类Be等电子序列的奇宇称高激发态结构（J=1）

应用本征通道量子亏损理论（ＥＱＤＴ），计算了类Ｂｅ原子体系（Ｂｅ－ＭｇⅨ）的高激发态结构（奇宇称，Ｊ＝１），得到了表征高激发态性质的ＥＱＤＴ参量及２ｐｎｓ，２ｐｎｄ和２ｓｎｐ组态的全部Ｒｙｄｂｅｒｇ能级位置及通道混合系数。从各种相互作用之间竞争的角度，讨论了高激发态结构沿该等电子序列的变化规律。     

微观粒子的隧穿效应

通过求解薛定谔方程,计算出微观粒子连续穿过两个方势垒的透射系数.数值计算表明：当入射能量低于两个势垒高度时,介于两个势垒高度时,高于两个势垒高度时,透射系数随两个势垒宽度和高度的变化均有变化.并且,在一定条件下,可以发生共振透射.最后得出,透射系数随势垒高度、宽度及粒子能量的变化而变化,与两个垒之间的距离无关.     

声子之间相互作用对与形变势相互作用的表面磁极化子性质的影响

本文采用线性组合算符方法,研究与表面光学声子耦合强、与表面声学声子耦合弱的表面磁极化子的性质。导出了与形变势相互作用的表面磁极化子的振动频率和有效哈密顿量,讨论了电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用对表面磁极化子性质的影响。     

三维量子环的电子能态

本文通过较精确地求解能量本征方程获得三维量子环的电子能态．数值结果表明：当量子环外半径和环高给定时,量子环能级能量会随环内径的增大而增大;当环内径和环高（或环外径）给定时,能量会随环外径（或环高）的减小而增大．当环外径增大到一定程度时,能量对外环的依赖关系不再明显．     

抛物量子线中弱耦合极化子的有效质量和光学声子平均数

讨论电子与体纵光学(LO)声子弱耦合时对抛物量子线中极化子性质的影响.采用Tokuda改进的线性组合算符法、Lagrange乘子和变分法,导出了抛物量子线中弱耦合极化子的有效质量和光学声子平均数随拉格朗日乘子变化的规律及极化子振动频率随量子线约束强度的变化规律.并以ZnS量子线为例进行了数值计算,结果表明:抛物量子线中弱耦合极化子的有效质量m^*和光学声子平均数N随着拉格朗日乘子u的增加而增大;该结论与体材料中结论基本一致,但量子线中的效应比体材料更明显,表明量子线对电子约束的增强,使极化子效应更明显.同时,极化子振动频率λ随约束强度ω₀的增强而增大.     

声子色散对量子点中弱耦合磁极化子性质的影响(英文)

利用线性组合算符和幺正变换的方法,研究声子色散对磁场中抛物量子点弱耦合磁极化子性质的影响.计及LO声子色散,在抛物近似下导出了基态能量与量子点有效受限长度、声子色散系数、磁场强度以及耦合强度之间的关系.我们可以得到在弱耦合情况下抛物量子点中磁极化子的基态能量E0随量子点有效受限长度l0、电子声子耦合常数α和声子色散系数γ的增大而减小,随磁场回旋频率ωc增大而增大.自陷能Eotr随声子色散系数γ增大而增大.     

极性半导体中通过形变势表面磁极化子的有效质量

本文研究了极性半导体中表面磁极化子的有效质量。采用改进了的线性组合算符法导出了极性半导体中与形变势相互作用的表面磁极化子的有效哈密顿量。讨论表面磁极化子有效质量的性质     

Be等电子序列的奇宇称(J=2)的高激发态结构

应用本征通道量子亏损理论(EQDT),研究BeⅠ等电子序列(奇宇称,J=2)的高激发态结构,得到了表征高激发态结构的EQDT参量(U_iα,μ_α),以这些参量作为输入,获得了2snp、2pns、2snf、2pnd组态的Rydberg能级位置及通道混合系数。讨论了高激发态沿该等电子序列的变化规律。     

磁场中表面光学极化子的平均声子数

采用么正变换和变分法研究了磁场中表面光学极化子的性质,计算了表面光学磁极化子的基态能量和平均声子数,讨论了这些量和表面光学声子的频率ωs及耦合强度α的关系.     

极化子有效质量的性质

采用线形组合算符和幺正变换相结合的方法，求出了晶体中极化子与温度和耦合强度的依赖关系。根据依赖关系。讨论了4种不同情况。从中看出：当温度保持不变时，有效质量将随耦合强度的增加而增加，这是由于随耦合强度的增大。电子-声子之间的相互作用增强，则极化子的有效质量增大。当耦合强度不变时。有效质量随温度的变化而变化，且耦合强度越大，受温度的影响越强。当接近弱耦合极限时，与温度无关。这是由于弱耦合极限下，电子近似为自由电子，与晶格振动无关，故温度的变化对慢速运动的极化子的有效质量无影响。