石墨相氮化碳的制备及表征

采用高能球磨法, 以氮化锂和酰氯氰脲作为前驱物, 并在反应物中滴入少量丙酮制备石墨相氮化碳. 将获得物在真空条件下的管式炉中热处理, 制备出球形体材料.  XRD结果表明, 合成的样品为结晶的石墨相氮化碳.  FTIR和XPS给出合成的石墨相氮化碳内部氮原子和碳原子的主要键合状态.  通过透射电子显微镜分析可知, 合成样品主要由直径为200~300 nm的球形粒子组成.       

固氢金属化转变压力的理论计算

 利用简单金属的赝势理论方法计算了固氢的金属转变压力,并探讨了金属氢可能的晶体结构及力、热物性。计算结果表明,在绝对零度条件下,分子态固氢（HCP结构）向原子相金属氢（FCC结构）的转变压力p_t=465.95 GPa。     

快速沉积的金刚石薄膜生长特性

本文研究了用直流电弧等离子体喷射法快速沉积的金刚石薄膜的生长特性,并与用热解CVD法沉积的金刚石薄膜生长特性做了比较。     

cBN晶体的Raman光谱测量

 用R1000激光共聚焦Raman光谱仪研究了高温高压合成棒中的立方氮化硼（cBN）晶体、原材料六方氮化硼（hBN）和催化剂。Raman光谱测量结果表明：伴随cBN晶体生长的散射峰,出现了两条全新的Raman散射峰（约1.088 cm^-1和约1.368 cm^-1）。该散射峰所对应的物质可能是在高温高压条件下hBN向cBN转变时生成的不完全产物——BN的一种新相。这一结果将有助于进一步讨论cBN的生长机理。     

Ba2-xLaxTi4O11在静高压下的拉曼振动光谱及软模相变研究

 本文测量了Ba_1.8La_0.2Ti₄O₁₁和Ba_1.6La_0.4Ti₄O₁₁在静高压下的拉曼振动谱，发现了软模的耦合模行为。通过比较Ba₂Ti₄O₁₁的热力学理论计算值和实验数据，确认这种耦合是软模和一个声学模间的耦合，发生的相变是一个由具有B_g对称性的带中心软光学声子驱动的二级铁弹相变。     

三聚氰胺(C_3N_6H_6)的高压Raman与压致结构相变研究

本文在8 7GPa压力范围内研究了三聚氰胺(C3N6H6)的高压原位Raman光谱。通过内、外Raman活性模的压致效应,发现在1 5GPa和6 0GPa压力下该分子晶体发生了压致结构相变。用空间群相关原理确认在1 5GPa压力下它从单斜相转变为三斜相;在6 0GPa压力下又发生了另一次结构相变。然后在室温高压条件下对三聚氰胺进行了原位同步辐射能量散射x-ray衍射实验(EDXD),在14 7GPa压力范围内,观察到常压下为单斜晶系的三聚氰胺经历了两次压致结构相变。在1 3GPa下,三聚氰胺分子晶体从单斜相转变为三斜相;在8 2GPa又转变为正交相。本实验结果为利用三聚氰胺碳氮有机分子晶体高温高压合成超硬C3N4共价晶体的研究提供了重要信息。     

A New Method for Preparation of Nanocrystalline Molybdenum Nitride

Nanocrystalline molybdenum nitride （γ-Mo2N） with the cubic structure is prepared by the direct-current arc discharge method in N2 gas, using metal Mo or W rod as a cathode. The x-ray diffraction （XRD） and transmission electron microscopy （TEM） are used to characterize the product. It is found that the conversion of Mo to γ-Mo2N and affinity of Mo to N2 are determined by the nitrogen pressure. Moreover, we compare the effect of Mo and W rod as a cathode for preparing γ-Mo2N. The average size of γ-Mo2N particles is about 5 nm. The rapid quenching mechanism can be used to explain the formation of nanocrystalline γ-Mo2N.     

三-(2,4-二特戊基苯氧基)-(对羧基苯氧基)酞菁铜拉曼光谱

观测了三-(2,4-二特戊基苯氧基)-(对羧基苯氧基)酞菁铜的共振与非共振拉曼光谱,比较二者的差异对某些振动谱带的归属进行了修正。     

Phase Transition of Graphitic-C3N4 under High Pressure by In Situ Resistance Measurement in a Diamond Anvil Cell

In situ resistance measurement of Graphitic-C3N4 has been performed under high pressure in a diamond anvil cell. The result reveals that there are changes of electron transport behaviour. As the pressure increases from ambient to 30 GPa, three abnormal resistance changes can be found at room temperature and two are found at 77K. The abnormal resistance dropped at 5 GPa is close to the phase transition pressure from the P6m2 structure to the p structure predicted by Lowther et al. [Phys. Reg. B 59 (1999) 11683] Another abnormal change of resistance at 12 GPa is related to the phase transition from g-C3N4 to cubic-C3N4 [Teter and Hemley, Science 271 (1990) 53].     

3GPa下高聚物固体的等温压缩行为

十种聚合物固体的等温压缩实验证明Tait方程和Murnaghan方程在0—3GPa范围内能够精确地描述非晶、半晶和结晶聚合物的P-V关系;Tait参数C_T=0.0894,Mumaghan参数C_M=0.1016为普适值。这两个方程的线性式用起来颇方便;当有压致松弛时可进行分段处理,能获得有关结构松弛的信息。对Bridgman多项式的适用性也进行了讨论。并计算了Gr(?)neisen参数。