同应变情况下的价带带阶计算,并证实了该方法的实用性. 相似文献
32.
采用LMTO-ASA能带计算方法,研究三元合金InlGa4-lAs4和InlAl4-lAs4(l=0,1,2,3,4等五个有序态)的能带结构和平均键能Em;在此基础上,将原子集团展开与平均键能方法结合起来计算了InxGa1-xAs/InxAl1-xAs异质结的价带偏移ΔEv(x)值.研究表明:该异质结的ΔEv(x)值随合金组分x的变化接近于线性;ΔEv(x)的理论计算值与实验结果相当符合. 相似文献
33.