Origin of the metallic to insulating transition of an epitaxial Bi(111) film grown on Si(111)

Transport characteristics of single crystal bismuth films on Si(111)-7×7 are found to be metallic or insulating at temperatures below or above T_C, respectively. The transition temperature T_C decreases as the film thickness increases. By combining thickness dependence of the films resistivity, we find the insulating behaviour results from the states inside film, while the metallic behaviour originates from the interface states. We show that quantum size effect in a Bi film, such as the semimetal-to-semiconductor transition, is only observable at a temperature higher than T_C.     

铝丝阵Z箍缩辐射形成特征实验研究

基于多种诊断设备获得的物理参数和物理图像,分析了8 mm铝丝阵内爆各阶段的辐射特征。 实验结果表明,铝丝阵的先驱等离子体在形成后未出现明显不稳定性特征。在向心箍缩阶段,出现了泡-钉（bubble-spike）结构,并伴有局部热点。结合分析空间分辨能谱图像,表明热点的形成与等离子局部的高温高密状态有关。通过对X光条纹像进行时间和空间的定标,得到透过50 m Be膜的等离子体热点的空间尺寸约为0.8mm,持续时间小于10 ns。     

色散缓变光纤史飞秒光脉冲的调制不稳定性研究

研究了色散缓变光纤中飞秒光脉冲的调制不稳定性,发现当色散缓变光纤的色散参量满足一定关系式时,增益谱的谱宽最宽,获得了增益谱的表达式;三阶色散对调制不稳定性不起作用;自变陡效应使增益谱的谱宽变窄,振幅的增长速度减慢;拉曼效应改变了调制不稳定性的产生区域。     

p型BayFexCo4-xSb12化合物的热电性能

以2+价的Ba作为填充原子,在x=1.0—1.6,y=0—0.63的组成范围内,系统地研究了Ba填充分数及Fe含量对p型Ba_yFe_xCo_4-xSb₁₂化合物电性能及热性能的影响,探讨了填充原子的氧化价对电性能的影响规律,优化了p型Ba_yFe_xCo_4-xSb₁₂化合物的组成和热电性能,对于富Co组成的Ba_0.27FeCo₃Sb₁₂试样,本研究得到了0.9最大无量纲热电性能指数(ZT). 关键词： 填充分数 载流子浓度 电导率 赛贝克系数 晶格热导率     

Cross Sections of Elastic Electron and Positron Scattering from Proton-Rich Nuclei

We investigate the cross sections of the elastic electron or positron scat tering from 208 Pb, ^12C ^12,16O and ^28,32S by the relativistic partial-wave expansion method using the static charge density distribution from the self-consistent relativistic mean fiel model and also calculate the charge form factor for ^12＇16O and ^28,32S. The numerical results are compared with the available data. Calculations indicate that the extended charge density distributions of ^12O and ^28S have observable effects on the cross sections of the electron or positron scattering as well as the charge form factors.     

数字滤波在心磁噪声抑制中的应用

提出了一种基于数据重置最小均方算法的自适应数字滤波器, 并将其应用于抑制心磁信号的背景噪声. 数值模拟结果表明该滤波器对于相关噪声,尤其是有幅值变化和时间延迟的情况, 有很强的抑制效果. 该滤波器有很宽的带宽.利用它可以使心磁信号的信噪比提高到器件的本征噪声水平. 利用周期平均的方法进一步提高信噪比, 对滤波前后心磁信号的频谱进行了分析.     

三角波调制对谐振微光学陀螺偏置稳定性的影响（英文）

谐振式微光学陀螺是一种新型的惯性传感仪器,与传统的机械陀螺与其他光学陀螺相比具有很多理论上的优势。通过分析抑制载波和提高信噪比,深入地研究了三角波调制频率和幅度对谐振式微光学陀螺偏置稳定性的影响。通过理论计算和仿真分析,考虑得到更好的载波抑制效果,调制幅度应选为15.44V;考虑提高信噪比,调制频率应设为1 MHz。搭建了谐振式微光学陀螺系统,实验测试结果与理论分析吻合较好。此外,采用优化的调制参数,陀螺的偏置稳定性由0.39(°)/s提高到0.18(°)/s(10s积分时间)。研究结果表明:选择优化的调制三角波参数可以将陀螺偏置稳定性提高一倍,对于其他调制方案,如正弦波相位调制方案,同样可以通过分析载波抑制和信噪比优化调制参数,改善陀螺偏置稳定性。     

RyMxC04-xSb12化合物的晶格热导率

系统地研究了离子半径不同的Ba,Ce,Y作为填充原子及Fe,M作为置换原子对填充化合物RyMxCo4-xSb12晶格热导率的影响规律.结果表明在skutterudite结构的Sb组成的20面体空洞中,Ba,Ce,Y的填充原子能显著降低其晶格热导率,且晶格热导率降低幅度按Ba,Ce,Y离子半径减小的顺序而增大.Sb组成的20面体空洞部分被Ba,Ce填充时,晶格热导率最小,填充原子的扰动对声子的散射作用最强.在Co位置上Fe和M的置换,能显著地降低RyMxC2o4-xSb12化合物的晶格热导率,与Fe比,M对晶格热导率的影响更强.     

PHOTODIFFRACTIVE EFFECTS IN SEMICONDUCTOR MICROSTRUCTURES

We have investigated the photodiffractive effect induced by resonant excitations in semiconductor microstructures by means of the multiple wave coupling method. We have derived set of multiple wave coupling equations for photodiffractions in the case of coexistence of refraction and absorption gratings. Numerical results of the equations for a few typical cases have been analysed in detail, and their physical significance is also discussed.     

光纤弯曲与抗弯曲光纤

本文讨论了光纤弯曲后的性质变化，叙述了弯曲损耗与一些因素之间的关系以及对匹配包层光纤和压纸内包层光纤进行了比较，最后提出了一种对弯曲不灵敏的实用光纤。