变截面Timoshenko梁的单元刚度矩阵

变截面构件在工程中应用广泛,在对变截面梁进行数值计算时,需要建立变截面梁单元的刚度矩阵。该文采用势能驻值原理,考虑了轴力引起的几何非线性和剪切变形的影响,将梁截面刚度的变化率作为小量,得到了近似到二阶的单元刚度矩阵。在构造位移模式时,从梁的微分平衡方程出发,得到同样近似到二阶、分别以三次和五次多项式表示的剪切和弯曲位移模式。该文还证明了单元刚度矩阵的奇异性,给出了轴压刚度的表达式,定量论证了与某些精确解的误差,表明在一定范围内,该文的结果具有足够的精度。最后以一个计算实例说明该文的单元刚度矩阵具有较快的收敛性。     

钨酸钠与天然土状石墨在高温氩气氛围中的转化过程

以Na_2WO_4为钨源,天然土状石墨为碳源,研究二者在高温氩气气氛下的转化过程及规律,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及电子能谱(EDS)对产物进行分析。结果表明,Na_2WO_4与石墨的混合样品在氩气气氛下经高温处理,可以生成不同的碳钨化合物。首先,石墨与Na_2WO_4在接触界面发生还原反应,将Na_2WO_4还原为α-W2C和β-W2C;然后,随着石墨增多,当Na_2WO_4与石墨的质量比小于1:1时,石墨开始将α-W2C还原为α-WC,直至Na_2WO_4与石墨的质量比为1:5时,石墨可以将α-W2C完全转化为α-WC。     

宽温域固体自润滑涂/覆层材料的研究进展

随着国防、航空、热核等高新科技的迅速发展,对润滑材料的研发也提出了更高的要求:不仅要求材料在高温下具有优异的减摩耐磨性能,同时要求材料在室温到高温宽温域范围内均具有良好的摩擦磨损性能.因此研制从室温到高温宽温域内均具有良好摩擦学性能的涂/覆层材料意义重大.在综合国内外大量文献的基础上,对宽温域固体自润滑涂/覆层材料的结构设计和性能研究进行了综述,并提出了未来一段时间内宽温域固体自润滑涂/覆层材料的发展趋势.     

基于投机价格模型的房地产发展态势研究

近年来我国房地产业发展迅速,但同时房地产业也面临较为严峻的问题和挑战.基于投机价格衡量法,建立房地产行业发展稳定度模型,并且通过SPSS软件对相关数据进行回归分析,测算出全国房地产市场的发展稳定度,结果表明我国房地产行业发展态势基本处于警戒区域,最后提出促进我国房地产市场健康稳定发展的对策.     

BaTi2As2O电子结构的第一性原理研究

利用基于密度泛函理论的平面波赝势方法,研究BaTi2As2O的能带结构、费米面和态密度.发现:BaTi2As2O是一种非磁性金属,费米能级处的态密度主要来自Ti原子的3d电子,Ti 3d轨道和As 4p轨道有较强的杂化.没有发现其磁性基态,说明Ti原子上没有局域磁矩,与Pickett对Na2Ti2Sb2O的研究结论相吻合.     

溶液中金纳米棒形成过程的光谱动力学分析

通过动态光谱跟踪溶液中金纳米棒的尺度和长径比(AR)的变化,成功地获取粒子的生长过程的动态数据. 该过程分为两步：种子快速形成棒状粒子;棒状粒子在一定AR下的生长. 通过分析体系中的一价金、金粒子和抗坏血酸之间的电荷转移过程,建立了金纳米棒生长过程的电荷转移模型,并很好地解释了动态光谱的实验数据.     

机械泵驱动两相回路的储液器控温策略研究

本文阐述了一种机械泵驱动两相回路的储液器的控温原理,并对待选的两种控温策略进行了解释:一种是基于电压的PI控制,另一种是基于功率的PI控制。文中将它们作了近似等效转换,并用SINDA/FLUINT软件进行模拟。结果显示:当控温点上升时,两种不同控制策略的控温效果大体一致;但当控温点下降时,由于基于功率的PI控制策略包含有Peltier的制冷功能,可以比基于电压的PI控制策略更快到达控温点。另外,基于功率的PI控制策略在死区内的跳跃更少,其应当为优先选择的控制策略。     

谈谈动态探究型问题

探究几何图形在运动变化过程中与图形相关的某些量的变化规律或其中蕴含的结论,这类题目叫动态探究型问题.它主要有以下几种类型:动点问题、动直线问题、图形变换问题等.对于动态几何探究型问题,要注意用运动和变化的眼光去观察和研究几何图形,把握图形运动与变化的全过程,抓住其中的等量关     

Low-voltage antimony-doped SnO2 nanowire transparent transistors gated by microporous SiO2-based proton conductors

A battery drivable low-voltage transparent lightly antimony（Sb）-doped SnO2 nanowire electric-double-layer （EDL） field-effect transistor （FET） is fabricated on an ITO glass substrate at room temperature. An ultralow operation voltage of 1 V is obtained on account of an untralarge specific gate capacitance （- 2.14 μF/cm2） directly bound up with mobile ions-induced EDL （sandwiched between the top and bottom electrodes） effect. The transparent FET shows excellent electric characteristics with a field-effect mobility of 54.43 cm2/V. s, current on/off ration of 2 × 104, and subthreshold gate voltage swing （S = dVgs/d（logIds）） of 140 mV/decade. The threshold voltage Yth （0.1 V） is estimated which indicates that the SnO2 namowire transistor operates in an n-type enhanced mode. Such a low-voltage transparent nanowire transistor gated by a microporous SiO2-based solid electrolyte is very promising for battery-powered portable nanoscale sensors.     

分子束外延n-GaAs/SI-GaAs薄膜材料的拉曼光谱研究

用分子束外延(MBE)技术, 在GaAs(100)衬底上生长了不同Si掺杂浓度（从1016 cm-3到1018 cm-3）的n-GaAs薄膜。通过在室温下拉曼光谱的测量对n-GaAs薄膜的谱形进行了分析,拉曼位移出现了明显的移动,光学横模TO峰相对的增强,光学纵模LO峰相对的减弱。文章分析了原因这是由于Si掺杂浓度不断的提高,致使界面失配位错不断地提高造成的,内部应力也在不断的增大,原来的晶格振动平衡被破坏,四价Si替代了三价Ga致使谱线移动。并且由于横声子模具有Raman活性,横声子模被相对的增强了。实验结果与理论是互相吻合的。