计算机房上送风空调系统探讨

在某计算机房空调设计实例基础上，介绍计算机房送风空调系统，包括上部送风系统、置换通风系统，分析几个在上送风系统中人们比较有疑问的问题。     

一种利用Gabor小波特征的目标跟踪方法

小波特征跟踪是一种新的目标跟踪方法。这种方法利用Gabor小波提取目标的边界特征来组成特征模板,并由小波滤波器系数组成特征向量。在跟踪过程中不断优化特征模板的旋转、尺度及平移等几何变形参数,使得小波特征向量值在最小平方和的意义上与初始值相匹配,从而实现目标旋转、尺度及平移等几何变形时的自动跟踪。实验表明,该方法能够有效地跟踪飞机、车辆等目标,并且能够抵抗全局亮度的变化和局部遮挡的干扰。     

体育专业教师创新思维的建构途径

培养体育专业学生的创新精神和创造能力的关键在于教师，因此体育教师的创新思维至关重要．运用调查法、逻辑分析法建构了体育专业教师创新思维的途径．     

Sobolev空间H~s(R~n)上矩阵伸缩的多尺度分析特征刻画

本文对高维Sobolev空间Hs(Rn)上具有矩阵伸缩的多尺度分析特征进行了 刻划,特别给出了稠密性特征的一个充分必要条件,从而解决了文献[4]中提出的一个 问题.所得结果覆盖了这方面的已知结论.     

螺[异苯并呋喃—1（3H）,9‘—（9H）—占吨]—酮—3类化合物的合成…

本文合成了数种２’位不同取代基的螺〔异苯并呋喃－１（３Ｈ），９’－（９Ｈ）－占吨〕－酮－３类化合物，并进行了红外，紫外光谱分析，对代表性化合物用Ｘ－射线衍射的方法测定了晶体结构，讨论了该类化合物的显色机理。     

羰基硫的光氧化反应研究

以熔凝紫外灯作为光源，利用FT—IR、怀特池、GC—MS、XPS等技术考察了COS与O2混合体系中COS的光氧化反应情况．结果表明，在紫外光照射下，COS能迅速光氧化分解，主要产物有CO2和SO2，光化学反应产生的部分SO2进一步氧化，以SO4^2-的形式大量存在．COS在紫外光光照下的光氧化反应遵循一级反应动力学规律，反应表观速率常数达10^-4～10^-3s^-1.O2的分压对COS光氧化速率有影响，随着氧量的增加，COS光氧化速率的增长逐渐趋于平缓．这为在光的作用下，大气中COS通过光化学反应形成SO2，形成硫酸盐气溶胶提供了实验依据．     

体验CI 实践CI 创造CI——CI教学在班级管理中的有益尝试

CI设计的最大特点就在于广泛的参与、实践和应用,对它的教学目的是让学生在全面深入理解设计理念的基础上开展设计实践活动.然而现实中的CI教学往往只偏重于一方面而忽略另一方面,本文就两者的有机结合作了一些尝试.     

Field Emission from Silicon Nanocrystallite Films with Compact Alignment and Uniform Orientation

Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved.     

Synthesis of GaN Nanorods by Ammoniating Ga2O3/ZnO Films

Large quantities of CaN nanorods are successfully synthesized on Si（111） substrates by ammoniating the films of Ga2O3/ZnO at 950℃ in a quartz tube. The structure, morphology and optical properties of the as-prepared CaN nanorods are studied by x-ray diffraction, scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy, Fourier transform infrared spectroscopy, and photoluminescence. The results show that the CaN nanorods have a hexagonal wurtzite structure with lengths of several micrometres and diameters from 80 nm to 300hm, which could supply an attractive potential to harmonically incorporate future GaN optoelectronic devices into Si-based large-scale integrated circuits. The growth mechanism is also briefly discussed.