高职院校校园文化现状调查与分析——以北京电子科技职业学院为例

近年来,高职院校越来越重视校园文化建设,把其视为核心竞争力之一.如何建设具有职业院校特色的校园文化,是其建设的关键.该文通过对职业院校学生的问卷调查,了解校园文化建设的具体情况,通过对其进行分析,提出加强高职院校校园文化建设的建议.     

羽“三个代表”的思想指导高校党的建设

江泽民“三个代表”思想既是我们党的指针，又是高校党建工作的思想灵魂，具有极强的理论意义及指导性。     

雏鹅感染副粘病毒后气管和小肠的早期病理变化

用鹅副粘病毒BY株人工感染5日龄雏鹅，在感染3-72h后定时扑杀，研究气管和小肠的显微和超微结构变化，结果表明：攻毒6h后气管和小肠开始出现病变，48h时出现严重病变，气管病变主要是粘膜上皮纤志脱落，杯状细胞分泌亢进，严重时上皮细胞明显坏死、脱落；小肠病变主要表现为上皮细胞不同程度的空泡变性以及线粒体肿胀、空泡化等，电镜下可见到胞浆内有大量副粘病毒粒子，直径约为150nm。     

Hybrid discrete-continuum model of tumor growth considering capillary points

A hybrid discrete-continuum model of tumor growth in the avascular phase considering capillary points is established. The influence of the position of capillary points on tumor growth is also studied by simulation. The results of the dynamic tumor growth and the distribution of oxygen, matrix-degrading enzymes, and extracellular matrixconcentration in the microenvironment with respect to time are shown by graphs. The relationships between different oxygenated environments and the numbers of surviving, dead, proliferative, and quiescent tumor cells are also investigated.     

北京奥运会中国男排主动得分技术运用效果分析

本文运用文献资料法和数据统计法对北京奥运会中国男排和欧美强队(如美国、保加利亚、巴西、意大利等队)在发球、扣球、拦网技术等方面存在的差距,通过观看录像进行比较分析,旨在发现中国男排和欧美强队存在的差距,并提出相应的建议。     

杭州高校网球课开展现状研究

通过对杭州高校网球师资力量、网球场地、教学现状进行研究,发现影响杭州高校网球开展的因素,并针对影响杭州高校网球课的开展的因素给予了分析,而且根据院校目前网球课开展现状,并提出了发展的对策。     

浅析东昌府区节水灌溉增效示范项目监管与效益

节水灌溉是用尽可能少的水投入取得尽可能多的农作物产出的一种灌溉模式，目的是提高水的利用率和水分生产率，获得较高的产出效益，提高灌溉水利用系数，提高农作物抗御干旱的能力。东昌府区闰寺办事处节水灌溉增效示范项目的建设监管有效保障了项目实施后产生良好的经济效益和社会、生态效益，实现了粮食的增产增收，有效节约了水资源，解放了劳动力。     

试论高职体育教学内容的五个特性

体育教育是高等职业教育的重要组成部分，由于职业教育具有自身特点，因此体育教育内容的安排也要突出职教特点。本文主要论述高等职业院校体育教学内容优化选择必须突出的几个特点，使高等职业体育教学具有创新性，以适应时代发展的要求培养全面发展的合格人才。     

一种表面改性胶粉混凝土性能的实验研究

为给胶粉(废旧轮胎胶粉)混凝土的工程应用提供参考依据,针对胶粉具有憎水性、与水相容性差、易产生分层,致使胶粉混凝土强度下降等问题,采用一种简便实用的表面改性胶粉,根据其不同掺量成型7组表面改性胶粉混凝土试件,并进行胶粉与水的相容性、表面改性胶粉混凝土抗压强度和氯离子抗渗等试验。研究结果表明:这一表面改性胶粉能显著改善胶粉与水的相容性;搀入适量表面改性胶粉,胶粉混凝土的脆性变形性能会得以明显改善;较好地提高了胶粉混凝土氯离子抗渗性,当表面改性胶粉掺量≤10%时,胶粉混凝土氯离子扩散系数随胶粉掺量的增加而减小,而掺量10%后,氯离子扩散系数则随胶粉掺量的增加而增加,验证了所采用表面改性胶粉的可行性、有效性、适用性和简便性。     

Improved performance of Ge n~+/p diode by combining laser annealing and epitaxial Si passivation

A method to improve Ge n~+/p junction diode performance by excimer laser annealing(ELA) and epitaxial Si passivation under a low ion implantation dose is demonstrated. The epitaxial Si passivation layer can unpin the Fermi level of the contact of Al/n-Ge to some extent and reduce the contact resistance. In addition, the fabricated Ge n~+/p junction diode by ELA plus epitaxial Si passivation exhibits a decreased reverse current density and an increased forward current density,resulting in a rectification ratio of about 6.5×10~6 beyond two orders magnitude larger than that by ELA alone. The reduced specific contact resistivity of metal on n-doped germanium and well-behaved germanium n~+/p diode are beneficial for the performance improvement of Ge n-MOSFETs and other opto-electronic devices.