材料电光转换特性的创新性综合实验设计

基于电致发光设计了《材料物理性能》实验中电光转换特性及其评价这一创新性综合实验,阐明了材料电学性能与光学性能之间的关联性,加深了学生对材料电学性能、光学性能以及电光转换特性知识的系统理解和综合运用,为培养新世纪光电材料与器件领域中的综合素质人才提供了参考。     

BaFe0.4Sn0.6O3/BaBiO3负温度系数复合热敏陶瓷阻抗分析

以BaBiO₃为导电相,BaFe_0.4Sn_0.6O₃为高阻相,采用固态反应法制备了不同BaBiO₃含量的BaFe_0.4Sn_0.6O₃/BaBiO₃负温度系数(NTC)热敏复合陶瓷.为获得在渗流阈值(即BaBiO₃含量为12 mol%)前后复合陶瓷的内部导电机理,对复合陶瓷进行了阻抗分析.分     

boldmath Characterization of the BaBiO3-doped BaTiO3 positive temperature coefficient of a resistivity ceramic using impedance spectroscopy with Tc=155℃

BaBiO₃-doped BaTiO₃ (BB-BT) ceramic, as a candidate for lead-free positive temperature coefficient of resistivity (PTCR) materials with a higher Curie temperature, has been synthesized in air by a conventional sintering technique. The temperature dependence of resistivity shows that the phase transition of the PTC thermistor ceramic occurs at the Curie temperature, T_c=155 ℃, which is higher than that of BaTiO₃ ( ≤ 130 ℃). Analysis of ac impedance data using complex impedance spectroscopy gives the alternate current (AC) resistance of the PTCR ceramic. By additional use of the complex electric modulus formalism to analyse the same data, the inhomogeneous nature of the ceramic may be unveiled. The impedance spectra reveal that the grain resistance of the BB-BT sample is slightly influenced by the increase of temperature, indicating that the increase in overall resistivity is entirely due to a grain-boundary effect. Based on the dependence of the extent to which the peaks of the imaginary part of electric modulus and impedance are matched on frequency, the conduction mechanism is also discussed for a BB-BT ceramic system.     

加强学生对物理实验结果分析与总结能力的培养

在对大学物理实验结果进行分析与总结中,学生存在不重视,不知道如何对实验结果进行分析,以及不懂得如何概括和归纳,从而书写出较佳的实验报告,提出改革的建议.     

Mg掺杂量和退火温度对Mg_xZn_(1-x)O∶Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响

以自制MgxZn1-xO∶Al陶瓷为靶材,采用磁控溅射工艺在石英玻璃衬底上制备了MgxZn1-xO∶Al紫外透明导电薄膜,研究了Mg掺杂量和退火温度对MgxZn1-xO∶Al薄膜结构和光电性能的影响。X射线衍射表明,在x≤0.4的范围内,MgxZn1-xO∶Al薄膜为六角纤锌矿结构,当x≥0.6时,MgxZn1-xO∶Al薄膜为立方结构。当x≤0.4时,随着x值的增加,薄膜的电阻率有所增加,但其光学吸收边产生明显的蓝移,禁带宽度显著增大,透射光谱扩展到紫外区域。退火对薄膜电阻率影响显著,随着退火温度的增加,样品的电阻率先大幅度降低,后有略微的回升,600℃时电阻率最低,且吸收边较未退火时有一定的蓝移。     

K0.5Na0.5NbO3-LiSbO3-BiFeO3/CuFe2O4复合陶瓷的制备与磁电性能研究

采用传统的固相法制备了(1-x)(K_0.5Na_0.5NbO₃-LiSbO₃-BiFeO₃)-xCuFe₂O₄ (x=0.1, 0.2, 0.3, 0.4) 磁电复合陶瓷, 并借助X射线衍射仪、扫描电镜和磁电耦合系数测试仪等对复合陶瓷的微结构和性能进行了分析. 结果表明, 复合陶瓷的K_0.5Na_0.5NbO₃-LiSbO₃-BiFeO₃和CuFe₂O₄物相之间发生了一定的离子相互扩散作用, 且两相的颗粒大小匹配性较好. 随着CuFe₂O₄含量增加, 复合陶瓷的压电系数从130 pC/N减小到30 pC/N, 饱和磁致伸缩系数从4.5×10^-6增加到12.4×10^-6左右, 磁电耦合系数表现出先增加后减小, 在x=0.3时获得最大的磁电耦合系数9.4 mV·cm^-1·Oe^-1. 关键词： 0.5Na_0.5NbO₃-LiSbO₃-BiFeO₃')" href="#">K_0.5Na_0.5NbO₃-LiSbO₃-BiFeO₃ 2O₄')" href="#">CuFe₂O₄ 磁电耦合     

在磁控溅射镀膜实验中开展探究性教学的尝试

结合桂林电子科技大学在探索研究性实验方面积累的教学经验与方法,以及教师在薄膜与器件方面的科研工作,尝试将射频磁控溅射镀膜用于大学生探索研究性实验教学.探究性实验从物理原理、设备构造、材料、工艺、理论与实践关联、性能测试、结果分析等方面进行类似研究生的培养过程,多角度培养学生的综合能力.实践表明:电子类地方高校将溅射镀膜实验用于大学探索性研究性实验具有可行性,且可与学校的学科特色紧密结合.     

《材料物理性能实验》中导电性与介电性相结合的创新牲综合实验设计

本文以薄膜晶体管为基础设计了《材料物理性能实验》中导电性与介电性相结合的创新性综合实验,阐明了导电性与介电性之间的关联性,加深了学生对材料电学性能的系统理解和综合运用,为新世纪材料专业大学生综合素质的开发提供了参考。     

CuO掺杂对KNN-LS-BF无铅压电陶瓷性能的影响

采用传统固相合成法和制备工艺,在1040℃制备了{0.996 [0.95( Na0.5 K0.5)NbO3-0.05LiSbO3 ]-0.004FeBiO3}+x mol; CuO(KNN-LS-BF+x mol; CuO)无铅压电陶瓷,研究了CuO掺杂量对陶瓷结构和性能的影响.结果表明,CuO的低温促烧作用明显,微量CuO的掺入并没有改变陶瓷体系的相结构,但对陶瓷的压电和介电性能有明显影响.随CuO掺杂量的增加,陶瓷的d33、kp、εr均是先升高后降低,并在x=0.15时,d33、kp、εr分别达到最大值222 pC/N、0.36、1223.14;Qm也是先升高后降低,不过是在x=0.3时达到了最大值66.02.而tanδ则是先降低,在x=0.45达到最小值2.5;后又开始回升.在x=0.15时,所制备压电陶瓷有最好的综合性能:d33=222pC/N,kp=0.36,εr=1223.14,tanδ=3.3;,Qm =52.27.     

衬底温度对In2S3薄膜结构及其性能的影响

采用超声喷雾热解法,在玻璃基底上一步合成了In2S3薄膜.研究了衬底温度对In2S3薄膜的结构、表面形貌、电学和光学性能影响.结果表明:所制备的In2S3薄膜均具有沿(220)面择优取向生长特性且无其他杂相,衬底温度对薄膜的均匀性、致密度、结晶程度均有明显影响,并因此影响薄膜的光电性能.薄膜的导电件随着衬底温度的升高迅速增强,但足在衬底温度为350℃时有所降低.衬底温度为300℃所制备的薄膜在可见光区透光率最高达到90;以上,禁带宽度达到2.43 eV.