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反比相关的双曲余弦平方势与电子的面沟道辐射 总被引：5，自引：4，他引：1
带电粒子在晶体沟道中的运动行为决定于粒子-晶体相互作用势.常用的粒子晶体相互作用势有Lindhard势、Moliere和正弦平方势.当超相对论电子沿着晶体的低晶面指数方向入射时,电子和晶体之间的相互作用势可用反比相关的双曲余弦平方势描写.在量子力学框架内,利用这一相互作用势成功地将系统的Schrodinger方程化为超几何方程,从而简化了系统本征值和本征态问题的计算和讨论.考虑到质量的相对论效应和频率的Doppler效应,导出了实验室坐标系中电子的能级分布和辐射谱分布.并以电子的Si(110)面沟道辐射为例,选定一组与入射粒子有关的参数和一组与晶体有关的参数,计算了能量为E=0.5GeV的电子在低位能级之间的跃迁,导出了电子面沟道辐射能量ΔE=49.1MeV,得到了与实验符合的结果. 相似文献
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移动通信课程改革的探讨 总被引：1，自引：0，他引：1
针对移动通信课程的特点,结合移动通信的发展趋势,从授课内容的选择、课件的制作、校外参观、课程设计等方面,并结合法国著名通信工程师学校的教学特点,对移动通信课程的教学进行了探讨． 相似文献