有机Co/Alq3/La1－xSrxMnO3(LSMO)器件磁电阻的温度效应研究

根据最近关于温度对有机磁电阻影响的实验研究,利用漂移-扩散方程,计入温度对极化子迁移率和自旋弛豫时间的影响,研究了有机半导体中自旋极化率随温度的变化,进而利用Julliere公式给出器件的磁电阻.发现,在温度较低的区域磁电阻减小幅度大于温度较高的区域,磁电阻随温度变化的主要因素为自旋弛豫时间.最后将计算结果与实验数据作了比较,得到与实验相符合的结果. 关键词： 有机自旋电子学 极化子 温度 磁电阻     

钙钛矿锰氧化物中的极化子研究

钙钛矿锰氧化物(以下简称锰氧化物,如La_1-xSr_xMnO₃等,x为掺杂浓度)因其优异的电、磁性质受到人们广泛的关注,但是对于其材料内部载流子性质的认识至今仍没有统一定论.本文基于锰氧化物内Mn—O链的特点,建立一维紧束缚模型,对锰氧化物载流子的性质展开研究.发现在掺杂浓度x=0.5时,系统处于铁磁态,自旋能级完全劈裂,价带和导带之间存在带隙,所有电子态呈现扩展行为.进一步掺杂,将出现局域电子态,同时伴随着晶格的局域畸变,形成所谓的极化子.伴随着极化子的出现,带隙中出现极化子深能级.极化子携带的电荷量越多,形成的晶格缺陷越深,局域能级也越深.当极化子的电荷量继续增加时,极化子解离,载流子倾向于形成能量更低的正反"孤子"对.     

掺杂聚乙炔中的边界效应与孤子对稳定性

在自然边界条件下,研究了含有两个杂质离子的反式聚乙炔链中孤子对的稳定性和电子能级结构。所用哈密顿量在SSH模型基础上,附加了一个端点势,并包含了杂质的屏蔽库仑势及格点上e-e相互作用。计算结果显示,杂质离子的库仑作用力程足够长时,链中形成稳定的孤子对,链端的影响增强这种稳定性。带隙宽度随链的增长而变窄,但孤子能级至导带底的跃迁能量随链长变化不明显。 关键词：     

金属/掺杂聚合物/金属结构中载流子的注入与输运

基于紧束缚的Su-Schrieffer-Heeger模型，利用非绝热的动力学方法，研究了金属/聚合物/金属三明治结构中载流子注入与输运的动力学过程，其中，聚合物中含有一个掺杂离子. 电子波函数随时间的演化满足含时Schrdinger方程，晶格运动满足经典的牛顿运动方程. 研究发现，掺杂离子对注入到聚合物中的载流子的作用类似一个控制阀门，阀门的状态与电场的强度和偏压的大小密切相关.     

齐分子吡咯中极化子和双极化子及其稳定性

采用半经验Austin Model 1(AM1)方法，计算了齐分子吡咯聚合物(PPy)的中性态和带电态的几何结构性质．与中性态相比，带电态下其分子结构表现在C-C键长发生显著改变，单电荷掺杂导致极化子元激发；当掺杂的双电荷随机放置时，出现了两种情况：一种情况下产生双极化子，另一种情况下会产生两个分立的极化子．通过控制链的长度．可实现极化子与双极化子之间的相变，从而揭示出在有机半导体材料中实现自旋极化输运的可能性．     

一维共聚物链的色散关系研究

研究了一维共聚物链的晶格振动，得到了不同均聚物构型的色散关系，并分析了其振动模的结构特点.调整界面耦合，得到了界面模，其频率位于声频与光频或光频之间的带隙中.从晶格振动的角度分析了共聚物的量子阱或超晶格特征. 关键词： 共聚物 界面耦合 晶格振动     

位置涨落对DNA分子电子结构的影响

在紧束缚模型基础上，研究了位置涨落对碱基对周期排列的有序DNA分子的能带结构和电子态的影响，并分析了DNA分子的导电性.计算发现：随涨落的增强，带隙变小，同时，电子态倾向于局域化.室温下DNA分子的导带底电子态将呈现出较强的局域行为，因此，即使对有序排列的DNA分子，带输运理论在室温下也可能不再适用. 关键词： DNA 涨落 带隙 电子态     

孤子振动模的定域性

对于聚乙炔中孤子的五个定域振动模,本文研究了它们的位形随链长的变化而演变的情况,从而可确定其定域性。本文同时考察了开链和闭环两种情况。对于闭链,五个定域模定域于孤子附近,其形状与链长无关。对于开链,定域模g₁,g₂,g₃和g₅的位形不随链长而改变,因而是完全定域的,但是g₄的两翼随链长增加而变宽,定域性不完全。 关键词：     

聚二乙炔(polydiacetylene)的基态及极化子和双极化子激发态

建立了描述基态非简并聚合物聚二乙炔(polydiacetylene)的紧束缚模型. 研究了基态和带电激发态下的电子性质. 发现聚二乙炔基态下具有稳定的二聚化结构, 其能带分为四条子带, 对应于聚二乙炔链的四周期结构. 掺杂电荷时可形成极化子和双极化子非线性元激发, 计算了相应的产生能和束缚能, 发现在不考虑电子-电子Coulomb相互作用的情况下, 双电荷掺杂时产生双极化子比产生两个极化子更加稳定, 在双极化子中晶格畸变对掺杂电荷的定域束缚程度远远大于极化子中.     

准一维聚噻吩及以噻吩为基的共聚物的光学性质

利用半经验的ZINDO方法研究了聚噻吩及以噻吩为基的共聚物的电子光跃迁性质．以噻吩为基的共聚物具有阱-垒-阱结构特征，阱部分为具有不同共轭长度的聚噻吩，垒部分为具有大能隙的非可见的发光材料．计算发现，改变阱的共轭长度和垒的结构可控制聚合物的发光，跃迁能随链长的增加而减小，表现为光吸收谱红移．