Co-crystallization of Resorcin[4]arene Tetracarboxylic Acid with Triethylamine: Synthesis and Crystal Structure

Treatment of resorcin[4]arene tetracarboxylic acid 1 with triethylamine in the presence of Co(CH3COO)2·4H2O and 4,4'-bipyridine gave a co-crystallization 14-·4Et3NH+(C32H20O164-·4Et3NH+,Mr=1069.27) from ethanol and water.The compound was structurally determined by single-crystal X-ray diffraction.The crystal belongs to monoclinic,space group P21/n,with a=8.1763(18),b=12.913(3),c=28.724(7) ,β=97.574(4)o,V=3006.3(12) 3,Z=2,Dc=1.181 g/cm3,F(000)=1152,Rint=0.0275,T=293(2) K,μ=0.086 mm-1,the final R=0.0634 and wR=0.1752 for 5082 observed reflections with Ⅰ 2σ(Ⅰ).The co-crystallization is very stable at room temperature.Possibly,a network of N-H···O(=C) plays an important role in the structure.Meanwhile,the compound emits a weak cyan luminescence with peak maximum band at 458 nm.     

脱氧核糖核酸分子设计在电化学生物传感器中的应用

基于特殊DNA序列的构型变化的电化学生物传感器是一种高灵敏、高特异性的生物分析方法.固定在电极表面的特殊DNA探针(茎环、核酸适配体、四聚体等)因为目标物质的结合而发生构型变化,从而产生可检测的电化学信号,这种策略操作简便而且特异性强,引起了研究者的广泛关注.本文总结了目前基于基因构型变化的电化学生物传感器的发展历程.     

新型纳米金直接修饰玻碳电极的制备及其电催化活性

在不使用交联剂的情况下,借助种子媒介纳米金属生长法将纳米金直接修饰到玻碳电极表面.试验发现纳米金粒子在电极表面覆盖率为5.4×10-10 mol·cm-2,[Fe(CN)6]3-/[Fe(CN)6]4-氧化还原电子探针的试验证明,纳米金修饰玻碳电极表面的电子传递速率是使用交联剂制备电极的四倍.与裸玻碳电极相比,抗坏血酸在该电极表面的氧化峰电位负移150 mV,峰电流提高2.2μA,同时与尿酸的氧化峰电位差达到186 mV,可用于抗坏血酸和尿酸的同时检测.     

二醋酸碘苯在含氮杂环化合物中的合成应用:1,2-苯基-1H-苯并眯唑类衍生物的合成

通过使用二醋酸碘苯(IBD)氧化N,N'-二芳基苄基脒,合成了一系列取代苯并咪唑.该反应条件温和,操作简便.产物结构通过1H NMR,13C NMR,MS,IR进行了确定.根据实验结果对该反应提出了可能的反应机理.     

基于SIMULINK仿真的基础隔震-PTMD混合控制结构的抗震分析

研究顶层设置被动调谐质量阻尼器的基础隔震混合控制结构的抗震性能.建立该混合控制结构的数学模型,应用双线型恢复模型描述橡胶垫隔震层的弹塑性特性.在SIMULINK环境下对混合控制结构进行仿真动力分析.通过具体结构的地震动力的时程反应分析.经仿真分析表明,证实了混合控制制震效果优于单一的被动控制.     

锰取代血红蛋白的制备及其类酶活性的研究

将Mn-原卟啉Ⅸ与脱辅基血红蛋白重组得到Mn取代Fe的重组血红蛋白，用紫外-可见光谱法和SDS-PAGE电泳法对Mn取代的血红蛋白进行了鉴定．检测了血红蛋白和Mn取代的血红蛋白的过氧化物酶活性和过氧化氢酶活性．研究发现，Mn取代的血红蛋白的过氧化物酶活性是血红蛋白的70％，过氧化氢酶活性约是血红蛋白的1．9倍．     

超总体模型下有限总体的估计

超总体模型是抽样理论与统计学其它分支联系的桥梁,借助于超总体模型研究抽样理论是一个有前途的方法．本文综述了这方面的结果,包括总体目标量的估计及其精度估计,同时提出了若干未来的研究问题．     

Bias dependence of a deep submicron NMOSFET response to total dose irradiation

Deep submicron n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (NMOSFETs) with shallow trench isolation (STI) are exposed to ionizing dose radiation under different bias conditions.The total ionizing dose radiation induced subthreshold leakage current increase and the hump effect under four different irradiation bias conditions including the worst case (ON bias) for the transistors are discussed.The high electric fields at the corners are partly responsible for the subthreshold hump effect.Charge trapped in the isolation oxide,particularly at the Si/SiO 2 interface along the sidewalls of the trench oxide creates a leakage path,which becomes a dominant contributor to the offstate drain-to-source leakage current in the NMOSFET.Non-uniform charge distribution is introduced into a threedimensional (3D) simulation.Good agreement between experimental and simulation results is demonstrated.We find that the electric field distribution along with the STI sidewall is important for the radiation effect under different bias conditions.     

强流脉冲电子束应力诱发的微观结构

利用强流脉冲电子束装置在各种工艺条件下对奥氏体不锈钢、单晶铝及多晶铝等面心立方金属进行辐照处理.利用扫描电子显微镜和透射电子显微镜等详细分析了辐照样品的变形组织与结构.通过分析，在一定程度上建立起强流脉冲电子束诱发的应力特征与变形结构之间的关系，并对目前现有的几种应力波数值模拟结果进行了分析.实验结果表明，强流脉冲电子束能够在材料内部诱发10²—10³MPa的应力，其传播方式与材料的 晶体结构关系密切.这一应力是导致材料深层性能与微观组织结构发生变化的根源所在. 关键词： 强流脉冲电子束 应力 微观结构 变形     

沟槽型硅微结构中子探测器的蒙特卡罗模拟研究

采用蒙特卡罗模拟方法研究了微结构参数、填充致密度等因素对沟槽型微结构半导体中子探测器(MSND)性能的影响规律,并开展了沟槽型MSND的优化设计研究。研究表明,随着沟槽间距的增加,MSND的探测效率呈下降趋势;当沟槽间距固定时,存在最优的沟槽宽度使得探测效率最大化;沟槽深度越大,探测效率越高。沟槽宽度和沟槽间距为15μm和5μm是一对优化的参数组合,可保证较高的探测效率和较平稳的系统甄别阈-探测效率曲线。当系统甄别阈取300keV时,沟槽宽度、间距和深度分别为15,5μm和200μm时的MSND热中子本征探测效率可达37.77%,与平面探测器相比提高了9.2倍;对137 Cs源662keV伽马射线的中子-伽马射线甄别比可达4.1×103,与平面探测器相比提高了23.7倍。本工作从理论上证明了MSND可解决传统平面型半导体中子探测器探测效率低的难题,同时可保持半导体探测器中子-伽马射线甄别容易的特点。