不同环境下温室黄瓜叶片蒸腾速率的研究

为了研究环境对温室黄瓜叶片蒸腾速率的影响，以P-M方程为基础模拟了温室黄瓜叶片蒸腾速率在不同温度、相对湿度、光照和土壤温度下的响应状况。拟合结果表明：不同温度、相对湿度、光照、土壤温度下蒸腾速率的模拟值与实测值一致性较好，相关系数平方R2分别为0．728、0．667、0．818和0．824。结果表明：该模型对实现设施农业的高产、优质高效和持续发展具有重要的理论意义和实用价值。     

煤矿井下电网开关越级跳闸的原因及对策

文章首先阐明了井下电网开关越级跳闸的危害和预防的重要性,对煤矿井下供电系统出现越级跳闸问题予以说明与分析,重点分析了井下开关越级跳闸的原因,提出了问题的解决方法。文中提出了预防井下电网开关越级跳闸的技术手段与其他方法,引入有功导纳增量等方法,能够有效的避免因越级跳闸造成的大面积停电,使井下供电更安全可靠。     

Wakamatsu tilting模的性质

设宋狝rtin代数,对给定的Wakamatsu tilting 模,Wakamatsu tilting cotorsion pair以及相关类的性质.     

电气设备状态检修探讨与实践

本文主要进行了现行检修模式存在问题的剖析，开展状态检修的可行性分析，建议大屯电网状态检修采用的模式。根据大屯电网目前的状况，建议电气设备检修采用“全过程控制＋状态监测＋状态检修”与“局部的定期检修或定期更换或故障后检修（点检制）”相结合的模式，宗旨是：“控制状态，掌握状态，视情检修”。     

谈音乐听觉能力在音乐欣赏中的重要性

音乐是听觉的艺术，良好的音乐听觉能力是准确、深刻地欣赏音乐的基础。良好的音乐听觉能力可以引起欣赏者的情感体验，使欣赏者伴随音响感知和情感体验产生丰富的想象与联想，将音乐作品的内涵在欣赏者的内心听觉中创造性地再现，给音乐作品恰当、理性的评价。良好的音乐听觉能力是音乐欣赏的前提和核心。     

金属动态凝固过程的计算机模拟

本文采用有限差分法,用BASIC语言编制了凝固过程的计算机模拟程序EDUCAT,并以纯金属A1及具有结晶温度范围的合金A1-Cu5%两类典型材料为例进行了模拟计算.计算结果展示了它们的凝固方式,并由计算机直接得到了凝固区域结构和动态凝固曲线(表示凝固进程的距离一时间曲线),与实测结果比较,证实了模拟结果的可靠性.     

过氧乙酸氧化木质素磺酸钠

为有效降解并利用木质素及其衍生物,研究了采用不同起始浓度和反应温度的过氧乙酸(PAA)溶液对木质素磺酸钠(SLS)降解率的影响,并分析了SLS在处理前后分子结构的变化。研究表明,在温度为80℃的条件下,用起始浓度为50 g/L PAA溶液处理SLS 10 h,降解率可达76.6%。仪器分析结果表明,在PAA的作用下,木质素磺酸钠的苯环结构被破坏,产物中—OH含量减少,而C—O和C O结构增加,SLS中的部分磺酸基团被氧化为SO42-,氧化产物中存在CH3—CO—、R1—CH2—O—R2和R1—SO2—R2结构。     

努尔哈赤翼龙传奇

2005年底,中国与巴西的古生物学家宣布发现了杨氏飞龙和布氏努尔哈赤翼龙两种新品种翼龙,并通过对它们的研究,以及对热河生物群已知翼龙化石的分析,认为我国辽宁西部地区是世界上最重要的翼龙化石产地,可能是白垩纪许多重要翼龙类群的起源中心。下面就让我们穿越亿年时空,到努尔哈赤翼龙的地界,看看它是怎么生活的吧……     

简析多次实验与多次测量的作用

物理实验的种类很多，其中测量性实验主要以测量为主；演示性实验主要以观察现象为主；验证性实验和探究性实验既有定性研究又有定量分析的成份，学生不仅要观察现象还要进行测量，并对测量结果分析概括．从物理研究的角度来看，必须经过多次实验才能总结某一结论或归纳某一规律．然而从编写教材与执教的方便考虑，现行课本上的实验在其具体过程中有一部分仅需做一次，但大部分仍安排三次以上，这些实验大都与测量有关．进行多次实验与进行多次测量的作用很多，现分类探讨．     

Growth of Semi-Insulating GaN Using N2 as Nucleation Layer Carrier Gas Combining with an Optimized Annealing Time

Semi-insulating （SI） GaN is grown using N2 as the nucleation layer （NL） carrier gas combined with an optimized annealing time by metalorganic chemical vapour deposition. Influence of using 1-12 and N2 as the NL carrier gas is investigated in our experiment. It is found that the sheet resistance of unintentionally doped GaN can be increased from 10^4 Ω/sq to 10^10 Ω/sq by changing the NL carrier gas from 1-12 to N2 while keeping the other growth parameters to be constant, however crystal quality and roughness of the tilm are degraded unambiguously. This situation can be improved by optimizing the NL annealing time. The high resistance of GaN grown on NL using N2 as the carrier gas is due to higher density of threading dislocations caused by the higher density of nucleation islands and small statistic diameter grain compared to the one using 1-12 as carrier gas. Annealing the NL for an optimized annealing time can decrease the density of threading dislocation and improve the tilm roughness and interface of AlGaN/GaN without degrading the sheet resistance of as-grown GaN signiticantly. High-quality SI GaN is grown after optimizing the annealing time, and AlGaN/GaN high electron mobility transistors are also prepared.