A 10 Gb/s 1.5 μm Widely Tunable Directly Modulated InGaAsP/InP DBR Laser

We report 10 Gb/s data transmissions using a packaged two-section InGaAsP/InP distributed Bragg reflector(DBR) laser. The tunable DBR laser has a wavelength tuning range of 12.12 nm. The DBR laser has greater than 10.84 GHz 3-dB direct modulation bandwidth within the wavelength tuning range. The 10 Gb/s data transmissions are performed at up to a distance of 30-km.     

《金融数学》实验教学方法探索

《金融数学》是金融学专业的一门基础课程,金融数学方法是金融工程领域重要的工具。文中界定了《金融数学》课程的教学内容,分析了《金融数学》的教学特点和难点。最后从《金融数学》教学要求和目的出发,结合学科特点,以离散时间金融为例,探讨了具体的教学方法。     

SiC薄膜的制备及其光敏特性

采用热丝化学气相沉积(HFCVD)方法,以甲烷、硅烷和氢气为反应气体在单晶硅衬底上沉积碳化硅(SiC)薄膜材料.通过X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)对SiC薄膜的晶体结构进行测试分析.利用原子力显微镜(AFM)对SiC薄膜的表面形貌进行分析.对该薄膜在室温和较高温度(410℃)下进行光敏特性测试,结果表明:该薄膜为SiC薄膜且对不同波长、不同功率的光有一定的敏感特性,较高温度下其敏感特性和室温下测试的结果大体一致,在高温光敏器件领域具有很大的应用潜力.     

浅谈乳化沥青在道路养护中的应用

详细论述了应用乳化沥青进行路面养护的技术及其发展状况，乳化沥青的优点和经济性，路面损坏的分类及原因以及几种重要的养护方法。     

弯管流量计节能效益分析

重点分析弯管流量计无附加压力损失这一特点,通过和孔板流量计比较,并列举用户应用实例进行对比分析,突出了弯管流量计的节能效果.     

装备保障社会化人力资源需求量预测模型研究

通过运用灰色预测方法和马尔可夫概率矩阵预测对装备保障社会化的人力资源需求量建立了研究模型。     

碳化硅薄膜制备及其场发射特性

采用热丝化学气相沉积法在Si（111）、Ti（101）衬底上制备了SiC薄膜,并利用X射线衍射和傅里叶变换红外吸收光谱（FTIR）对薄膜的结构、成分及化学键合状态进行了分析．XRD结果表明,制备的SiC薄膜呈现3C-SiC结晶相,有很好的择优取向性．HIR谱显示,薄膜的吸收特性主要为Si-C键的吸收,其吸收峰为804．95cm^-1．从原子力显微镜对SiC薄膜表面形貌的测试分析可以看出,样品表面呈规则精细颗粒状结构且薄膜结构致密．此外,在高真空系统中（6．0×10^-4Pa）对生长的SiC薄膜进行场敛发射特性测试,结果表明生长的SiC薄膜具有场致发射特性：样品的开启电压为82．1V／μm,最大电流密度为631．5μA／cm^2．     

氮化镓粉末的溶胶-凝胶法制备及其结构分析

目的 采用一种低成本、易操作的溶胶一凝胶法制备高质量的氮化镓粉末.方法 以氧化镓为镓源、柠檬酸为络合荆制备出前驱物溶胶,再将其在氨气气氛中氮化得到氮化镓粉末.结果 X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)对其进行分析,结果 表明该粉末是六角纤锌矿结构的纳米GaN粉末;且由傅立叶红外光谱(FTIR)测出产物的吸收峰与氮化镓的横向光学晶格声子模式一致,由光致发光(PL)谱得到两条光致发光峰表明了所制备的GaN具有很好的光学性能.结论 多种测试结果 表明,用溶胶.凝胶法制备的氮化镓纳米粉体具有良好的性能.     

试论经济犯罪

经济犯罪是指在经济领域以及与经济生活密切相关的领域中发生的财产性犯罪,其外延等于侵犯财产罪加上破坏经济秩序罪.从犯罪心理学角度看,经济犯罪可归属于物欲型动机犯罪,即"利欲型"或"贪利型",是指由于不良物质欲望引起的犯罪动机所导致的犯罪,具体指为了满足衣、食、住、行等方面的不良物质需要,提高个人消费水平,聚敛财富而引起的犯罪动机所导致的犯罪.     

Growth and characterization of InAsSb alloys by metalorganic chemical vapour deposition

Low pressure metalorganic chemical vapour deposition (LP-MOCVD) growth and characteristics of InAsSb on (100) GaSb substrates are investigated. Mirror-like surfaces with a minimum lattice mismatch are obtained. The samples are studied by photoluminescence spectra, and the output is 3.17μm in wavelength. The surface of InAsSb epilayer shows that its morphological feature is dependent on buffer layer. With an InAs buffer layer used, the best surface is obtained. The InAsSb film shows to be of n-type conduction with an electron concentration of 8.52×10¹⁶cm^-3.