甲酸甲酯氢解制甲醇铜基催化剂上吸附物种的现场红外光谱表征

应用原位红外光谱的方法，在反应现场条件下，研究了促进型甲酸甲酯（ＭＦ）氢解制甲醇铜铬催化剂上的化学吸附物种．结果表明，在ＭＦ氢解反应条件下，工作态催化剂上主要的化学吸附物种和反应中间物种是ＣＨ３Ｏ－ＣＨＯ…Ｈ－Ｏ（ａ）（１７５１，２７３０，１４５５ｃｍ－１）、ＣＨ３Ｏ－ＣＨＯ…Ｃｕ＋（ａ）（１６５４，２７３０，１４５５ｃｍ－１）、ＣＨ３Ｏ－ＣＨＯ…Ｃｒ３＋（ａ）（１５５２，２７３０，１４４５ｃｍ－１）和ＯＣＨ３（３０１２，２９４６，１４５５ｃｍ－１）．结合对该催化剂活性位本质的探讨，推断了甲酸甲酯氢解制甲醇的主要反应途径．     

基于试验方法的转向盘角阶跃输入汽车响应仿真及优化

应用ADAMS/CAR建立某轿车刚柔耦合多体动力学模型,按照最新国标GB/T 6323-2014进行转向盘转角阶跃输入试验虚拟仿真并按照QC/T 480-1999进行评分.选取前悬架部分硬点坐标为优化变量,转向盘角阶跃输入试验横摆角速度响应时间为优化目标,优化前的评分为88.6分,优化后的评分为94.3分.这样在实际产品未生产出来之前进行仿真预估其操纵稳定性,在实际产品出来后进行试验,便于对比.     

Rh—Ag／SiO2催化剂上CO的吸附与加氢反应

应用表面反应红外动态技术考察了促进型铑催化剂Ｒｈ－Ａｇ／ＳｉＯ２上ＣＯ吸附及其加氢反应的性能,结果表明：线式吸附态的ＣＯ对氢的反应性能高于桥式吸附的ＣＯ,是加氢反应的主要活性吸附态．反应条件下温度升高有利于Ｒｈ－Ａｇ／ＳｉＯ２上线／桥ＣＯ吸附态强度比值的增加．表面反应生成了表面甲酰基、甲酸盐、乙酰基、乙酸盐、乙烯酮及烯醇盐等关键的Ｃ１－２含氧中间体．助剂Ａｇ的加入提高了铑催化剂上ＣＯ吸附态的线／桥强度比值以及线式吸附ＣＯ的加氢反应速率和Ｃ２含氧物的生成率．     

多参考输入多误差输出FXLMS算法及其在机动车输室内噪声抵消中的应用

针对改善坦克,汽车等多发动机机动车辆室内噪场环境这一课题,在系统研究自适应信号处理和主动噪声控制方法的基础上,推导了多参考输入多误差输出FXLMS算法,提出了基于多参考输入多误差输出FXLMS算法的机动车辆室内主动噪声控制方案,并给出了计算机仿真结果。     

东濮凹陷桥口构造沙三3-4亚段气藏储集因素

目的 为更好地勘探桥口构造含气层沙三段中下部的天然气，研究了影响气藏的诸因素。方法利用薄片观察统计和X衍射分析，对桥口构造沙三^3-4亚段气藏岩性特征、沉积相特征进行了研究。结果该区含气层段具砂层厚度薄，粒度细，沉积相变快，埋藏深度大，储层物性纵、横向差异明显的储集特点；影响含气层段的储集因素包括岩石学组分、沉积相、砂体展布、成岩作用及物性等；沉积相是最主要的因素，以重力流沉积为主；好的储集体主要有湖底扇中扇辫状水道砂体和轴向重力流水道砂体。结论通过以上研究，结合气源条件，指出该地区天然气勘探的方向应为桥东斜坡带。     

《强激光与粒子束》“全固态激光技术”专辑征稿启事北大核心CSCD

自1960年第一台激光器问世以来,我国的激光科学技术随之迅速发展,独立自主的在激光器有关理论、实验研究、应用领域开展了广泛而深入的研究,取得了辉煌的成就。全固态激光器集中了传统固体激光器和半导体激光器的优势于一身,具有体积小、重量轻、效率高、性能稳定、可靠性好、寿命长、易操作、运转灵便(连续/重复率/长/短脉冲)、易智能化、无污染等优点,成为目前最具潜力的新一代激光源之一,且是目前我国在国际上为数不多的从材料源头直到激光系统集成拥有整体优势的高技术领域之一,具备了在部分领域加速发展的良好基础。     

树状大分子接枝型聚合物色谱分离材料研究进展

随着色谱固定相制备技术和材料科学领域的不断发展,目前已经有大量修饰方法和新型材料被用于固相萃取、高效液相色谱以及离子色谱聚合物固定相填料的功能化修饰。其中聚酰胺-胺(PAMAM)树状大分子由于其独特的结构和性质,在色谱分离材料结构完善和性能提升中也发挥了重要的作用。该文主要综述了PAMAM树状大分子在以聚合物为基质的色谱分离材料修饰中的应用,并对其今后的发展进行了展望。     

基于时间的职责分离的研究

职责分离是访问控制中的极为重要的原则,大量的研究员对RBAC模型中职责分离进行了深入的研究,但是都没有从时间的角度去探讨,忽略了时间在授权与职责分离中所起的作用。本文从时间的角度对职责分离机制进行了扩充,详细描述了在RBAC系统中基于时间的静态职责分离和动态职责分离机制。     

Preparation of Cu（In,Ga）Se2 Thin Film Solar Cells by Selenization of Metallic Precursors in an Ar Atmosphere

Cu（In, Ga）Se2 thin films are deposited on Mo-coated glass substrates by Se vapour selenization of sputtered metallic precursors in the atmosphere of Ar gas flow under a pressure of about 10 Pa. The in situ heat treatment of as-grown precursor leads to the formation of a better alloy. During selenization, the growth of CuInSe2 phase preferably proceeds through Se-poor phases as CuSe and InSe at relatively low substrate temperature of 250℃, due to the absence of In2Se3 at intermediate stage at low reactor pressure. Subsequently, the Cu（In,Ga）Se2 phase is produced by the reactive diffusion of CuInSe2 with a Se-poor GaSe phase at high temperature of up to 560℃. The final film exhibits smooth surface and large grain size. The absorber is used to fabricate a glass/Mo/Cu（In, Ga）Se2/CdS/ZnO cell with the total-area efficiency of about 7%. The low open-circuit voltage value of the cell fabricated should result from the nonuniform distribution of In and Ga in the absorber, due to the diffusion-controlled reaction during the phase formation. The films, as well as devices, are characterized.     

平行共轴线圈的磁场特征研究与实验设计

通过计算机及相关的传感器和数据采集接口辅助,研究了平行共轴双线圈间距分别为0.5R,R,1.5R时,轴线方向磁场强度的分布规律及特征.从平行共轴双线圈间距为R的亥姆霍兹线圈所形成的均匀磁场出发,结合理论推导,自己设计并组装了三线圈实验装置,实现了平行共轴三线圈均匀磁场区域扩大、强度增强的实验设计,在一定程度上弥补了传统亥姆霍兹线圈磁场测量的不足并有助于对其深入的理解和研究.