超音速叶栅与变动来流干扰的噪音计算

一、序言 文献[1]介绍了后掠超音速叶栅由于振动引起的非定常空气动力的计算方法,用它可预估超音速叶栅非失速颤振。文献[1]的理论也可用来计算变动来流干扰引起的作用于叶片上的非定常空气动力以及因之而产生的噪音。本文介绍其方法的概要和一些算例。 这方面,梶,岡崎和西山,小林对于直叶栅、難波对于旋转叶栅、菊地对于超音速叶栅进行了研究。菊地着重考察了前置静叶在周向倾斜时的三元影响,本文着重考     

层状多硫代锑(Ⅲ)酸镉(Ⅱ)化合物(1,4-DABH2)Cd2Sb2S6的溶剂热合成与表征

利用溶剂热方法合成了层状多硫代锑髥酸镉髤化合物(1,4-DABH2)Cd2Sb2S6(1)(1,4-DAB=1,4-丁二胺),并通过红外光谱、热重分析对其进行了表征,用X-射线衍射测定了化合物的单晶结构。单晶解析表明,化合物属正交晶系,Cmca空间群,Mr=750.77,a=0.860 3(5)nm,b=0.898 7(6)nm,c=2.273(2)nm,V=1.758(2)nm3,Z=4,λ=0.071 073 nm,R=0.032,wR=0.106 7。晶体结构中含有六元环的Cd2SbS3和八元环的Cd2Sb2S4的阴离子网络层状[CdSbS3]nn-,双质子化的有机阳离子在阴离子层之间以氢键N-H…S形式连接。另外紫外-可见漫反射光谱研究表明,化合物为半导体。     

发光二极管电视、符号显示

国内外对发光二极管单片式、混合式矩阵显示装置正在进行活跃的研究。成为这种二极管显示装置的基本技术有:制备高效率p-n结;在单一晶体基板上制作多个发光元件的集成化技术;把多个发光二极管组装起来的电气联结技术以及最佳的取光结构等。 近年来,由于GaAsP、GaP发光二极管的效率显著提高;集成化技术、组装技术的进展以及结构上的巧妙设计;用发光二极管显示装置部分地取代阴极射线管显示的可能性日趋增大起来。 本文研究了发光二极管平面显示装置的电视图像显示及文字、数字——符号显示的特性;并论述了作者最近试制的GaP绿色发光二极管平面显示装置的结构、特性及在电视显示、符号显示上的应用。     

离子交换色谱法分离测定磷霉素的研究

分别采用全多孔型硅胶基键合强阴离子交换柱与氨丙基键合硅胶柱,在低波长 ２００ ｎｍ 处检测,分离测定了磷霉素 探讨了流动相条件,如ｐ Ｈ 值、离子强度等对磷霉素保留及分离选择性的影响,优化分离条件,建立了一种测定磷霉素的高效液相色谱新方法方法简便、快速     

关于制造光点反射式直流电流计的意见

在鼓足干劲、力爭上游、多快好省地建設社会主义这一总路綫的照耀下,各种新产品已细雨后春筍地出現,全国各地将星罗棋布地出現各种各样的工厂、企业和学校。这些工厂、企业和学校将要求国家市場供应各种各样的机器和仪器。它們究竟应該购置什么型式的机器和仪器,生产仪器、机器的单位应該首先生产什么型式的机器和仪器,这是很值得研究的問題。本文愿就实驗室用光点反射式直流电流計的制造工作,提出若干意見。与实驗室工作者及有关单位共同討論。光点反射式直流电流計在电学、磁学实驗中有各种不同的用途,     

交通流非参数回归模型

交通流宏观参数流量、速度和占有率在交通工程和管理中具有非常重要的作用 ,对这三者关系的刻划反映了道路本身特性和交通流的规律。到目前为止 ,基本上采用线性或非线性的参数模型来描述 ,此类模型在应用中具有一定的局限性 ,并交通变量时间序列进行预测 ,数据拟合表明 ,选择适当的核函数或邻近数以及窗宽 ,可以达到比较满意的效果     

时间相关有限体积法在跨音速叶栅流场计算上的应用

本文在分析J.D.Denton格式的基础上,采用了R.W.MacCormack时间分裂有限体积法来计算跨音速叶栅流场,使计算与实验结果更加吻合.介绍了使用当地容许时间步长和加密网格法来加速计算收敛的效果.分析了几种人工粘性方法.对以滞止焓沿流线不变的关系代替能量方程时,流场中信息的传播规律进行了讨论.     

氨分压对液相外延GaP材料的影响

GaP是间接能隙的半导体材料,发光效率低.在GaP中掺氮可以提高发光效率,但掺氮量过高会导致外延层表面高低不平和增加光吸收,而降低发光效率.国外报导的最佳掺氮量不一,一般为8×1017～4×1018/厘米3[1][2][3].多数是采用通氨掺氮的方法.本文也是以氨做为氮的掺杂源.先用干冰收集成液体氨然后用氢气携带液体氨,实现氮的掺杂.在其它外延条件相同的情况下,只改变氢气中的氨分压,进行液相外延生长,发现所生长的GaP外延片的氮峰强度,外延片表面平整度,外延片所制发光管的总光通量,功率效率和氨分压有关.     

金刚石表面杂质的深度分布

 利用二次离子质谱法（SIMS）测量和分析了金刚石的表面杂质。为获得表面杂质的深度分布，采用了离子剥蚀法，用15 keV的Ar⁺总共剥蚀了6 400 s，以N、Na、Mg和Si四种杂质作为研究对象。结果表明，各种杂质的浓度最大值均位于最外表面的一薄层内，它相当于剥蚀时间不足6.5 min。对于某一给定的杂质，在不同样品的最外表面上的浓度可以相差很悬殊。但当Ar⁺剥蚀30 min以后，不同样品中的浓度相差不大，且同一样品中，各种杂质的浓度随剥蚀时间的增大（即随深度的增加）变化不大。     

缓变下垫面对浅水方程的动力学订正

讨论了当下垫面随时间缓慢变化时浅水方程的形式. 从控制大气运动的连续性方程和动量方程出发, 将下垫面的缓慢变化作为一个小量叠加到固有下垫面函数上, 利用大气的上下边界条件, 得到改进的浅水方程. 在改进的浅水方程中, 由缓变局部水平体积散度, 订正了局部水平体积散度和流体局部厚度变化之间的平衡, 在此基础上得到包含下垫面缓变的涡度方程.