磁性液体的介电特性

在外加磁化场的作用下,磁性液体的介电特性表现出与一般物质所不同的新效应——磁电方向效应,即介电常数不但依赖于外加磁化场的大小,而且还依赖于外加磁化场与电场之间的相对方向。根据实验观察到的磁性液体中的磁性颗粒呈球形,在外加磁化场的作用下,磁性颗粒呈长链形分布的这一实验事实,我们用长链模型进行理论分析,合理地解释了磁电方向效应。理论与实验结果符合。 关键词：     

R^2上带奇异性的非线性多重调和方程的正整解

该文以Schauder-Tychonoff不动点定理为工具，建立了一类平面上带奇异性的非线性 多重调和方程的正的径向对称整体解的存在性定理，并给出了解的有关性质，所得的结果丰 富和发展文[1][4]的结果。     

空间过滤简正波的模拟实验研究

在侧壁无消声的波浪槽（70×2×0.6m³）内,利用9根有水平指向性的长圆管换能器作阵元,实现了前四号简正波的空间过滤,定性地研究了简正波过滤阵抑制近场点源干扰的理论概念,并对起伏波浪表面对各号简正波振幅起伏的影响作了初步观察。     

切勿以偏盖全

“盲人摸象”原为佛经故事．太平洋天文学会（ASP）会议集第311卷将一幅众瞽摸象之图印在该卷的封面上（图1）．这次学术会议于2003年7月27—30日在美国普林斯顿大学举行，会议讨论的内容为从斯隆（sloan）数学巡天所得数据探究活动星系核（AGN）的物理问题．     

基于两步退火法提升Al/n~+Ge欧姆接触及Ge n~+/p结二极管性能

锗(Ge)中高激活浓度、低扩散深度的n型掺杂是实现高性能Ge n-MOSFET的重要前提条件.本文采用低温预退火与脉冲激光退火相结合的两步退火法,结合磷离子注入,制备Al/n~+Ge的欧姆接触以及Ge n~+/p结二极管.通过电流-电压特性测试来研究Al/n~+Ge的欧姆接触以及Ge n~+/p结二极管的性能,测试结果表明:低温预退火可初步修复注入损伤,并降低激光退火时杂质的扩散深度;结合离子注入工艺和两步退火工艺,Al/n~+Ge欧姆接触的比接触电阻率降至2.61×10~(-6)Ω·cm~2,Ge n~+/p结二极管在±1V的整流比提高到8.35×10~6,欧姆接触及二极管性能均得到了显著提升.     

数学体验:学习“基本事实”的有效路径——以“平行线分线段成比例”为例

<正>《义务教育数学课程标准(2022年版)》中对“图形与几何”部分给出了9条“基本事实”,教学中多数教师把这些基本事实当成不用证明的公理直接给出,淡化了基本事实的教学价值,不利于对欧氏几何公理化体系的认识和建构,也会影响学生对数学知识之间、数学与其他学科之间、数学与生活之间联系的深度体验.     

交流 交锋 交融:促进三维生长 助推素养提升——以“线段、射线、直线”课堂教学为例

<正>《义务教育数学课程标准(2022年版)》(下称“课标”)提出数学核心素养的具体表现:会用数学的眼光观察现实世界、会用数学的思维思考现实世界、会用数学的语言表达现实世界^[1].如何在数学课堂教学中进一步落实核心素养成为当下教育教学研究的重点.在素养为导向的课堂教学过程中,我们的目标不是使学生习得知识技能,而是以知识技能为载体,在基础知识基本技能的获得过程中,提升学生的数学素养,这个过程是一个“生长”的过程.这里的生长,包括教学内容的生长、数学活动的生长、育人价值的生长,只有教学内容、数学活动、育人价值同步和谐生长,才能促进核心素养的提升.本文结合“线段、射线、直线”的教学过程,来说明如何通过三维生长,让学生在交流中觉知、在交锋中表达、在交融中升华,提升学生的数学核心素养.     

HL-1M装置真空室硅化的研究

GDC（He SiH4）是为HL－1M装置研制的一种常规壁处理技术。在He辉光等离子体条件下,通过气相中的电子碰撞离解、电离、离子－分子反应和在壁面上的He^ 诱导脱H2过程,在清洁的真空壁表面沉积一层无定形、半透明、致密的氢化硅（α－Si:H）薄膜。氢化硅具有良好的H（D）捕获、H2（D2）释放,能显著地降低再循环系数,有效地控制杂质水平,大大拓宽了HL－1M装置的运行范围,为HL－1M装置的LHCD、ICRH、ECRH、NBI、PI和MBI实验提供了良好的真空壁条件。     

LD泵浦Nd∶LuVO4/Cr4+∶YAG被动调Q激光器

采用大功率半导体激光器端面泵浦Nd∶LuVO4晶体，利用Cr4+∶YAG晶体作为可饱和吸收元件，实现了1.06 μm激光的被动调Q运转.在泵浦功率为19.1 W时，获得最高平均输出功率为4.58 W，脉冲宽度为84 ns，单脉冲能量为36.6 μJ以及峰值功率为436.2 W的激光脉冲.     

Picosecond Stimulated Raman Scattering of SrWO4 Crystal

Stimulated Raman scattering （SRS） of picosecond pulses is investigated in a new crystal SrWO4. The second harmonic generation of a mode-locked Nd：YAG laser system is used as the pump source. In an external singlepass configuration, the SRS thresholds for the first to the fourth Stokes lines are measured. For the first Stokes line, the steady-state gain coefficient of the SrWO4 crystal is calculated to be 15.96cm//GW. In our experiment, as many as five Stokes lines （559.23 nm, 589.61 nm, 623.49 nm, 661.50 nm, 704.44 nm） and three anti-Stokes lines （506.97nm, 484.34 nm, 463.65nm） are observed, and the total conversion efficiency is as high as 62%.