二乙胺苯丙酮的吸附伏安行为的研究

二乙胺苯丙酮的吸附伏安行为的研究谭学才，张升辉（湖北民族学院化学系恩施４４５０００）李启隆（北京师范大学化学系北京１００８７５）关键词二乙胺苯丙酮，吸附伏安法，不可逆吸附波二乙胺苯丙酮的商品名叫丽姿片（Ａｎｆｅｒｐｒａｍｏｎ，简称ＡＮＦ），是一种治疗...     

氯霉素在纳米钴修饰玻碳电极上的电化学行为及测定研究

研究了氯霉素在纳米钴修饰玻碳电极上的电化学行为及测定.实验结果表明,在0.3 mol/L NH3-NH4Cl(pH10.0)缓冲溶液中,氯霉素在裸玻碳电极或纳米钴修饰电极上均发生不可逆还原反应,但与裸玻碳电极相比,纳米钴修饰电极对氯霉素的还原具有明显的增敏作用,灵敏度增加约6倍.对支持电解质、修饰剂用量等各种实验条件进行了优化.测得峰电流Ip与氯霉素浓度在5.0×10(-6)～1.2×10(-4)mol/L范围内呈良好的线性关系,相关系数为0.997,检出限为3.0×10(-7)mol/L.利用优化后的条件对氯霉素滴眼液进行了测定,测量值与标示值符合,回收率在98.7%～102.2%.     

基于壳聚糖/TiO2新型杂化材料的过氧化氢传感器

制备了一种新型有机-无机杂化材料,这种杂化材料由二氧化钛溶胶和壳聚糖组成,此杂化材料克服了普通溶胶-凝胶易脆裂的特点,可以有效地保留被包埋的 Hb 生物催化活性;而且碳纳米管和纳米铜的协同效应提高了对过氧化氢的催化性能和促进了电子的传递.研究了各种因素对传感器响应电流的影响.对过氧化氢响应线性范围 1.0×10-7～1...     

苯巴比妥分子印迹电化学传感器的制备及其性能研究

以马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂,甲基丙烯酸为功能单体,偶氮二异丁腈为引发剂,苯巴比妥为模板分子,在玻碳电极表面热聚合了一种用于测定苯巴比妥的印迹聚合物传感膜。探索了传感器的最佳实验条件,并在此实验条件下,采用循环伏安法、差分脉冲伏安法及电化学交流阻抗法研究了传感器对苯巴比妥的响应特性。实验结果表明,传感器的峰电流响应值与苯巴比妥的浓度在3.0×10-6~1.0×10-4mol/L范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数R=0.9976),检出限(S/N=3)为5.4×10-7mol/L。用此印迹传感器对苯巴比妥片中苯巴比妥的含量进行了测定,回收率在91.5%~107.5%。     

纳米石墨烯修饰电极电化学发光法测定盐酸氯丙嗪的研究

基于盐酸氯丙嗪对联吡啶钌电化学发光的增敏作用,以石墨烯(Graphene)和Nafion复合膜修饰的玻碳电极(GCE)为工作电极,建立了一种直接测定盐酸氯丙嗪的电化学发光新方法。最佳实验条件下,盐酸氯丙嗪浓度在8.0×10-7 ~1.2×10-4 mol/L范围内与其相对发光强度呈良好线性关系(r=0.998 8),且在该修饰电极上的检出限(S/N=3)为4.0×10-7 mol/L。连续测定4.0×10-6 mol/L盐酸氯丙嗪溶液11次,发光强度值的相对标准偏差(RSD)为1.4%,表明该修饰电极具有较好的重复性和灵敏度。盐酸氯丙嗪的加标回收率为93%~104%,RSD(n=5)为4.1%。将该方法应用于药片中盐酸氯丙嗪的检测,结果满意。     

纳米石墨烯修饰电极电化学发光法测定盐酸氯丙嗪的研究

基于盐酸氯丙嗪对联吡啶钌电化学发光的增敏作用,以石墨烯(Graphene)和Nafion复合膜修饰的玻碳电极(GCE)为工作电极,建立了一种直接测定盐酸氯丙嗪的电化学发光新方法。最佳实验条件下,盐酸氯丙嗪浓度在8.0×10-7~1.2×10-4mol/L范围内与其相对发光强度呈良好线性关系(r=0.998 8),且在该修饰电极上的检出限(S/N=3)为4.0×10-7mol/L。连续测定4.0×10-6mol/L盐酸氯丙嗪溶液11次,发光强度值的相对标准偏差(RSD)为1.4%,表明该修饰电极具有较好的重复性和灵敏度。盐酸氯丙嗪的加标回收率为93%~104%,RSD(n=5)为4.1%。将该方法应用于药片中盐酸氯丙嗪的检测,结果满意。     

葛根素分子印迹电化学传感器的制备及研究

以丙烯酰胺为功能单体,葛根素为模板分子,马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂,采用循环伏安法合成了葛根素分子印迹膜,并以此为识别元件制备了葛根素电化学传感器。该传感器对葛根素具有高度的选择性和良好的敏感度,葛根素氧化峰电流与其浓度在6.0×10-8～1.6×10-3mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为2.0×10-8mol/L。将此传感器用于葛根素注射液和木瓜葛根片中葛根素的含量测定,回收率为97.7%～106.4%。