首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1657篇
  免费   172篇
  国内免费   305篇
化学   378篇
晶体学   6篇
力学   91篇
综合类   15篇
数学   64篇
物理学   456篇
综合类   1124篇
  2024年   22篇
  2023年   67篇
  2022年   73篇
  2021年   44篇
  2020年   37篇
  2019年   41篇
  2018年   40篇
  2017年   32篇
  2016年   32篇
  2015年   57篇
  2014年   94篇
  2013年   85篇
  2012年   71篇
  2011年   68篇
  2010年   71篇
  2009年   90篇
  2008年   104篇
  2007年   76篇
  2006年   83篇
  2005年   83篇
  2004年   78篇
  2003年   54篇
  2002年   69篇
  2001年   58篇
  2000年   68篇
  1999年   49篇
  1998年   41篇
  1997年   39篇
  1996年   47篇
  1995年   45篇
  1994年   33篇
  1993年   26篇
  1992年   38篇
  1991年   22篇
  1990年   37篇
  1989年   21篇
  1988年   19篇
  1987年   16篇
  1986年   13篇
  1985年   15篇
  1984年   12篇
  1983年   18篇
  1982年   10篇
  1981年   4篇
  1980年   10篇
  1979年   2篇
  1978年   4篇
  1966年   2篇
  1963年   3篇
  1959年   2篇
排序方式: 共有2134条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
通过Suzuki偶合反应合成出一种主链中含2,7-取代咔唑的蓝光发射共轭聚合物,聚[2,7-(9,9-二辛基芴)-co-2,7-N-十二烷基咔唑](PF27Cz).随着I-(NaI水溶液)的加入,I-的重原子效应使PF27Cz溶液(THF)的荧光逐渐淬灭,其溶液的外观颜色由无色变为浅黄色.通过在相同条件下的对比实验可知其他阴离子的引入并未使PF27Cz的光学性质产生类似的变化.利用Hg2+与I-之间的高结合常数与络合配比,Hg2+的加入使PF27Cz-I-络合物的荧光逐渐回复,其外观颜色也由浅黄色回复至无色.通过对PF27Cz-I-在递增浓度Hg2+存在下的荧光发射性质进行分析可知其对Hg2+的检出限达约为1.6×10-8mol/L.通过对比实验可知背景金属阳离子的存在对Hg2+的光学响应并无明显的干扰.实验结果表明PF27Cz是一类具有较高灵敏度和抗干扰性的turn-on型Hg2+光学探针材料.  相似文献   
62.
采用共浸渍法制备了不同Ce含量的Ce-Cu-Co/CNTs催化剂,考察了其在合成气制低碳醇反应中的催化性能,借助X射线衍射(XRD)、程序升温还原(H2-TPR)、N2吸脱附实验(BET)、透射电镜(TEM)和CO程序升温脱附(CO-TPD)对这些催化剂进行了表征.结果表明,当Ce的质量分数为3%时,低碳醇的时空收率和选择性达到最高,分别为696.4 mg?g-1?h-1和59.7%,其中乙醇占总醇的46.8%,适量Ce的添加能提高Cu物种在催化剂上的分散度和催化剂的还原性能,能显著地增加催化剂吸附CO的能力,促进合成醇活性位的形成,进而明显提高催化剂的活性和总醇的选择性.研究表明,将具有高活性和高碳链增长能力的CuCo基催化剂与碳纳米管的限域效应结合,可实现缩窄产物分布、大幅度提高乙醇选择性的目的.  相似文献   
63.
以硝酸亚铈(Ce(NO33·6H2O)和正硅酸四乙酯(C8H20O4Si)为前驱体,采用溶胶-凝胶法合成了系列具有大比表面积的xCeO2-(1-x)SiO2(x = 0,0.25,0.50,0.75,1)复合氧化物载体,然后浸渍活性组分Ni制得用于甲烷部分氧化制合成气的Ni催化剂。运用N2物理吸附-脱附、X射线粉末衍射、扫描电镜、紫外-可见漫反射光谱、氢程序升温还原、氨程序升温脱附和热重等手段对所得催化剂的组织结构、还原性、表面酸性和积炭行为等进行了表征;同时考察了催化剂的组成、焙烧温度和反应时间等对催化剂在甲烷部分氧化制合成气中催化性能的影响。表征结果表明,该系列Ni/CeO2-SiO2催化剂具有大比表面积,CeO2晶粒较小,NiO的分散性好且易被还原,表面酸性弱,不容易积炭。当Ce/Si摩尔比为1:1,活性组分Ni的质量分数为10%,焙烧温度为700℃时,所制备的Ni/CeO2-SiO2催化剂表现出较好的稳定性、最高的CH4转化率(~84%)和对产物CO及H2的选择性(>87%)。  相似文献   
64.
喀什市城市生态环境质量评价研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
 以1997~2008期间12a的生态环境时间序列数据为数据源,建立了喀什市生态环境质量综合评价指标体系,运用层次分析法确定了各生态因子的权重,得出了影响因子的重要性排序并计算出了生态环境质量综合指数,最终对喀什市生态环境质量进行了评价.研究表明:喀什市生态环境质量综合指数呈现波动性的变化特征,2002年前后的变化状况有区别,2002年以前生态环境综合指数比较低,而且总体上呈现下降趋势,表明生态环境综合质量以下降趋势为主;2002年以后指数既有上升也有下降趋势,但指数比2002年以前的高,表明生态环境质量有所好转,但总的趋势并不理想.生态环境质量评价结果显示,喀什市生态环境综合质量整体上比较差,生态环境形势不乐观,因此喀什市必须要采取措施,加强生态环境建设方面的工作力度.  相似文献   
65.
纳米级晶种预涂层法Silicalite-1型沸石膜合成及其结构分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
在大孔-αA l2O3陶瓷管载体上采用晶种预涂层法在澄清溶液体系中水热合成了S ilica lite-1型沸石膜,用SEM和XRD表征了晶种、晶种涂层后载体和成膜后沸石膜的结构、晶形变化、晶相结构等成膜情况,并初步考查了两种不同温度(130℃和160℃)下生长成膜的结构变化.结果表明:制备的晶种呈椭球形、晶粒小(约100 nm)而均匀、纯度高,适合作晶种涂层成膜;所用载体孔径大而不均匀、表面粗糙而不平整,但经晶种涂层后表面可形成一层厚度均匀、光滑的晶种层,再水热晶化时有利于成膜,所得膜连续、清晰无裂缺,载体、晶种层和沸石膜层之间相互结合紧密;连续晶种层改善了载体表面的性能,有利于连续S ilica lite-1沸石膜的形成;合成温度不同,沸石晶粒在载体表面生长的方向不同,所形成的膜微观结构也不同.该合成方法能适合其他不同类型沸石膜的制备.  相似文献   
66.
信息物理系统(cyber physical system,CPS)的快速发展推动了传统制造产业的快速转型升级。为进一步完善智能制造产线CPS系统的建立,对国内外相关组织和机构对数字孪生定义的研究进行对比和分析,同时使用博图软件对某智能制造产线的数字孪生体进行搭建,构建该智能制造产线从生产、制造、加工、运输到仓储无人化的信息物理系统,并以其成品立体仓库为例进行实验,验证了CPS系统的可行性。为智能制造产线的迭代升级提供数据与现实基础。  相似文献   
67.
为了提高网络入侵检测模型的准确率与泛化性,提出基于随机k-近邻集成算法的网络流量入侵检测模型。首先,该模型提出一种集成赋权距离,来提高预测精度;其次,采用一种随机策略的集成方法对k-近邻模型进行集成,从而提高了其在异常检测过程中的全局和局部优化能力;然后,利用并行计算的方法提高了算法运行的效率;最后,构建了基于随机k-近邻集成算法的网络入侵检测模型,并采用KDD99数据集进行实验。实验结果表明,基于随机k-近邻集成算法相对于其他模型具有更好的检测效果,准确率和召回率分别达到99.05%和91.96%。  相似文献   
68.
当前许多大型企业网络内部多种信息平台独立运行,用户权限认证管理复杂.给出了一种基于角色访问控制授权管理基础设施授权策略的构成,并详述了其授权策略的具体实现,为大型企业多种信息平台用户权限管理提供了一种集中统一的安全解决方案.  相似文献   
69.
环境与健康新杀手--电子垃圾   总被引:6,自引:0,他引:6  
杜壬福 《化学教育》2006,27(3):1-3,17
介绍了电子垃圾的概念、现状,对环境与健康的危害,电子垃圾的未来和对策。  相似文献   
70.
溶剂气浮法去除水中腐殖酸的动力学和热力学初步研究   总被引:5,自引:1,他引:4  
研究了溶剂气浮法去除水中的腐殖酸,该技术可以作为生物处理后的填埋渗出液的后处理方法。腐殖酸通过与表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵生成离子缔合物气浮进入有机溶剂异戊醇而从水中去除。大于计量比的表面活性剂的量在10 m in之内可达92%的去除率。气浮速率在一定程序上随着气流速率的增加而增加,基本上与有机溶剂的体积无关。同时,还考察了电解质、乙醇及溶液的pH值对水中腐殖酸的溶剂气浮过程的影响。研究表明,该溶剂气浮过程遵从一级动力学。气浮过程的表观活化能作为一个特征参数被提出来,其值为2.87 kJ/mol。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号