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151.
一种在固体基底上制备高度取向氧化锌纳米棒的新方法 总被引:8,自引:1,他引:8
采用廉价、低温的方法,在修饰过ZnO纳米粒子膜的ITO基底上成功制备出具有 高长径比、高度取向的ZnO纳米棒阵列,用扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射(XRD) ,高分辨透射电子显微镜(HRTEM)以及拉曼光谱对制备出的ZnO纳米棒的结构和形貌 进行了表征,测试结果表明,ZnO纳米棒是单晶,属于六方晶系,与基底直,上仍 沿(001)晶面择优生长的特征,并且ZnO纳米棒基本上无氧空位的存在,统计结果显 示,水热反应2h后90%以上的ZnO纳米棒直径为120~190nm,长度为4μm 相似文献
152.
An ion-pair compound,[HL]2[Ni(CN)4]·4H2O 1 has been obtained as an unexpected product when we attempt to prepare a heterometallic cyano-bridged complex by the reaction of GdCl3·nH2O,K2Ni(CN)4 and L (L=4-(2-hydroxyphenyl)-1,5,9-triazacyclododecan-2-one) in aqueous solution,and characterized by single-crystal X-ray diffraction.It crystallizes in monoclinic,space group P21/n with a=12.380(1),b=9.9637(8),c=17.087(1)A,β=105.947(2)°,V=2026.6(3) A3,Rint=0.0509,Z=2,Dc=1.297g/cm3,C34H56O8N10Ni,Mr=791.60,F(000)=844,μ(MoKα)=0.538 mm-1,S=1.030,the final R=0.0644 and wR=0.1299 for 2023 observed reflections with I≥2σ(I).The title compound 1 contains one anion of [Ni(CN)4]2-,two cations of [HL]+and four packing water molecules,which are held together by the N-H…O and O-H…O hydrogen bonds to form a three-dimensional framework. 相似文献
153.
154.
155.
采用中位-四[邻-(3-磺酸基丙氨基)苯基]卟啉(TArP1)和中位-四[对-(3-磺酸基丙氨基)苯基]卟啉(TArP2)分别对纳米TiO2多孔膜电极进行敏化。对两种敏化电极进行了UV-V is光谱测试,结果表明,TiO2与TArP2的作用比与TArP1的作用强。在相同浸泡条件下,TiO2电极吸附TArP2的量大于吸附TArP1的量。将两种敏化电极分别组装成光电化学电池,从光电化学电池的I-V曲线计算TArP2敏化的光电化学电池的总光电转换效率(η)为0.15%,而TArP1敏化的光电化学电池的η为0.09%。 相似文献
156.
应用光电化学方法研究了两种菁类染料Cy3和Cy5复合敏化TiO2纳米晶电极的光电化学行为.结合两种染料的紫外-可见光谱和循环伏安曲线,确定了Cy3和Cy5的电子基态和激发态能级位置.结果表明两种染料的激发态能级位置能与TiO2纳米粒子导带边位置相匹配,复合敏化可以显著提高TiO2纳米晶的光电流,使TiO2纳米晶电极吸收波长由紫外光区红移至可见光区和近红外区.复合敏化降低了染料Cy3 在电极吸附时的聚集程度,使其单色光的转换效率(IPCE)提高了169%,复合敏化电极总的光电转换效率η为2.09%,分别是Cy3和Cy5单独敏化时光电转换效率的2.069 和1.229倍. 相似文献
157.
复发性阿弗他溃疡与相关的营养因素研究进展 总被引:2,自引:1,他引:2
以国内外研究复发性阿弗他溃疡营养因素的相关论文为依据,综述了近十年有关对复发性阿弗他溃疡(RAU)营养因素的研究进展。包括:RAU与微量元素锌、铁、硒、铜,维生素A、C、E、B2、B12,蛋白质,膳食纤维和谷类的关系。RAU的发生与体内微量元素锌、铁、硒、铜的减少,维生素A、C、E、B2、B12,蛋白质和膳食纤维的摄取不足密切相关,全谷类食品(功能稻米)对缓解RAU有帮助。 相似文献
158.
159.
160.
氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体核心材料之一,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性,是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想材料.受制于氮化镓单晶衬底的尺寸、产能及成本的影响,当前的GaN基器件主要基于异质衬底(硅、碳化硅、蓝宝石等)制作而成,GaN单晶衬底的缺乏已成为制约GaN器件发展的瓶颈.近年来,国内外在GaN单晶衬底制备方面取得了较大的进展.本文综述了氮化镓单晶生长的最新进展,包括氢化物气相外延法、氨热法和钠助熔剂法的研究进展,分析了各生长方法面临的挑战与机遇,并对氮化镓单晶材料的发展趋势讲行了展望. 相似文献