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31.
p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究 总被引:1,自引:1,他引:0
以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应. 相似文献
32.
在半导体器件发展的初期,人们就已经知道半导体器件的稳定性在很大程度上依赖于半导体表面的状况.由于在工艺过程中难以严格控制表面的条件,为了保证器件的稳定性,只得对表面尽量采取有效的钝化措施.近十余年来由于超高真空技术的发展,不仅可以制备清洁的表面,而且可以在超高真 相似文献
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本文报道了用可变入射角椭圆偏振仪(Variable angle incidence Spectroscopic Ellipsometer)测量Alq3,NPB,CuPc,Rubrene薄膜的光学常数,我们采用真空蒸镀法在硅衬底上分别制备了以上四种薄膜,然后我们用可变入射角椭圆偏振仪对四种薄膜进行了测量,测量在大气中进行,光谱范围从200到1000nm(或1.24到5cV),测量角度为65℃、70℃、75℃、80℃,接着,用Wvase32软件对四种薄膜的光学常数随波长(光子能量)的变化函数进行拟合,通过拟合我们得到了真空蒸镀的Alq3,NPB,CuPc,薄膜的光学常数随波长的变化函数及曲线,并且从材料吸收谱的吸收边,我们还得到了这些材料的光学禁带宽度。 相似文献
35.
采用矩阵奇异值分解(singular value decomposition, SVD)的方法,对高温射频超导量子干涉仪(HTc rf-SQUID)采集到的单通道心磁信号进行处理.证明了对于近似周期性的心磁信号,在无参考噪声的情况下矩阵奇异值分解的方法与自适应窄带陷波相结合有较好的消除广谱噪声的效果.
关键词:
高温射频超导量子干涉仪
心磁信号
奇异值分解
噪声消除 相似文献
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一、课程结构一个学校的课程结构与其培养目标有密切的联系,英国大学化学系的培养目标是培养科学研究人才,因此他们设置的专业是一级学科的化学专业,这样可以使学生知识面广、基础扎实。近年来科学发展迅速,学科相互渗透,出现新兴的学科,为此在英国的大学里还提倡学生选学其它系的课程。大学化学系为主修化学的学生开设统一的化学课程,包括课堂讲授, 相似文献
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39.
今年是毛泽东同志诞辰100周年。重新认真学习毛泽东财政思想,对于我们克服当前的财政困难,进一步明确我国财政工作的指导思想,深化财政分配制度改革,具有重要的现实意义。 相似文献
40.
本文用多离子晶场方法分析了Nd_2T_(14)B的自旋再取向现象,并计算了低温下Nd_2T_(14)B的磁结构。用数值拟合方法得到了一组晶场系数,自旋方向在低温和C轴的夹角和自旋再取向的温度,它们和实验值相符。并由计算求得了低温下Nd离子的磁距。 相似文献