Design of vertical diamond Schottky barrier diode with junction terminal extension structure by using the n-Ga2O3/p-diamond heterojunction

A novel junction terminal extension structure is proposed for vertical diamond Schottky barrier diodes (SBDs) by using an n-Ga₂O₃/p-diamond heterojunction. The depletion region of the heterojunction suppresses part of the forward current conduction path, which slightly increases the on-resistance. On the other hand, the reverse breakdown voltage is enhanced obviously because of attenuated electric field crowding. By optimizing the doping concentration, length, and depth of n-Ga₂O₃, the trade-off between on-resistance and breakdown voltage with a high Baliga figure of merit (FOM) value is realized through Silvaco technology computer-aided design simulation. In addition, the effect of the work functions of the Schottky electrodes is evaluated. The results are beneficial to realizing a high-performance vertical diamond SBD.     

压力对固体氩中杂质钠原子吸收光谱的影响

利用等温等压系综Monte Carlo方法, 在低温下(T = 10 K)研究了压力的变化(0~2.4 GPa)对固氩掺钠体系中杂质钠原子吸收光谱的影响. 对于替代数为n_v = 1和2两种掺杂体系, 压力的增加都没有改变钠原子俘获点周围的局域对称性, 只是减小了钠氩、氩氩之间的距离, 使得体系更加致密. 但压力的增大导致了钠原子的吸收谱逐渐变宽, 峰位以及质心谱移向低能方向移动, 即出现红移. 对局域结构属于高对称俘获点n_v =1的掺杂体系, 在较低压力下, 吸收谱为高对称三体线形. 随着压力的增加, 吸收谱开始变宽并移动, 吸收谱重叠成单峰形状. 对局域结构属于低对称性俘获点n_v =2的掺杂体系, 在较低压力下, 吸收谱为单峰加双峰的吸收线形. 随着压力的增大, 单双峰之间的劈裂增大, 双峰重合成单峰形状.     

金刚石薄膜热沉制备的研究

1967年Dyment等人利用Ⅱα型天然金刚石制备出了用于GaAs半导体激光二极管散热用的金刚石热沉,并用该热沉首次实现了这一激光二极管的室温连续工作。但是由于受到制备成本的限制,利用天然及高压合成金刚石制备的热沉一直没有得到推广应用。 本文用灯丝热解CVD方法,合成了厚度为100μm的金刚石多晶薄膜,通过真空蒸发     

单壁碳纳米管在不同材质基片银膜上的表面增强拉曼光谱

在玻璃、白宝石和石英基片上,利用化学沉积法和溶胶法制备了纳米结构活性银膜,系统地研究了两种不同方法制备的单壁碳纳米管(SWNT)的表面增强拉曼光谱(SERS)的G带和D带.同一样品的G带,在不同基片上的峰移量不同,在白宝石基片上移动更大,峰强更高,可以更敏感地反映SERS效应.D带的峰形随基片不同而改变.金属性管的含量较高的样品,其D带光谱的峰移较半导体性管含量较高的样品更显著,表明金属性碳纳米管与SERS活性银膜的界面相互作用更强.     

氮化硼薄膜内应力的红外光谱研究

用射频(RF)磁控溅射制备了立方氮化硼(c-BN)薄膜。FTIR光谱和电子衍射实验表明:该薄膜是纯的,其结晶度很高。FTIR光谱研究指出,基板负偏压是c-BN相形成的重要因素,但也由此产生了c-BN薄膜的应力,且负偏压越高,产生的应力越大。比较透射谱和反射谱的结果,c-BN薄膜表面层的应力小于内部的。按照c-BN形成的压力模型,表面应力小到一定程度可能影响c-BN的继续生长。一个特制的分层结构BN薄膜保留了由于应力造成的c-BN的裂纹,这个裂纹分布在一些同心圆上,中心是缺陷或杂质,同心圆之间有明显的分界线,把c-BN表层分割成许多应力区。     

高压下稀土离子的电子态

给出了稀土离子电子态在高静水压下的某些特性,包括高压下的发光光 谱及能级特性,晶体场强度的压力效应,4f电子库仑排斥及自旋轨道耦合等作用随压力 的变化等。     

P2O5对Li2O-SiO2-Al2O3-K2O-ZnO体系微晶玻璃析晶性能的影响

采用差热分析、X射线衍射及扫描电镜分析手段研究了P₂O₅对Li₂O-SiO₂-Al₂O₃-K₂O-ZnO体系牙科微晶玻璃析晶性能的影响, 并确定了P₂O₅的最适含量. 结果发现P₂O₅是该玻璃体系的有效成核剂, 未添加P₂O₅的玻璃体系成核密度低, 热处理后不能形成微晶体, 且主晶相为硅酸锂; 添加P₂O₅使玻璃在热处理后形成以二硅酸锂为主晶相的微晶玻璃. 该玻璃体系中添加4.5 wt%的P₂O₅可以得到较高体积含量和理想显微结构的牙科二硅酸锂微晶玻璃. P₂O₅含量为6 wt%的基质玻璃发生乳浊, 呈不透明的乳白色.     

压力对La_(0.3)Bi_(0.2)Ca_(0.5)MnO_3中晶格畸变的影响

利用同步辐射X射线衍射技术 ,对La0 .3Bi0 .2 Ca0 .5MnO3 中存在的Jahn Teller畸变进行了原位的高压研究。实验表明 ,外加压力能有效地影响到晶格中Mn—O键长和Mn—O—Mn键角的变化。当压力为 1.8GPa时 ,在晶格中存在的两种不同畸变模式之间的相互作用下 ,导致了位于a b基面上的Q2 畸变模式的消失     

In-Situ Resistivity Measurement of ZnS in Diamond Anvil Cell under High Pressure

An effective method is developed to fabricate metallic microcircuits in diamond anvil cell (DAC) for resistivity measurement under high pressure. The resistivity of nanocrystal ZnS is measured under high pressure up to 36.4 GPa by using designed DAC. The reversibility and hysteresis of the phase transition are observed. The experimental data is confirmed by an electric current field analysis accurately. The method used here can also be used under both ultrahigh pressure and high temperature conditions.     

无定形硒的高压同步辐射研究

采用原位高压同步辐射X射线衍射技术, 利用金刚石对顶砧(DAC)装置产生高压, 测定了无定形硒在室温下、74.3GPa的压力范围内的同步辐射X射线衍射谱. 在实验压力范围内, 发现无定形硒在10GPa到11Gpa压力范围内发生了压致结晶变化, 其结晶后的产物为六角晶体与一种新的高压金属相^{[6]<\sup>的混合体. 值得说明的是该高压金属结构一直到42GPa时仍稳定存在, 到42GPa以后才转变成正交结构. 分别观察到了在30GPa和60GPa左右发生的从单斜相到正交相和从正交相到菱方相的结构相变, 这分别与Mao等人[1]<\sup>和Akahama等人[3]<\sup>从六角结构硒晶体出发得到的实验结果相同.}