随机环境影响下系统可靠性比较

本文研究随机环境影响系统相依结构的情形下,系统可靠性的随机比较,文章采用连接函数表示系统的相依结构,研究不同随机环境因子下两个系统的象限序、弱多元失效率序、n中取k系统的寿命等的随机比较,并通过实际例子进行分析.     

基于创新扩散模型的市场营销组合策略

采用随机过程方法构建包含营销组合的3阶段创新扩散模型,通过动态规划方法求得模型的最优控制策略.在分析最优控制策略的基础上,采用数值模拟的方法对模型进行仿真.     

近红外光谱法用于纯化过程中鞣花酸含量的监控

采用近红外光谱技术结合遗传算法优化的小波神经网络,对大孔树脂纯化过程中橄榄果中的鞣花酸含量进行监控。通过小波变换对光谱进行去噪、压缩,作为人工神经网络的输入,同时以遗传算法优化神经网络的权值与阈值,并与常用的偏最小二乘(PLS)线性模型的建模效果进行比较。实验结果表明,两者都能够较准确的预测鞣花酸的含量,相对而言,人工神经网络(ANN)效果较好。     

固相萃取-紫外光谱法测定水样中咪唑类离子液体的含量

为了消除无机盐对紫外法测定离子液体的干扰,采用固相萃取(SPE)预富集,再利用紫外光谱法测定了水样中3种离子液体[C4mim][PF6]、[C6mim][PF6]、[C4mim][BF4]的含量。在波长190～300 nm范围内研究了3种离子液体的最大吸收波长,同时还考察了几种常见无机盐对离子液体紫外光谱吸收的影响。采用SPE方法富集100 mL水样时,富集倍数F=100/3,对三种离子液体的富集率分别为90%,91%和51%,并且溶液的pH与盐的浓度对富集率有一定的影响。当离子液体加标浓度分别为0.01、0.05和0.10 mg/L时,该方法的回收率大于90%。     

医学留学生化学实验全英文教学资源建设与实践*

针对目前化学实验全英文在线教学资源匹配度较低、相对匮乏等问题,以医学留学生为中心,建设了有声课件、模块化实景实验操作视频以及测试题库3种不同类型的化学实验全英文教学资源,通过资源的线下使用和基于雨课堂的在线预习,实现从“集中、定时、定点”的传统教学模式向“模块化、碎片化、信息化”的混合教学模式转变,可以丰富教学资源和教学手段,改进教学秩序,提高医学留学生化学知识和技能学习的积极性和主动性,使“教”“学”良性循环,可切实提高化学实验国际化教学质量。     

运载火箭试验数据管理及可视化系统设计

针对现有运载火箭试验数据管理及可视化系统依赖于第三方功能插件,未实现纯浏览器端三维模型渲染及交互,系统对运行环境依赖性强、部署和维护成本高等问题,设计了基于JavaScript框架ExtJS和WebGL框架three.js的运载火箭试验数据管理及可视化系统。首先基于B/S架构设计了系统总体框架,然后针对二维图形数据传输延迟问题设计了基于Web Worker的数据读取方案,最后针对浏览器端三维模型渲染需求提出了基于VTK模型的转换算法,设计了三维模型渲染及交互方案。试验结果显示,本系统不依赖于运行环境和功能插件,能实现浏览器端二维图形和三维模型渲染及流畅交互,为兼容国产化操作系统、降低部署和维护成本创造了条件。     

化学学科核心素养指引下的“配合物”教学探讨

指出了高中阶段“配合物”教学中存在的问题,并从“应用杂化轨道理论解决配合物中心部分的空轨道问题”“尝试判断配位原子”“用平衡思想理解配合物的内界组成”等3个方面阐述了如何在化学学科核心素养的指导下引导学生更好地进行配合物知识的学习。     

石墨烯/壳聚糖修饰玻碳电极 测定水样中痕量铜离子

采用控制电位电解法,在玻碳电极((GCE)上进行石墨烯(GN)/壳聚糖(CS)修饰膜的电沉积,将制得的膜修饰电极GN/CS/GCE在0.1 mol·L-1的HAc-NaAc电解液(pH=4.2)于-0.5 V(vs.SCE)电位下富集Cu2+,并用差分脉冲溶出伏安法测定.结果表明,该膜修饰电极对Cu2+的富集作用明显强...     

货架摆放量影响需求的库存管理

建立某些商品的需求与库存管理模型,从商品自身的销售弹性与替代品的销售弹性出发,设定摆放量充足时货架摆放量与需求量是指数函数关系;当摆放量小于一定量时,顾客的需求为一常数,并且允许顾客流失和延迟销售;在此基础上建立货架摆放量与需求量的模型.并通过解析解的情况,求出最优解.     

O2流量对O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的影响

研究了O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜时O2流量对刻蚀率、表面结构的影响,及其放电等离子体特性的关联.发现O2流量的增大可以极大地提高多孔SiCOH薄膜的刻蚀速率,降低表面的粗糙度,减少SiCOH薄膜表面的C:F沉积.等离子体特性的光谱分析表明,O2的添加,增强了C与O之间的反应,从而在Si、F反应刻蚀Si的同时,C、O之间的反应使C消耗,实现Si、C的同步刻蚀,从而获得SiCOH低k薄膜的高刻蚀率和低粗糙度表面.