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La-Ba系氧化物催化剂用于甲烷氧化偶联 总被引:1,自引:0,他引:1
以La_2O_3为基础,碱土金属作为第二组分的二元氧化物催化剂均具有较高的生成C_2活性,特别是La-Ba-O系催化剂具有优良的甲烷氧化偶联活性和稳定性,当La/Ba原子比为2.5时,C_2收率可达20.3%。第三组分的添加有助于提高C_2选择性,特别是添加碱金属,可以抑制完全氧化反应,并提高乙烯/乙烷比。在La:Ba:Na=2.5:1:0.1的催化剂上进行了500/小时的寿命实验,在整个反应期间,催化剂的活性和选择性相当稳定。X-射线物相分析表明,新鲜催化剂除有少量的碳酸钡外,主要是氧化镧和氧化钡的混合物。500小时后的物相基本上是氧化镧和碳酸钡。使用前后催化剂的比表面积及表面La和Ba的分布均无改变。较高的CH_4/O_3比对提高C_2选择性有利,当CH_4:O_2=4:1时,C_2选择性和收率分别为65.1%和19.1%。 相似文献
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基于非平衡溶剂化能的约束平衡方法和溶剂重组能的新表达式, 实现了电子转移反应溶剂重组能的数值解, 研究了二氯二氰基苯醌(DDQ)及其阴离子体系DDQ-之间的自交换电子转移反应. 考虑了DDQ与DDQ-分子以平行方式形成受体-给体络合物时的两种构型. 引入线性反应坐标, 计算了该反应在不同溶剂中的溶剂重组能. 基于两态变分模型得到了反应的电子耦合矩阵元. 根据电子转移动力学模型, 计算了该自交换电子转移反应的速率常数. 相似文献
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Li—Ni—La—O系复合氧化物催化剂上甲烷氧化偶联的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
考察了Li-Ni-La-O系催化剂的组成、结构及反应条件对甲烷氧化偶联反应活性的影响。在780℃、CH4:O2:N2=2:1:7、空速15000h^-1时,C2烃收率可达25.8%。XRD、IR、XPS及SEM等的结构分析表明,在LiLa1-xNixO2催化剂中,当0.1≤x≤0.9时,该催化剂由LiNiO2和La2Ni1-yLiyO4-λ两相组成,x<0.3时出现了LiLaO2相,La2Ni1- 相似文献
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采用量子力学/分子动力学方法研究了具体溶剂分子结构对溶质光谱行为的静电影响. 通过拟合溶质所处外电场和引入溶剂分子极化率, 考虑了溶质溶剂分子之间的相互极化效应, 得到合理的溶质和溶剂分子的电荷分布. 经过严格推导发现, 在传统的显溶剂模型中, 平衡和非平衡溶剂化能表达式均未考虑溶剂分子永久偶极弹簧能的贡献. 因此, 在正确计算永久偶极弹簧能的基础上, 重新建立了溶剂化能的表达式和新的吸收/发射光谱移动公式. 采用修改后的ASEP/MD程序, 计算得到了与实验值比较吻合的丙酮在水溶液中n→π*跃迁的光谱移动值, 验证了新公式的合理性. 相似文献
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聚合酶链式反应微流控芯片的准分子激光制备和应用研究 总被引:2,自引:0,他引:2
摘要采用价格便宜的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)代替价格昂贵的硅或玻璃作为聚合酶链式反应(PCR)微流控芯片的基片材料,采用柔性大且自动化程度高的准分子激光微加工方法代替加工工艺复杂的光刻化学腐蚀方法,在19 kV和18 mm/min的优化加工参数下,在48 mm×67 mm×1 mm的PMMA基片上制备出20个循环的PCR微流控芯片. 芯片微通道横截面呈梯形,底面光滑. 微通道宽104 μm,深56 μm,长2 060 mm,加工耗时约110 min. 该芯片和相同尺寸的盖片在160 N和105 ℃条件下通过热压经20 min键合在一起,键合强度为0.85 MPa. 键合后的芯片和温控系统集成在一起,采用比例积分微分(PID)方法得到的控温精度为±0.2 ℃,采用红外热像仪得到的相邻温区间的温度梯度分别为16.5和22.2 ℃,最后利用该芯片在对170 bp的DNA片段实现了体外扩增. 相似文献
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采用循环伏安法对羟喜树碱在4-(2-吡啶偶氮)间苯二酚(PAR)导电聚合膜修饰电极上的电催化性能及其电化学分析方法进行了研究.磷酸盐缓冲液中(pH3.0),在-0.2~ 0.4 V范围内羟喜树碱在PAR膜修饰电极表面受吸附控制,发生准可逆单电子转移电极反应过程,电子转移系数α=0.38;首次提出了以差示脉冲伏安法建立检测羟喜树碱含量的新方法.在聚合时间为40圈(100mV/s),富集电位 1.0V,富集时间240s条件下,利用差示脉冲伏安法测得其氧化峰电流Ip与浓度分别在0.01~1.0μmol/L和1.0~4.0μmol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为1.0nmol/L. 相似文献
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使用密度泛函理论和定性轨道分析方法研究了六配位锇(IV)卟啉络合物[Os (por)L_2] (L = CH_3, OCH_3, SCH_3, SeCH_3, Cl, Br, I)中不同的轴向配体对 络合物的结构和磁性的影响。结果表明,不同性质的轴向配体对锇的两个e_g轨道 (即d_(xz)和d_(yz))的影响不同,导致锇具有不同的电子组态:(1)当铀当配体 为反位影响很强的CH_3时,L-Os-L弯曲,这种弯曲导致d_(xz)和d_(yz)转道能级分 裂,整个络合物表现为弯曲抗磁;(2)当轴向配体为反位影响很弱的OCH_3, SCH_3, SeCH_3以及卤素Cl, Br, I时L-Os-L均保持线性,其中单π供体性较强的 SCH_3,SeCH_3,使得d_(xz)和d_(yz)轨道能级有较大的分裂,络合物呈线性抗磁 ;单面π供体性较弱的OCH_3,其d_(xy)和d_(yz)轨道能级分裂较小,整个络合物 呈线性顺磁;卤素则由于其双面π供体的等同性,使得它对d_(xz)和d_(yz)轨道的 影响一样,其简并性仍得以保持,化合物也表现为线性顺磁。 相似文献