电化学微/纳加工分辨率的影响因素及对策

The etching resolution of electrochemical fabrication technique is influenced significantly by the diffusion layer of the etchant. It has been shown that a fast etching rate can achieve higher etching resolution due to so-called heterogeneous scavenging effect, while a lower etching rate will result in rather lower etching resolution. For the latter case, the confined etchant layer technique(CELT) has been employed to improve the etching resolution. i. e., a certain redox couple which can consume the etchant homogeneously and rapidly was added to the solution. The homogeneous scavenging effect confined the etchant within a narrow layer around the electrode surface and much improved etching resolution was achieved. Using the CELT and a needle-shaped microelectrode, an etching spot of several micro-meters was obtained at silicon wafer surface.     

亲水性有机硅杂化防雾涂料的制备及性能

采用Sol-Gel技术制备了二乙醇胺/有机硅杂化涂料, 并用FTIR、UV-Vis、AFM、TGA及接触角等测试技术对涂料及其涂层进行了分析表征. 结果表明, 该杂化涂料具有良好的成膜性. 由于膜层中存在大量的亲水性羟基基团, 使膜层具有良好的亲水性能和防雾效果. 固化后的聚合物膜层中无机相形成了三维交联网络, 赋予了膜层优异的耐磨性和热稳定性.     

巴黎-爱丁堡压机中子衍射高压下温度加载实验

巴黎-爱丁堡压机(Paris-Edinbrugh press)因具有大体积样品、便携、结构简单等优点,被广泛应用于中子源进行高压原位中子衍射实验.但因单轴加压而导致封垫和组装不断沿径向向外流动的特点,给高压下组装的加热效率、保温效果、上下压砧的绝缘及热电偶连接等方面带来困难,从而使得巴黎-爱丁堡压机在高压下的温度加载非常具有挑战性.本文通过对高温高压组装的结构进行优化设计,提高了组装的加热效率和保温效果.通过对热电偶引线方式的优化,实现了高压下温度的直接测量.设计的HPT-3组装和HPT-3.5组装在高压下的温度加载最高可分别达到2000 K和1500 K,并且二者较大的样品尺寸满足中子衍射实验的需求.原位高温高压中子衍射实验结果说明, HPT-3组装在压力8.5 GPa、温度1508 K的条件下可以获得高质量的样品的中子衍射谱,同时该结果也进一步验证了所设计组装的良好稳定性.     

珍珠质基底上CaCO3晶体的仿生生长研究

珍珠质是一种典型的有机，无机层状复合材料．其中95％以上是文石（CaCO3的一种晶型1小板片，填充在板片之间的薄层有机基质仅占1％-5％。这种精细的组织结构不仅使珍珠质具有绚丽的光泽。还赋予珍珠质超乎寻常的强度和韧性（为合成CaCO3晶体的3000多倍）。虽然在珍珠质中有机质的含量不足5％．然而正是这些有机质对珍珠质的结构、性能、晶体取向等起着至关重要的调控作用。     

Ti、Cr对钒抗氧化性能影响的第一性原理研究

高温氧化是限制钒合金应用的主要原因之一。利用第一性原理计算了Ti、Cr杂质原子掺入钒基体后,O在钒合金中的杂质形成能的变化。结果表明：O杂质原子在钒中占据八面体间隙位更稳定,且杂质形成能为-4.65eV,Ti掺杂会降低O的杂质形成能,使O在晶体内部扩散更容易,Cr掺杂的情况与Ti掺杂相反。并且还计算了体系电子结构、布局分布和电荷密度,进一步分析所得到的结论与杂质形成能的计算结果一致。     

Ti、Cr对钒抗氧化性能影响的第一性原理研究

高温氧化是限制钒合金应用的主要原因之一。利用第一性原理计算了Ti、Cr杂质原子掺入钒基体后，O在钒合金中的杂质形成能的变化。结果表明：O杂质原子在钒中占据八面体间隙位更稳定，且杂质形成能为-4.65eV，Ti掺杂会降低O的杂质形成能，使O在晶体内部扩散更容易，Cr掺杂的情况与Ti掺杂相反。并且还计算了体系电子结构、布局分布和电荷密度，进一步分析所得到的结论与杂质形成能的计算结果一致。