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41.
用遗传算法结合Gupta紧束缚模型势研究了Irn(n=2-25)团簇的基态结构.分析了Irn(n=2-25)团簇的基态结构随团簇尺寸的变化规律.计算结果表明,Irn(n=2-25)团簇的每个原子的平均束缚能和平均第一近邻随团簇尺寸的增加而增大,以总束缚能的二阶差分为判据,Irn(n=2-25)团簇的幻数是4、7、9、13、15、19、23. 相似文献
42.
国人大概都知道杞人忧天的故事.相传战国时列御寇所撰《列子》一书中的《天瑞》篇载有“杞国有人,忧天地崩坠,身亡所寄,废寝食者”;唐朝大诗人李白《梁甫吟》一诗中也提到这件事:“白日不照吾精诚,杞国无事忧天倾”;清李汝珍所著《镜花缘》第二十七回也有言:“杞人忧天,伯虑愁眠”.说的都是古时候杞国有个人,老爱瞎操心,明明不用担忧的事情,他也是不放心,特别是害怕天会塌下来,弄得自己无处安身. 相似文献
43.
By combining three-dimensional digital microtomography techniques with the lattice Boltzmann method,a new methodology is used to analyse the relative permeability of multiphase flow in porous media.The results indicate that the two coupling coefficients K12 and K21 have the same magnitude,therefore the Onsager reciprocity still holds,the results also agree well with the results of pipe flow numerical experiments. 相似文献
44.
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47.
STUDY OF HIGH-LYING EXCITED STATES OF RARE-EARTH ELEMENT Dy BY LASER RESONANCE IONIZATION SPECTROSCOPY 下载免费PDF全文
This paper describes the investigation of high-excited states of Dy. which includes the measurement of high Rydberg states and autoionizing states, by means of laser resonance ionization spectroscopy (LRIS). Two high Rydberg series (n>40), 4f10(5I8) 6sns and 4f10(5I8) 6snd, have been obtained by exciting the state of 4f10(5I8) 6s6p (3P02) 5I08 using two-step laser excitation-electric field ionization method. With the data obtained, we determined the first ionization potential of Dy. It is 47901.7±0.6 cm-1, that is. about one order more accurate than the results given in the literature. Using the same technique, we found 97 autoionizing states by exciting the state of 4f95d6s(7H07). 相似文献
48.
49.
Improved performance of Au nanocrystal nonvolatile memory by N_2-plasma treatment on HfO_2 blocking layer 下载免费PDF全文
The N_2-plasma treatment on a HfO_2 blocking layer of Au nanocrystal nonvolatile memory without any post annealing is investigated. The electrical characteristics of the MOS capacitor with structure of Al–Ta N/HfO_2/Si O2/p-Si are also characterized. After N_2-plasma treatment, the nitrogen atoms are incorporated into HfO_2 film and may passivate the oxygen vacancy states. The surface roughness of HfO_2 film can also be reduced. Those improvements of HfO_2 film lead to a smaller hysteresis and lower leakage current density of the MOS capacitor. The N_2-plasma is introduced into Au nanocrystal(NC) nonvolatile memory to treat the HfO_2 blocking layer. For the N_2-plasma treated device, it shows a better retention characteristic and is twice as large in the memory window than that for the no N_2-plasma treated device. It can be concluded that the N_2-plasma treatment method can be applied to future nonvolatile memory applications. 相似文献
50.
由信号的谱矩描述出发,对于随时间缓变的噪声过程,提出了演变矢量描述,可以反映信号主要性质的演变特性,并将演变矢量描述应用于飞机飞过噪声。 相似文献