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通过对比实验,研究了用Au和Ni作为背电极对CdTe太阳电池性能的影响和机理.用Ni替代Au作为背电极后的CdTe太阳电池短路电流密度有所增加,最大增幅达到40.31%,导致电池的转换效率增加,最大增幅达到30.57%.分析认为,用Ni替代Au作为背电极后能提高短路电流密度的主要原因在于光生电流密度大大增加.用Ni替代Au作为CdTe太阳电池的背电极,可以将电池的转换效率提高至少一个百分点. 相似文献
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实验发现,小面积非晶硅电池经光照后,不仅转换效率下降,最大功率点也要发生移动。由非晶硅薄膜的不均匀性,各小面积电池的最大功率点的移动也不相同,引起最大功率点更加分散,因而给大面积电池带来额外的衰降。经过理论分析,计算了最大功率点分散造成的功率扣,提而估算了这种额外降的大上。结果表明,对一个单元的大面积电池,附加降并不太大;而对串联集成后的电池,附加衰降比较严重。对这个结果和所用的方法进行了讨论。 相似文献
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对CdTe薄膜进行CdCl2 热处理是制备高效率CdTe/CdS多晶太阳能薄膜电池的关键步骤 .研究了CdTe薄膜CdCl2 气相热处理 ,用XRD ,SEM表征热处理前后薄膜的结构、晶粒尺寸、晶格常数及能带宽度的变化 .比较研究了有无CdCl2 热处理的CdTe薄膜的结构差异 .CdCl2 热处理对CdTe/CdS异质结界面互扩散的影响 ,比较研究了有无CdCl2 热处理时 ,对CdTe/CdS太阳能薄膜电池的光I-V特性曲线的影响 . 相似文献
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用Ni替代Au来作为CdTe太阳电池的背电极,比较了Ni,Ni/Au,Au/Ni及Au背电极对电池性能的影响.发现Ni作为背电极和ZnTe/ZnTe:Cu复合层接触,电池的开路电压Voc略有降低,填充因子FF有增有减,变化幅度不大,但因短路电流Isc有较大的提高,转换效率η平均增长4%.测试了不同背电极的CdTe太阳电池的暗I-V和C-V特性,对背电极剥离后的样品进行了XPS测试分析.结果表明,Ni扩散到ZnTe/ZnTe:Cu复合层的深度比Au多,且大多呈离子态,与ZnTe/ZnTe:Cu复合层中的富Te离子形成NixTe,提高了掺杂浓度,使电池性能获得改善.
关键词:
金属背电极
复合背接触层
转换效率
CdTe太阳电池 相似文献
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光谱分析气体状态对近空间升华沉积CdTe多晶薄膜的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
在CdTe多晶薄膜太阳电池制备中用近空间升华法生长了CdTe多晶薄膜,沉积工作气体的状态决定了薄膜的结构、性质。文章首先分析了近空间沉积的物理机制,测量了近空间沉积装置内的温度分布,使用氩氧混合气体为工作气体,其中重点讨论了该气体状态(包括气氛和气压)与薄膜的初期成核的关系,即择优取向程度和光能隙与气氛和气压的关系。结果表明,(1)不同气氛下沉积的CdTe薄膜均为立方相结构。随氧浓度的增加,σ增加,氧浓度为6%时,σ最大,之后随氧浓度增加,σ降低,在12%达到最小,然后随氧浓度的增加而增加, 在氧浓度为9%时沉积的结晶更完整。CdTe薄膜的光能隙为1.50~1.51 eV;(2)在氩氧气氛下氧浓度为9%,不同气压下制备的样品,均有立方相CdTe, 此外, 还有CdS和SnO2:F衍射峰。CdTe晶粒随气压增加有减小趋势,随气压的增加,透过率呈下降趋势,相应的CdTe吸收边向短波方向移动;(3)在氩氧气氛下氧浓度为9%,采用衬底温度550 ℃,源温度620 ℃,沉积时间4 min时制备的CdTe多晶薄膜获得了转换效率优良的结构为SnO2:F/CdS/CdTe/Au的集成电池。 相似文献
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采用超声喷雾热解法制备了具有高阻抗的本征SnO2透明导电膜,将其运用在CdS层减薄了的CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池中,对减薄后的CdS薄膜进行了XRD,AFM图谱分析,并对电池进行了光、暗I-V,光谱响应和C-V测试.结果表明,在高阻膜上沉积的减薄CdS薄膜(111)取向更明显,但易形成微孔.引入高阻层后,能消除CdS微孔形成的微小漏电通道,有效保护p-n结,改善了电池的并联电阻、填充因子和短波响应,使载流子浓度增加,暗饱和电流密度减小,从而电池性能得到改善,电池转换效率增加了14.4%.
关键词:
CdTe电池
过渡层
效率 相似文献
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用深能级瞬态谱和光致发光研究了无背接触层的CdS/CdTe薄膜太阳电池的杂质分布和深能级中心.得到了净掺杂浓度在器件中的分布.确定了两个能级位置分别在EV+0365 eV和EV+0282 eV的深中心,它们的浓度分别为167×1012 cm-3和386×1011 cm-2,俘获截面分别为143×10-14cm2和153×10-16cm2.它们来源于以化学杂质形式存在的Au和(或)TeCd-复合体,或与氩氧气氛下沉积CdTe时的氧原子相关.
关键词:
深能级瞬态谱
光致发光
CdS/CdTe太阳电池 相似文献
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在不同温度下用近空间升华法(CSS)制备了CdTe多晶薄膜,结合I-V,C-V特性及深能级瞬态谱研究了不同温度制备的CdTe薄膜对CdS/CdTe太阳电池性能的影响.结果表明,制备温度对电池组件的开路电压影响不大,对短路电流和填充因子有影响,CdTe薄膜的深中心对温度和频率的响应基本一致.580℃制备的样品暗饱和电流密度最小,载流子浓度较高,光电特性较好,而且空穴陷阱浓度较低,深中心复合作用较小.在此研究基础上制备出了面积为300 mm×400 mm
关键词:
制备温度
CdTe薄膜
深能级瞬态谱(DLTS)
CdS/CdTe太阳电池 相似文献
20.
减薄CdS窗口层是提高CdS/CdTe太阳电池转换效率的有效途径之一,减薄窗口层会对器件造成不利的影响,因此在减薄了的窗口层与前电极之间引入过渡层非常必要.利用反应磁控溅射法在前电极SnO2:F薄膜衬底上制备未掺杂的SnO2薄膜形成过渡层,并将其在N2/O2=4 ∶1,550 ℃环境进行了30 min热处理,利用原子力显微镜、X射线衍射仪、紫外分光光度计对复合薄膜热处理前后的形貌、结构、光学性能进行了表征,同时分析了复 相似文献