知识型政府与知识社会的"善治"

阐述了知识型政府和善治的内涵,分析了知识型政府与知识社会“善治”的关系,提出应从政府管理理念、组织流程、学习型组织、领导的管理方式和组织文化等方面进行知识型政府的构建。     

利用Java程序实现加密解密问题

主要介绍了一种用Java语言设计加密解密的方法.     

抗氧化纳米Cu粉的水合肼还原法制备

采用水合肼还原法制备抗氧化Cu粉,并研究还原剂用量、分散剂用量、抗氧化剂用量和反应温度等因素对纳米Cu粉粒径及表面抗氧化性能的影响。通过X线衍射仪(XRD)、X线荧光分析仪(XRF)、透射电子显微镜(TEM)等表征方法,研究Cu粉的晶体结构、纯度以及形貌。纳米Cu粉的最佳制备工艺为:n(N2H4·H2O)/n(Cu SO4)=5,温度为50℃,苯骈三氮唑的含量为8%,聚乙烯吡咯烷酮的含量为10%。制备的Cu粉的纯度高达99.91%,平均晶粒粒径为80 nm,粒径分布均匀。     

虫草素与羟丙基-β-环糊精的包合行为及性能研究

通过饱和溶液方法制备了虫草素(COR)与羟丙基-β-环糊精(HPβCD)形成的包合物.采用紫外-可见光谱法对水溶液中HPβCD与虫草素(COR)的包合行为进行研究,利用Job曲线法确定COR/HPβCD包合物的包合比,通过1 H NMR和2D NMR、DSC、TG、XRD、FTIR和SEM对COR/HPβCD包合物进行表征和性能测定.结果表明,COR/HPβCD包合物的包合比为1:1,虫草素与HPβCD形成包合物后,其水溶性、热稳定性及生物环境稳定性都得到明显提高.COR/HPβCD包合物在医药领域具有潜在的应用前景.     

一次性采血针在血液科的应用

<正>一次性自动定量真空采血器是由硅化真空采血管和双向采血针组合而成,巧妙的利用真空负压的原理,将采血管抽成不同的真空度,以达到自动定量的目的,是集采血与盛血为一体的新型采血、验血工具。我科自2000年至今一直使用美国BD公司的一次性采血器。采血近万人次,本人采血约1200人次,现将临床使用中的优点报告如下:1优点1.1与一次性注射器相比较     

基于流线的拟合曲线槽干气密封流场的数值模拟及分析

推导两光滑平板间干气密封微尺度流动场的非线性雷诺方程,应用PH线性化方法、迭代法对非线性雷诺方程近似求解,得到气膜压力的近似解析式,利用极坐标下的流线方程,通过Maple程序求解压力方程和流线方程得到符合条件的拟合曲线.建立拟合曲线槽干气密封的三维立体模型,运用Fluent软件对拟合曲线槽干气密封在气膜厚度为3～5μm时3种工况下的压力和泄漏量进行数值模拟和分析,并与螺旋槽进行比较.研究结果表明:在低压低速下,拟合曲线槽和螺旋槽的动压效果都不明显,且泄漏量相差不大;在中压中速下,气膜厚度δ=3μm、δ=4μm时拟合曲线槽的动压效果比螺旋槽好,但两种槽的泄漏量相差不大;在高压高速下,气膜厚度δ=3μm时拟合曲线槽的动压效果比螺旋槽好,并且泄漏量比螺旋槽小.     

新疆肉苁蓉多糖清除活性氧自由基

研究了肉苁蓉多糖体外抗氧化活性。以抗坏血酸为对照,以类Fenton反应产生羟自由基,多巴胺自氧化反应产生超氧阴离子自由基,次氯酸钠与过氧化氢反应产生单线态氧、二苯代苦味肼基自由基为实验模型,采用紫外-可见分光光度法和化学发光分析法,首次测定新疆肉苁蓉多糖对超氧阴离子自由基、羟自由基、DPPH.自由基（二苯代苦味肼基自由基）、单线态氧的清除作用。结果表明：新疆肉苁蓉多糖对上述自由基均有明显清除作用,且清除作用与多糖浓度呈正相关性。     

新型电子阻挡层结构对蓝光InGaN发光二极管性能的提高

分别对3种不种电子阻挡层的蓝光AlGaN LED进行数值模拟研究。3种阻挡层结构分别为传统AlGaN电子阻挡层,AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层和Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层。此外对这对三种器件的活性区的载流子浓度、能带图、静电场和内量子效率进行比较和分析。研究结果表明,相较于传统AlGaN和AlGaN-GaN-AlGaN两种电子阻挡层的LED,具有Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层结构的LED具有较高的空穴注入效率、较低的电子外溢现象和较小的静电场(活性区)。同时,具有Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层结构的LED的efficiency droop现象也得到一定的缓解。     

Performance enhancement of an InGaN light-emitting diode with an AlGaN/InGaN superlattice electron-blocking layer

The efficiency enhancement of an InGaN light-emitting diode(LED) with an AlGaN/InGaN superlattice(SL)electron-blocking layer(EBL) is studied numerically,which involves the light-current performance curve,internal quantum efficiency electrostatic field band wavefunction,energy band diagram carrier concentration,electron current density,and radiative recombination rate.The simulation results indicate that the LED with an AlGaN/InGaN SL EBL has better optical performance than the LED with a conventional rectangular AlGaN EBL or a normal AlGaN/GaN SL EBL because of the appropriately modified energy band diagram,which is favorable for the injection of holes and confinement of electrons.Additionally,the efficiency droop of the LED with an AlGaN/InGaN SL EBL is markedly improved by reducing the polarization field in the active region.     

Performance improvement of blue InGaN light-emitting diodes with a specially designed n-AlGaN hole blocking layer

Blue InGaN light-emitting diodes (LEDs) with a conventional electron blocking layer (EBL), a common n-AlGaN hole blocking layer (HBL), and an n-AlGaN HBL with gradual Al composition are investigated numerically, which involves analyses of the carrier concentration in the active region, energy band diagram, electrostatic field, and internal quantum efficiency (IQE). The results indicate that LEDs with an n-AlGaN HBL with gradual Al composition exhibit better hole injection efficiency, lower electron leakage, and a smaller electrostatic field in the active region than LEDs with a conventional p-AlGaN EBL or a common n-AlGaN HBL. Meanwhile, the efficiency droop is alleviated when an n-AlGaN HBL with gradual Al composition is used.