碳酸盐岩缝洞型储层多元信息融合建模方法在塔河油田十二区奥陶系油藏的应用

针对碳酸盐岩缝洞型油藏类型复杂且均质性强的特点,以“多类多尺度建模”为思路,引入“多方法结合、多概率融合”手段,提出多元信息融合建模方法。根据储层特征,分别对不同类型储层的地质建模进行研究。结果表明：以井震结合的方式确定性表征地下暗河储集体;以多点方法和基于目标方法相结合,融合断层控制发育概率和地震概率,建立断控岩溶储集体;以序贯指示方法,融合不整合面控制概率和地震概率,可建立溶蚀孔洞储集体;以蚂蚁体追踪方法可建立大尺度和中尺度裂缝模型;以基于目标方法建立小尺度裂缝模型,融合后的模型能够表征缝洞型储层的储集体分布特征,其储量复算和油藏数值模拟结果拟合度高,可作为开发方案的调整依据。     

260 W波长锁定光纤耦合输出泵浦模块实验研究

半导体光纤耦合输出泵浦源是光纤激光器的核心器件,其性能直接制约光纤激光器的输出水平。采用COS封装的高功率LD芯片,通过VBG外腔光谱锁定和精密光束整形变换技术,结合偏振合束与精密聚焦耦合技术将18个LD单元耦合进105 μm/NA0.22光纤,获得不低于260 W功率输出。实验表明,该模块在注入电流18 A时,可获得稳定输出连续功率264 W,对应电光效率52%,输出光谱中心波长975.92 nm,谱宽0.51 nm。该设计为获得高功率、高亮度波长稳定泵浦源提供了一条可行途径,光纤耦合输出模块工程化后可广泛应用在光纤激光器泵浦等领域。     

10 W级主控振荡放大半导体激光芯片封装实验研究

结温升高是影响主控振荡放大(MOPA)半导体激光芯片输出功率的重要因素,为解决MOPA芯片的多电极封装和高效散热问题,提出了一种正装和热扩散辅助次热沉相结合的封装结构。建立了该封装结构的3D热模型,对比研究了倒装封装结构、正装无辅助次热沉结构与正装有辅助次热沉结构对MOPA半导体激光器结温的影响。计算结果表明,采用正装有辅助次热沉结构与倒装封装结构散热性能接近,且显著优于正装无辅助次热沉结构,结温降低幅度最高可达40%。另外,采用正装有辅助次热沉封装结构的MOPA半导体激光芯片在连续工作条件下输出功率为10.5 W,谱宽可实现半高全宽小于0.1 nm,中心波长随电流的变化约14 pm/A,实现了10 W级MOPA芯片的封装,验证了该封装结构的有效性。     

复合改性ZSM-5纳米片催化N_2O分解反应研究

以ZSM-5纳米片(Nanosheet-ZSM-5)为前驱体,醋酸铜、硝酸银、硝酸铈和硝酸镧为改性剂,采用一步法离子交换,制备了不同金属复合改性ZSM-5纳米片催化剂,测试了其N2O催化分解性能,结合催化剂的理化性质、H2-TPR和O2-TPD等表征,研究了复合改性对催化剂N2O分解性能的影响及其原因.结果表明,Ag、Ce或La的掺入,可促进Cu-ZSM-5纳米片催化剂上活性物种的还原,加快吸附氧的脱附,从而提高了N2O的催化分解活性.经Ag、Ce复合改性还可有效提高Cu-ZSM-5纳米片催化剂的低温活性.     

化学方程式的快速输入方法

对化学化工工作者而言,化学反应方程式的键盘输入速度太慢,一直是化学电子文档(包括化学论文、讲稿、结题报告、实验总结等)应用的一大难点。化学文档中通常含有元素符号、分子式、离子符号、原子团、化学式、化学方程式、同位素角标、气体、沉淀符号、可逆反应符号和反应条件书写等所特有的格式化字符、文本,使用常规键盘输入方法非常麻烦而且有时难以正确输入和显示。     

超临界CO2萃取红景天中甙元酪醇的工艺研究

采用超临界CO2萃取技术提取红景天中的甙元酪醇,通过正交实验优化的萃取条件为：红景天颗粒为细粉、萃取压力20MPa、携带剂乙醇浓度为80％、红景天和乙醇用量之比为1：1．0（M／V）。超临界CO2萃取对甙元酪醇的提取率不高。因此,与其他方法结合才能更有效地发挥出它的优势。     

抱箍承载力的有限元分析及试验研究

抱箍作为施工过程中主要的承重构件,目前的研究对其分析和设计仍不充分.针对最常用的2个半圆形拼装而成的圆形抱箍,采用有限元分析和实验验证,对抱箍的应力分布、破坏形式和极限承载力进行验证.结果发现:抱箍的理论计算公式较为合理,据此设计的抱箍强度满足要求,但可能会发生抱箍与柱之间的橡胶垫层破坏、抱箍与柱发生较大相对位移而失去承载力.因此,为保证抱箍安全,建议在实际工程设计时,外荷载乘以1.5的安全系数,或者取抱箍与钢柱的摩擦系数为0.2,并在施工过程中检测抱箍与柱的相对位移,容许相对位移量为1 mm.     

Improvement in electrical properties of high-κ film on Ge substrate by an improved stress relieved pre-oxide method

High-κ /Ge gate stack has recently attracted a great deal of attention as a potential candidate to replace planar silicon transistors for sub-22 generation. However, the desorption and volatilization of GeO hamper the development of Ge-based devices. To cope with this challenge, various techniques have been proposed to improve the high-κ /Ge interface. However,these techniques have not been developed perfectly yet to control the interface. Therefore, in this paper, we propose an improved stress relieved pre-oxide(SRPO) method to improve the thermodynamic stability of the high-κ /Ge interface. The x-ray photoelectron spectroscopy(XPS) and atomic force microscopy(AFM) results indicate that the GeO volatilization of the high-κ /Ge gate stack is efficiently suppressed after 500℃ annealing, and the electrical characteristics are greatly improved.