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121.
作为一种新型纳米材料,石墨烯在很多领域都有着广泛的应用,受到了研究者们的高度关注。光催化材料和技术在解决能源和环境问题方面有着非常广阔的应用前景。石墨烯基纳米复合材料具有优良的导电性和电子迁移率、高吸附活性、高比表面积和透明度等优点,可作为一种新型的光催化剂,应用于解决我国日益严重的环境污染问题,加速推进新型能源的发展利用。在光催化应用方面,石墨烯及其复合材料由于具有材料低价易得、光生电子传输性良好和绿色环保等优点,可以在光催化降解有机物、光催化水解制氢和光催化还原二氧化碳中发挥独特作用。介绍了石墨烯材料在光催化领域中的应用,归纳总结了石墨烯参与光催化过程的可能机制。随着石墨烯在光催化领域中应用的快速发展,及时总结和讨论石墨烯在这些领域应用中的最新进展有着非常重要的意义。 相似文献
122.
123.
We propose a method for reconstructing a complex field from a series of its near-field diffraction patterns.This method is based on the paraxial Fresnel diffraction equation without making further approximations.Numerical simulations are presented showing that a complex field can even be reconstructed with moderate qualities from its two near-field diffraction patterns and almost exact reconstructions can be obtained when three or more diffraction patterns are used.We also show by numerical simulation that the correct diffraction distances can be recovered in case only coarsely measured values are available.This method may be applied to phase imaging of weak-absorption objects. 相似文献
124.
以金修饰磁性石墨烯(Au@Fe3O4@RGO)为载体, 通过表面分子印迹技术, 选择水环境中邻苯二甲酸二正丁酯(DBP)为模板分子, 制备了金修饰磁性石墨烯基分子印迹复合膜(Au@Fe3O4@RGO-MIP); 通过扫描电子显微镜(TEM)、 X射线衍射(XRD)、 傅里叶变换红外光谱(FTIR)等测试手段对其进行了分析表征. 以Au@Fe3O4@RGO-MIP作为传感器识别元件的敏感材料, 利用循环伏安(CV)、 电化学阻抗谱(EIS)和差分脉冲(DPV)等电化学分析方法, 对构建的分子印迹电化学传感器进行了性能分析, 结果表明, 该传感器对水环境中DBP的响应平衡时间为6 min, 在0.01~0.1 μmol/L范围内, DBP浓度与响应电流之间呈现良好的线性关系, 检出限为0.3049 nmol/L(S/N=3). 相似文献
125.
通过给出拟法锥定义, 利用组合同伦内点方法解决了多目标规划求解问题. 在拟法锥条件假设下, 证明了对于可行域的几乎所有点同伦路径存在, 并且是全局收敛的. 相似文献
126.
借助SOLO分类理论作为评价工具,以定量的方式对2013-2015年间山东省高考化学试题进行解构与分析,并将试题在4个SOLO能力层次上的分值分布情况与试题难度、区分度等实测数据进行了比对研究。没有采用以往常见的以定性评价为主的高考试题分析模式,而是尝试采用定量方式对山东省高考必做试题中的主观性试题进行分析和评价,进而寻找高考化学试题适宜的SOLO试题结构。 相似文献
127.
128.
129.
130.
为了探究半赫斯勒合金 CrMnZ的材料与电子性质,预测其用途,采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,利用 Materials studio 6.0中的 CASTEP模块建模,计算了半赫斯勒合金CrMnZ(Z=P,As,Sb)的结构、磁性与半金属性 能。通过几何优化得出,CrMnP,CrMnAs和CrMnSb的平衡晶格常数分别为5.53,5.80和6.18■,平衡状态下能量分别为-13 206.983 0,-13 175.509 6和-13 089.869 6eV。通过磁矩计算结果和能带图的分析,计算的总磁矩接近于零,并在费米能级附近存在带隙,据此认为 CrMnP和 CrMnAs合金为半金属反铁磁性材料。Cr原子和 Mn原子的磁矩呈反平行排列。通过对态密度图的分析可以得出,半赫斯勒合金CrMnZ的带隙主要来自于 Cr-3d和 Mn-3d电子的能级劈裂。CrMnP,CrMnAs和 CrMnSb分别在5.32~5.67■,5.37~5.74■和5.53~5.93■保持半金属性质。 相似文献