同位旋守恒对奇异性产生的约束

考虑同位旋守恒约束和奇异夸克的产生压低,研究了高能pp碰撞中的K/π比值,给出了K⁺/π⁺和K^－/π^－与末态产生粒子多重数之间的关系,并提出采用一个近似与参数无关的(K⁺/π⁺)/(K^－/π^－)比值来反映这一过程中同位旋守恒的约束.     

中国软珊瑚化学成分的研究(十三)——从复瓦葡球Capnella imbricata软珊瑚分离出一种新构型四羟基三环倍半萜烯化合物

从中国西沙群岛附近海域采集的复瓦葡球Capnella imbricata软珊瑚分离出一种新构型三环倍半萜烯化合物——△~(9(12))- Capnellene-2α,5β,8α,10β-tetrol(II),根据它的红外、质谱、1~H NMR和(13)~C NMR等波谱数据及x光衍射分析确定了它的结构。     

几种异羟肟酸的酸解离常数测定和W(Ⅵ)—异羟肟酸配合物的合成及表征

用pH滴定法测得正辛基异羟肟酸n-C_7H_(15)CONHOH,α,ω—癸基二异羟肟酸α.ω—(CH_2)_(?)(CONHOH)_2及对苯二异羟肟酸p-C_(6)H_4(CONHOH)_2在30.0℃,0.1mol·1~(-1)NaCl水溶液中的酸解离常数;制得这三种螯合剂与W(Ⅵ)摩尔配比依次为2:1、1:1及1:2的固体配合物;研究了它们的化学组成、溶解度、摩尔电导、热谱及红外光谱,对不同配合物的配位方式作出讨论.     

流体绕流微柱群的Micro-PIV实验研究

微柱群通道内的流动特性是设计与优化其散热结构的基础。采用显微粒子测速技术（Micro-PIV）对绕流微柱群流动进行研究,测定了不同Re下的绕流流场,分析了绕流微柱群的速度场以及Re对涡结构及回流长度的影响。结果表明,随着Re的增大,微圆柱尾流区出现涡结构,回流长度逐渐增大,微尺度下柱体绕流过程中边界层分离现象相对于宏观尺度具有一定的滞后性。     

首届全国微全分析(μTAS)会议征文(第一轮)通知

为了促进全国微全分析 (μΤＡＳ)领域的发展和交流 ,由国家自然科学基金委化学部和中国分析仪器学会举办的“首届全国微全分析 (μＴＡＳ)会议”定于 2 0 0 2年 7月 1 5日～ 1 8日于北京举行。本次会议是我国微全分析领域首次召开的全国学术性研讨会 ,热烈欢迎国内代表投寄前沿学术研究成果 ,并将邀请香港和台湾该领域著名学者参加。会前将由美国分析化学学会教授做有关最新研究进展报告ＷＯＲＫＳＨＯＰ。会议将对微全分析新技术、新理论、新方法、新设备和新系统等方面的研究发展成果进行广泛交流 ,并对微全分析的应用研究领域进行深入研…     

论中国知识产权制度的演进——基于中美知识产权纠纷视角的分析

中国知识产权制度的建立和完善既有国内经济发展推动的贡献,也有外部因素的助力。在中美经贸关系中,知识产权问题是两国长期谈判的重点议题,两国之间也产生了大量的知识产权纠纷。中美知识产权纠纷对中国知识产权制度的演进起到了一定的推动作用,中国的知识产权保护标准不断提高。在知识产权保护领域,中国应当基于自身现实和国家利益,主动、稳步地提高国内知识产权保护水平。     

二维理想玻色气体的热力学行为

运用量子统计力学的基本原理，对二维理想玻色气体的热力学行为进行了分析，指出了在三维系统中所不具有的一些特点．     

两化融合是新型工业化的必然之路

对普通百姓而言,两化融合是个很抽象的概念。我们知道信息技术很重要,但是如何跟生产、生活结合起来,到底能为我们带来什么,却是很多人的共同困惑。国家信息化专家咨询委员会委员高新民在接受本刊记者采访时表示:两化融合并不遥远,它已经悄悄潜入我们的生产和生活中,并逐渐发挥作用,为传统制造业改造提升指明方向,引领企业摆脱困境、重塑竞争力,为人们生活带来越来越多的便利体验。     

The effect of the ferromagnetic metal layer on tunnelling conductance and magnetoresistance in double magnetic planar junctions

Based on the free-electron approximation,we investigate the effect of the ferromagnetic metal layer on the tunnelling magnetoresistance(TMR) and tunnelling conductance(TC)in the double magnetic tunnel junctions(DMTJs) of the structure NM/FM/I(S)/NM/I(S)/FM/NM,where FM,NM and I(S) represent the ferromagnetic metal,nonmagetic metal and insulator(Semiconductor),respectively,The FM,I(S)and inner NM layers are of finite thickness,while the thickness of the outer NM layer is infinite.The calculated results show that,due to the spin-dependent interfacial potential barriers caused by electronic band mismatch between the various magnetic and nonmagnetic layers,the dependences of the TMR and TC on the thicknesses of the FM layers exhibit oscillations,and a much higher TMR can be obtained for suitable thicknesses of FM layers.