溴邻苯三酚红双波长分光光度法测定铝合金中铜北大核心CSCD

在铝合金中加入铜,能增加铝合金的强度,提高铝合金的应力腐蚀抗力,因此测定铝合金中铜的含量具有重要意义。溴邻苯三酚红是一种重要的显色试剂,已用于羟自由基[1]、碘[2]、蛋白质[3]、乙二胺四乙酸（EDTA）[4]、钼[5]、硒[6]、铌[7]、铝[8]等的测定。双波长分光光度法在光度分析中的应用较为广泛[9-10]。     

在物理化学课程中培养大学生逻辑思维能力的探索与实践

逻辑思维是培养解决问题能力和发展创新能力的基础。要促进大学生综合素养的发展首先要促进其逻辑思维能力的形成和发展。结合物理化学课程的特点,在教学中通过创设真实问题情境,为学生逻辑思维能力的培养提供载体;拆解思维逻辑,有的放矢培养逻辑思维以及构建即时评价体系,切实促进逻辑思维能力发展。实践证明相关策略能够有效促进学生科学思维能力的发展,在观察、分析、综合、概括、判断以及推理等方面都有所提升。     

超高效液相色谱-串联质谱法测定水产品中5种卡因类麻醉剂及其代谢物的不确定度

采用超高效液相色谱-串联质谱法,对水产品中卡因类麻醉剂3-氨基苯甲酸乙酯甲磺酸盐及其代谢物间氨基苯甲酸、苯佐卡因及其代谢物对氨基苯甲酸和对乙酰氨基苯甲酸残留量的不确定度进行评定,根据BJS 202110《水产品及相关用水中12种卡因类麻醉剂及其代谢物的测定》建立数学模型,分析影响测量不确定度的主要因素。目标水产品中3-氨基苯甲酸乙酯甲磺酸盐、间氨基苯甲酸、苯佐卡因、对氨基苯甲酸、对乙酰氨基苯甲酸质量分数测定结果分别为0.70、5.53、0.67、6.19、7.33μg/kg,扩展不确定度分别为0.07、0.52、0.09、0.59、0.99μg/kg (k=2,置信区间=95%)。结果显示该方法测量不确定度主要来源于标准溶液配制和标准曲线的拟合。该评定方法为卡因类麻醉剂的测定提供技术依据,解决该方法不确定度的溯源问题。     

偏微分方程求解的一种新颖方法-格子Boltzmann模型

介绍了一种偏微分方程求解的一种新颖方法格子Boltzmann模型,详细分析了它的基本理论和基本原理.并通过不可压Navier-Stokes方程组和二维含源项扩散方程的数值模拟计算实例,说明格子Boltzmann方法的有效性,展示了广阔的应用前景,为今后更深入的研究和广泛应用提供参考.     

高超声速火星进入环境中颗粒运动特性研究

火星大气中会发生不同规模的沙尘暴,大气中蕴含的尘埃颗粒会对高速进入的火星探测器表面造成侵蚀并导致壁面热流增加,给探测器的热防护系统设计带来巨大挑战.文章针对高超声速火星进入环境两相流动问题,基于Euler-Lagrange框架建立非平衡流场与颗粒的单向耦合计算方法,采用模态半径为0.35μm的火星大气颗粒分布模型,研究不同尺寸颗粒在流场中的运动轨迹,获得高温相变模型对颗粒运动的影响以及不同粒径颗粒的撞击能量分布.结果表明,颗粒在高温流场中运动会吸热融化甚至蒸发,高温相变模型导致的颗粒直径减小对小尺寸颗粒运动轨迹有较大影响;当前计算状态下,直径3μm以上的颗粒具有较大的Stokes数且颗粒半径在运动过程中基本保持不变,其运动轨迹受流场影响较小,该尺寸颗粒的撞击分数均达95%以上,是造成壁面撞击的主要颗粒尺寸;撞击能量分数结果表明,直径3～10μm之间的颗粒是撞击能量的主要来源,约占总撞击能量的80%.     

2011年度物理科学一处科学基金项目分析综述

2011年国家自然科学基金委员会数学物理科学部物理科学一处的项目评审工作顺利结束,在广大物理科研工作者和项目依托单位基金管理人员的支持下,按计划完成了各类项目的评审工作．现向物理学界各位专家汇报如下．     

斯塔克效应对两模双光子J-C模型腔场谱的影响

研究了斯塔克(Stark)效应对两模双光子Jaynes-Cummings(J-C)模型腔场谱的影响,推导计算出了腔场处于光子数态时腔场谱的计算公式和数值结果,讨论了斯塔克效应和初始场强对腔场谱的影响。发现斯塔克效应在弱场条件下对腔场谱线的频率和强度都有明显的影响,破坏了谱结构的对称性,使两模的谱线更加丰富。初始场较强时斯塔克效应对谱线的影响较弱。模Ⅰ为真空场、模Ⅱ初始场强递增时,斯塔克效应使模Ⅱ的高频峰受到较强的抑制作用,其低频峰在初始场较弱时受到抑制,初始场较强时又有强化作用,初始场更强时,模Ⅱ的谱线退化为经典的共振荧光谱,与无斯塔克效应的情况基本相同。     

Growth of Semi-Insulating GaN Using N2 as Nucleation Layer Carrier Gas Combining with an Optimized Annealing Time

Semi-insulating （SI） GaN is grown using N2 as the nucleation layer （NL） carrier gas combined with an optimized annealing time by metalorganic chemical vapour deposition. Influence of using 1-12 and N2 as the NL carrier gas is investigated in our experiment. It is found that the sheet resistance of unintentionally doped GaN can be increased from 10^4 Ω/sq to 10^10 Ω/sq by changing the NL carrier gas from 1-12 to N2 while keeping the other growth parameters to be constant, however crystal quality and roughness of the tilm are degraded unambiguously. This situation can be improved by optimizing the NL annealing time. The high resistance of GaN grown on NL using N2 as the carrier gas is due to higher density of threading dislocations caused by the higher density of nucleation islands and small statistic diameter grain compared to the one using 1-12 as carrier gas. Annealing the NL for an optimized annealing time can decrease the density of threading dislocation and improve the tilm roughness and interface of AlGaN/GaN without degrading the sheet resistance of as-grown GaN signiticantly. High-quality SI GaN is grown after optimizing the annealing time, and AlGaN/GaN high electron mobility transistors are also prepared.     

非等同两原子与相干态光场相互作用系统的腔场谱

研究了两个非等同二能级原子与单模相干态光场相互作用系统的腔场谱,讨论了相干态光场平均光子数(n)、非等同两原子与腔场间相对的耦合常数R=g2/g1分别取不同数值时腔场谱结构的新特性.发现随(n)和R的增加,腔场谱中内侧各峰升高并向共振频率ω0靠近,外侧各边峰逐渐降低并远离中心,形成以共振频率ω0为对称中心的多峰结构.在(n)＞＞1时,腔场谱中只出现经典共振峰.     

使用AlN/GaN超晶格势垒层生长高Al组分AlGaN/GaN HEMT结构

在蓝宝石衬底上生长了以AlN/GaN超晶格准AlGaN合金作为势垒的HEMT结构材料,并与传统AlGaN合金势垒样品进行了对比.在高Al组分(≥40%)情况下,超晶格势垒样品的表面形貌明显改进,电学性能特别是2DEG面电子浓度也有所改进.对超晶格势垒生长参数进行了初步优化,使得HEMT结构薄层电阻进一步降低,最后获得了251 Ω/□的薄层电阻. 关键词： AlGaN/GaN 结构 AlN/GaN超晶格 二维电子气 高电子迁移率晶体管