基于PMF模式的北京大气污染特征分析

本文利用PMF模型对北京大气污染进行源解析,进一步分析了北京大气污染特征.针对2000~2005年北京大气污染变化趋势,文章选取了3个主因子,分析结果显示:第一主因子代表北京大气燃烧源型污染,主要污染物为NOX、SO2、CO,污染存在明显的季节变化,以秋、冬季较为严重,年际变化大,整体来看,从2000~2005年,燃烧源型污染有减轻的趋势;第二主因子代表地壳源型污染,以极端气候条件下地壳运动产生的大气颗粒物为主,北京春季容易发生沙尘天气,污染最严重,地壳源型污染年际变化复杂,2000~2002年北京沙尘天气频繁发生,地壳源型污染严重,2003年北京沙尘天气少,污染比较轻,2004和2005年,北京地壳源型污染较2000~2002年减轻;第三主因子代表光化学二次污染,主要特征污染物为O3,北京光化学二次污染夏季最严重,年际变化不大.     

铁磁金属/绝缘体/铁磁半导体/普通金属 (FM/I/FS/NM)磁性隧道结中的隧穿磁电阻效应

在已有的单自旋过滤磁性隧道结铁磁金属/绝缘体/铁磁绝缘体/普通金属(FM/I/FI/NM)研究的基础上,将其中的铁磁绝缘层(FI)换为铁磁半导体层(FS),研究了铁磁金属/绝缘体/铁磁半导体/普通金属(FM/I/FS/NM)磁性隧道结中的隧穿磁电阻(TMR)现象.结果表明:由于FS层中的自旋过滤效应和Rashba自旋轨道耦合的影响,FM/I/FS/NM结可以在FS层厚度较大的情况下获得非常大的TMR值,从而避免已有的FM/I/FI/NM单自旋过滤结(FI表示铁磁绝缘层)中TMR随FI层厚度增加而下降所导致FI层不能做的太厚带来的制备上的困难.同时,计算结果还显示,FM/I/FS/NM结的TMR随铁磁半导体层FS的厚度,FS层中的Rashba自旋轨道耦合强度和分子场的变化呈振荡变化,随绝缘层I厚度的增加呈饱和趋势.     

基于三角波瓣混合器的超声速流场精细结构和掺混特性

在超声速吸气式混合层风洞中,采用基于纳米粒子的平面激光散射(NPLS)技术对平板混合层和三角波瓣混合器诱导的混合层流场精细结构进行了对比实验研究.上下两层来流的实测马赫数分别为1.98和2.84,对流马赫数为0.2.NPLS图像清晰地展示了Kelvin-Helmholtz涡、流向涡、波系结构以及大尺度涡结构的配对合并过程.通过对比分析时间相关的NPLS流场图像,发现了大尺度拟序结构随时间发展演化的非定常特性.基于流动显示结果,采用分形维数和间歇因子指标对流场结构和混合特性进行了定量分析.实验研究表明,三角波瓣混合器诱导的流向涡结构显著提高了上下两层来流的掺混效率,其流动远场的分形维数突破了平板混合层中完全湍流区的分形维数值,达到了1.88,流场结构表现出明显的破碎性,有利于流动在标量层面的扩散和掺混.流动间歇性分析表明,流向涡与展向涡的相互剪切作用主导着混合层的掺混特性,同时由于流向涡的卷吸作用,三角波瓣混合器诱导的混合层混合区域更大,更多的流质被卷入混合区完成混合.     

水利工程中防止大体积混凝土裂缝的措施

介绍了江尖水利枢纽工程概况,探讨了大体积混凝土裂缝产生的原因,通过对节制闸底板施工的仿真计算,提出了将后浇带改为加强带、掺入微膨胀剂、节制闸廊道顶板增加温度钢筋、确定合理的施工顺序、优化混凝土配合比、严控骨料质量、混凝土分层浇筑、加强混凝土养护等措施,有效解决了大体积混凝土产生裂缝的问题。     

“大数据”来临，你准备好了吗？——大步跨“大数据”时代

世界著名未来学家阿尔文·托夫勒将人类社会划分为三个阶段,第一阶段为农业阶段,从约1万年前开始;第二阶段为工业阶段,从17世纪末开始;第三阶段为信息化（或者服务业）阶段,从20世纪50年代后期开始。现在,我们正亲历如托夫勒所言的第三次浪潮社会,变化的浪潮;中击又重叠,造成冲突和压力,也带来新生和转机。继云计算、物联网之后,信息产业又面临着一次颠覆性的技术变革——“大数据”。托夫勒在《第三次浪潮》一书中写道：如果说IBM的主机拉开了信息化革命的大幕,那么“大数据”才是第三次浪潮的华彩乐章。     

享受逆向教育的欣慰

我一直在思考这样的问题：新教育理念要求教师在教育教学中要注重培养学生的创新精神和实践能力,培养学生的发散思维、逆向思维。在提倡创新教育的今天,作为一名教师是否也需要有这种教学品质？例如我在处理学生的突发事件中,就用上了这种方法,我称他为“逆向教育”。我认为的逆向教育是指：当遇到了突发事件时,特别是处于将要发火的状态下,要冷静下来,反“扬”为“抑”。     

Improvement in a-plane GaN crystalline quality using wet etching method

Nonpolar （1120） GaN films are grown on the etched a-plane GaN substrates via metalorganic vapor phase epitaxy. High-resolution X-ray diffraction analysis shows great decreases in the full width at half maximum of the samples grown on etched substrates compared with those of the sample without etching, both on-axis and off-axis, indicating the reduced dislocation densities and improved crystalline quality of these samples. The spatial mapping of the E2 （high） phonon mode demonstrates the smaller line width with a black background in the wing region, which testifies the reduced dislocation densities and enhanced crystalline quality of the epitaxial lateral overgrowth areas. Raman scattering spectra of the E2 （high） peaks exhibit in-plane compressive stress for all the overgrowth samples, and the E2 （high） peaks of samples grown on etched substrates shift toward the lower frequency range, indicating the relaxations of in-plane stress in these GaN films. Furthermore, room temperature photoluminescence measurement demonstrates a significant decrease in the yellow-band emission intensity of a-plane GaN grown on etched templates, which also illustrates the better optical properties of these samples.     

磁控溅射制备铬薄膜的结构和光电学性质

用直流磁控溅射技术在石英基片上制备不同厚度(5 nm~114 nm之间)的铬膜.使用X射线衍射仪和分光光度计分别检测薄膜的结构和光学性质,利用德鲁特模型和薄膜的透射、反射光谱计算铬膜的厚度和光学常量,并采用Van der Pauw方法测量薄膜电学性质.结果表明:制备的铬薄膜为体心立方的多晶态,随着膜厚的增加,薄膜的结晶性能提高,晶粒尺寸增大;在可见光区域,当膜厚小于32 nm时,随着膜厚的增加,折射率快速减小,消光系数快速增大,当膜厚大于32 nm时,折射率和消光系数均缓慢减小并逐渐趋于稳定;薄膜电阻率随膜厚的增加为一次指数衰减.     

山东九龙山废弃采石坑生态和景观评价与修复方案

废弃采石坑不仅是一种极度退化的生态系统,也是一种视觉污染.在实地调查的基础上,基于GIS手段,运用改进的生态景观评价法（VRM）结合景观污染指数（LPI）, 对山东省九龙山中华文化标志城47.2 km²规划区范围内的共40个废弃采石坑进行了景观质量、生态质量以及景观污染程度的综合评价和分类,提出了近期-生态恢复、近期-景观再造、近期-生态恢复/景观再造、中期-生态恢复、中期-景观再造、远期-生态恢复和远期-景观再造7项针对性修复方案,为废弃采石坑的生态、景观修复提供了科学依据.     

PDM与ERP的集成

提出ＰＤＭ和ＥＲＰ集成的必要性,分析了ＰＤＭ和ＥＲＰ二系统的区别和信息交汇处,提出二者集成的可能性和困难,指出只要ＰＤＭ和 ＥＲＰ的集成符合企业实际,就是最好的集成方法。